WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Нетрудно убедиться, что для существования нетривиКак известно, в этом случае основное изменение альных решений уравнения (11) требуется достаточно ширины щели происходит за счет разрывов в валентной резкая зависимость (Vs). В противном случае единзоне. Однако согласно оценкам [6] в широком диапаственное доменное решение есть Vs = 0. При весьма зоне значений x (0.2 0.5) мы все же имеем дело с резкой зависимости (Vs) мы получаем полный переход гетероструктурой 1-го типа, т. е. слои Si1-xGex образуют электронов в одну из ям за счет полного опустошения потенциальные ямы также и в электронной зоне с ведругой.

личиной разрыва порядка 0.02 эВ, причем деформация Наряду со стенками, в которых реализуются поля, (a) (b) этих слоев такова, что в указанных ямах существуют например в последовательности Ey > 0, Ey < 0, только две пары -долин ([010] и [001]), а долина возможны аналогичные стенки с полями противополож[100] существенно приподнята. Таким образом, здесь ных знаков. Чередование этих двух типов стенок обеспереализуется зонная структура, оптимальная в смысле чивает существование многодоменных (многослойных) рассматриваемого эффекта. К сожалению, неизбежное структур с доменами различной протяженности. В связи сплавное рассеяние в Si1-xGex-ямах может существенно с этим возникают проблемы периодичности, устойчивоувеличить 0 и ликвидировать ожидаемый эффект.

сти, пиннинга, хаоса и т. п.

4. Выполнение условия (1) отодвигает область су- В этом смысле заметны преимущества структуры ществования в рассматриваемых структурах обычного Ge/SixGe1-x на Ge-подложке (110) с Ge-ямами. При МЭС в сторону более сильных полей. При этом домены x = 0.02 0.03 в этих структурах также нетрудно с межъямным напряжением и межъямной перезарядкой получить барьеры со значениями ab 0.02 эВ. При должны быть неустойчивыми к междолинному перерас- этом сплавное рассеяние переносится в барьеры, в копределению по фононному механизму. Возникновение торых время нахождения электрона (равное времени добавочного перераспределения в зависимости от со- баллистического пролета между двумя упругими рассеячетания параметров может как полностью разрушить ниями) мало. Заметим, что структуры на Ge-подложках в структуру, возникшую в слабополевой области, так и последние годы привлекают повышенное внимание (см., вписаться в нее (с образованием гибридной структуры). например, [7–9]).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям... Хотя экспериментальное наблюдение эффекта в двойных и многократно повторяющихся ямах предусматривает охлаждение до температуры жидкого гелия или около нее, здесь (в отличие от объемного Si) не происходит вымораживания носителей и диэлектризации образцов, поскольку при селективном легировании барьеров электроны будут всегда заполнять ямы (при условии, что энергия ионизации примеси в барьере достаточно мала, как это и имеет место в структуре Ge/SixGe1-x при малых x).

Автор благодарит В.Л. Борблика за неоценимую помощь в подготовке рукописи.

Работа выполнена при поддержке Фонда фундаментальных исследований Государственного комитета по науке и технике Украины, грант № 2.3/122 (”Простiр”).

Список литературы [1] З.С. Грибников, В.В. Митин. Письма ЖЭТФ, 14, 272 (1971).

[2] М. Аше, З.С. Грибников, В.В. Митин, О.Г. Сарбей. Горячие электроны в многодолинных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1982).

[3] M. Asche. In: Hot Electron Transport in Semiconductors, ed.

by L. Reggiani (Springer Verlag, Berlin, 1985) p. 149.

[4] M. Asche. Sol. St. Electron., 32, 1633 (1989).

[5] З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 963 (1994).

[6] R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986).

[7] В.И. Гавриленко, И.Н. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никаноров, Л.К. Орлов, А.Л. Чернов. Письма ЖЭТФ, 59, 348 (1994).

[8] V.J. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasil’nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.V. Nikonorov, V.M. Tsvetkov. Lithuan. J. Phys., 35, 368 (1995).

[9] E. Murukami, K. Nakagava, A. Nishida, M. Miyao. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 71 (1991).

Редактор Л.В. Шаронова Mechanism of multi-valued anisotropy of conductivity of double heterostructure wells and superlattices Z.S. Gribnikov Institute of Semiconductor Physics, Ukrainian Academy of Sciences, 252650 Kiev, the Ukraine Fax: (044)265-83-42 (Gribnikov) E-mail: zinovi@lab2.kiev.ua (Gribnikov) 8 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.