WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4. Заключение В рамках формализма матрицы плотности в приРис. 2. Зависимости пороговой плотности тока Jth от квадрата ближении времени релаксации вычислен коэффициент электрического поля электромагнитной волны E2 при тех же значениях параметров, что и на рис. 1. усиления как функция температуры, концентрации ноФизика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 640 Г.Г. Зегря, И.Ю. Соловьев сителей тока и интенсивности лазерного излучения. Influence of gain saturation on output Из порогового условия найдены зависимости пороговой power of quantum well lasers концентрации от интенсивности излучения. Показано, G.G. Zegrya, I.Yu. Solovyev что при уменьшении времени внутризонной релаксации зависимость пороговой концентрации от интенсивноIoffe Physicotechnical Institute, сти становится сильно нелинейной. Вычислена ваттRussian Academy of Sciences, амперная характеристика при высоких уровнях возбу194021 St. Petersburg, Russia ждения. Показано, что для лазера с коротким резонатором ватт-амперная характеристика является нелинейной.

Abstract

In this paper, power-current characteristics of a quanДля данного лазера пороговая концентрация больше, tum well laser are calculated, the gain saturation effect being чем для лазера с длинным резонатором. Следовательно, taken into account. It is shown that at high excitation levels the power-current characteristic becomes non-linear. The calculated процессы релаксации усилены и коэффициент усиления power-current characteristics of a quantum-well laser are in good меньше, чем для лазера с длинным резонатором. С роagreement with those observed experimentally.

стом тока накачки коэффициент усиления падает, что приводит к нелинейной зависимости мощности лазера от тока накачки, а следовательно, и к насыщению усиления.

Полученная ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера хорошо согласуется с экспериментом.

Авторы выражают благодарность В.П. Евтихиеву и Е.Ю. Котельникову за обсуждение результатов работы.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 02-02-17610, 04-02-16786, 04-07-90148), научной программы РАН и президиума РАН.

Список литературы [1] T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997); L.V. Asryan, N.A. Gun’ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999).

[2] J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81, 3146 (2002).

[3] V.P. Evtikhiev, E.Yu. Kotelnikov, D.V. Dorofeyev, G.G. Zegrya.

Proc. 8th Int. Symp. Nannostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 19–23, 2000) p. 407.

[4] О.Н. Кронин. ФТТ, 7, 2612 (1966).

[5] V.M. Galitckij, V.F. Elesin. Resonans Coupling of Electromagnetic Fields and Semiconductors (Moscow, 1986).

[6] К. Блум. Теория матрицы плотности и ее приложения (М., Мир, 1983).

[7] L.V. Asryan, N.A. Gun’ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000).

[8] A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev., 58, 4039 (1998).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.