WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

карбида кремния без использования буферного слоя, су- Luminescent properties of gallium nitride щественное влияние свойств подложки не люминесцентlayers grown by vapor-phase epitaxy in a ные свойства слоя не обнаружено, т. е. подложка не вноchloride system on silicon carbide сит (по крайней мере при толщинах слоя боле 0.2 мкм) substrates значительного вклада в образование и распределение по A.S. Zubrilov, Yu.V. Melnik, D.V. Tsvetkov, площади слоя точечных дефектов структуры, которые V.E. Bougrov, A.E. Nikolaev, S.I. Stepanov, в значительной степени определяют люминесцентные V.A. Dmitriev свойства нитрида галлия.

Ioffe Physicotechnical Institute, Авторы выражают благодарность А.И. Бабанину за Russian Academy of Sciences, проведение исследования состава выращенных слоев, а 194021 St.Petersburg, Russia также Н.И. Кузнецову за электрофизические измерения и И.П. Никитиной за ценные обсуждения.

Abstract

Luminescent properties of undoped GaN layers grown Работа частично финансировалась университетом штаby hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on silicon carbide та Аризоны, США.

substrates were studied. Edge (361 nm, 96 K) and defect (380 nm, 430 nm, 560 nm, 96 K) luminescence bands have been detected in PL and CL spectra. Parameters of the edge and defect Список литературы luminescence were found to depend on the growth conditions, particularly on the location of the substrate in the reactor, [1] S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 62, 2390 irrespective of substrate crystallinity. Specific symmetry in lateral (1993); H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, distribution of the luminescent properties of the epilayers has been M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994); S. Nakamura, found in a direction of gas reagent flow. A correlation between M. Senoh, N. Isawa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., the concentration of electrically active impurity and parameters of 34, L797 (1995). the edge and blue luminescence bands has been revealed.

[2] S. Nakamura. Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba Univ., Japan, 1996) p. 119.

E-mail:asz@shuttle.ioffe.rssi.ru [3] S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992).

FAX: (812) 247-[4] A.O. Lebedev, Yu.V. Melnik, A.M. Tsaregorodtsev. Inst. Phys.

Conf. Ser. 137, Chap. 4 (1994) p. 405.

[5] Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Yu.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 5 (1996) p. 863.

[6] A.E. Nikolaev, Yu.V. Melnik, M.N. Blashenkov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov, V.I. Nikplaev, V.A. Dmitriev, V.A. Soloviev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Research, 1, 45 (1996) (http://nsr.mij.org/1/45).

[7] J.I. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R.J. Molnar, T.D. Moustakas, B. Van Zeghbroeckin. Proc. Int. Electron. Dev. Meeting (1994) p. 389.

[8] Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.E. Nikolaev, D.V. Tsvetkov, A.A. Sitnikova, V.A. Dmitriev. Abstracts 1st European Conf.

on Silicon Carbide and Related Mater (Heraklion, Greece, 1996) p. 79.

[9] D.K. Nelson, M.A. Jakobson, Yu. Melnik, A.V. Selkin. Abstracts Topical Workshop on III–V Nitrides (Nagoya, Japan, 1995) P-4.

[10] V. Dmitriev, K. Irvine, J. Edmond, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert, A. Zubrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, Yu. Melnik, A. Babanin, A. Tsaregorodtsev. Abstracts 11th Int. Conf.

on Crystal Growth (Hague, Netherlands, 1995) p. 135;

V. Dmitriev, K. Irvine, G. Bulman, J. Edmond, A. Zybrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, D. Tsvetkov, A. Babanin, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert. (to be published).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.