WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

коэффициент пропускания зеркал. Для того чтобы опре[2] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quanделить коэффициенты отражения зеркал на резонансной tum dot lasers (Oxford University Press, 2003).

длине волны, необходимо с высокой точностью знать [3] V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov. Phys.

толщины и состав всех слоев структуры. С этой целью Status Solidi A, 202, 396 (2005).

были измерены спектры оптического отражения эпи[4] J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, таксиальной структуры ВИЛ в геометрии нормального A.E. Zhukov, A.R. Kovsh. M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000).

падения (см. рис. 6, a). Для более точного определения [5] J.K. Kim, R.L. Naone, L.A. Coldren. IEEE J. Select. Top.

резонансной длины волны были измерены спектры элекQuant. Electron., 6, 504 (2000).

тролюминесценции с поверхности структуры ВИЛ. За[6] A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, тем путем итерационной подгонки расчетных спектров V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, отражения к экспериментальным данным были опредеM.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop’ev, лены толщины слоев с точностью не хуже чем 0.5%.

Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, При этом для численного моделирования спектров от1845 (1999).

ражения использовался метод матриц переноса [15]. На [7] S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, рис. 6, b представлена измеренная зависимость обратной N.A. Maleev, A.P. Vasil’ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, -N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, внешней квантовой эффективности diff от обратного -D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 26th Int. Conf. Phys. Semicond.

коэффициента пропускания зеркал Tm. Ее линейная (Edinburgh, UK, 2002) paper L2.3.

аппроксимация с последующей экстраполяцией дает ве[8] A. Bond, P.D. Dapkus, J.D. O’Brien. IEEE Photon. Technol.

личины внутренней квантовой эффективности int = 98% Lett., 10, 13 627 (1998).

и внутренних оптических потерь Aint = 0.09% на один [9] Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, проход фотона. Достигнутый уровень внутренних оптиС.С. Михрин, А.Г. Кузьменков. Д.А. Бедарев, Ю.М. Задических потерь ниже, чем наименьшие опубликованные ранов, М.А. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, значения для ВИЛ с проводящими зеркалами [16], и В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, C. Mller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003).

лишь незначительно уступает рекордно низким потерям [10] С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, для ВИЛ с внутрирезонансными контактами [17].

Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 4. Заключение 782 (2005).

[11] P.D. Floyd, B.J. Thibeault, E.R. Hegblom, J. Ko, L.A. Coldren, Таким образом, в настоящей работе методом J.L. Merz. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 590 (1996).

[12] E.R. Hegblom, D.I. Babic, B.J. Thibeault, L.A. Coldren. Appl.

молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры Phys. Lett., 68, 1757 (1996).

ВИЛ с активной областью на основе массивов субмо[13] Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., нослойных КТ InGaAs и двумя легированными РБО Мир, 1981).

AlGaAs/GaAs. Изготовлены и исследованы одномодовые [14] T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, ВИЛ спектрального диапазона 980 нм с диаметром ок(1997).

сидированной токовой апертуры 3 мкм. Приборы име[15] М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970).

ют субмиллиамперные пороговые токи, максимальную [16] M. Jungo, F.M. di Sopra, D. Erni, W. Baechtold. J. Appl. Phys., выходную мощность до 4 мВт в одномодовом режи91, 5550 (2002).

ме и внешнюю дифференциальную эффективность бо- [17] G.M. Yang, M.H. MacDugal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995).

лее 65%. Проведено экспериментальное исследование зависимости характеристик приборов от числа пар четРедактор Л.В. Шаронова вертьволновых слоев в верхнем РБО для многомодовых приборов с размером апертуры 10-12 мкм. Обнаружено, что ВИЛ на основе массивов субмонослойных КТ InGaAs обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона).

Работа была выполнена при поддержке программы Отделения физических наук РАН „Новые материалы и структуры“, программы фундаментальных исследований президиума РАН „Низкоразмерные квантовые структуры“, Федерального агентства по науке и инновациям, РФФИ и проекта SANDiE (NMP4-CT-2004-500101).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 638 С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков...

Sub-monolayer quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, G.S. Sokolovskii, V.V. Dudelev, V.I. Kuchinskii, M.M. Kulagina, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.N. Ledentsov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia NL-Nanosemiconductors GmbH, 44227 Dortmund, Germany

Abstract

Vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) based on sub-monolayer InGaAs quantum-dot active region and doped AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors were grown by molecular beam epitaxy. 3 µm aperture single-mode VCSELs demonstrate lasing at 980 nm with threshold current of 0.6 mA, maximum output power of 4 mW and external differential efficiency as high as 68%. Ultimately low internal optical losses (0.09% per one pass) were measured for 10-12 µm aperture multi-mode submonolayer quantum dot VCSELs.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.