WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

контактным слоем p-GaAs. Использовалась конструкция [6] T.E. Sale. Vertical cavity surface emitting lasers (N. Y., поверхностно излучающих диодов со сплошной металJ. Wiley & Son Inc., 1995).

лизацией обратной стороны и верхним кольцевым кон[7] F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, тактом. Для формирования омического контакта к слоям T.S. Sakaguchi, K. Iga. Electron. Lett., 35, 1079 (1999).

n-типа использовалась металлизация AuGa / Ni / Au, а для [8] J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, контактов к p-GaAs — металлизация Cr / Au. Область (1974).

протекания тока цилиндрической формы ограничивалась [9] J.C. Campbell, D.L. Huffaker, H. Deng, D.G. Deppe. Electron.

имплантацией протонов. На рис. 6 приведены спектры Lett., 33, 1337 (1997).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 616 Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов, Д.А. Бедарев, Б.В. Воловик...

[10] A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, E.Yu. Kondrat’eva, D.A. Livshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 1345 (1999).

[11] А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов. ФТП, 33, (1999).

[12] D. Bimberg, N. Kirstaeder, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 196 (1997).

[13] N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, I.L. Krestnikov, A.V. Lunev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. Xth Eoropean workshop on MBE, Les Arcs, France, March 28-April 1, (Nanostructures, p. 2).

[14] Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33, 629 (1999).

[15] N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, V.P. Kalosha, J.A. Lott. Semicond. Sci Technol., 14, 99 (1999).

[16] L.A. Graham, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 74, 2408 (1999).

[17] D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 520 (1998).

Редактор В.В. Чалдышев Stacked InAs / InGaAs quantum dot heterostructures for optical sources in 1.3 µm wavelength range N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, D.A. Bedarev,B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, I.N. Kaiander, V.A. Odnobludov, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul’nikov, Yu.M. Shernyakov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt Berlin, D-10623 Berlin, Germany

Abstract

We describe a method of growing the Stacked InAs / InGaAs self-organized quantum dots on GaAs substrates.

Proposed technique allows us to fabricate the structures showing bright and narrow photoluminescence line in the 1.3 µm wavelength range. The influence of the growth regimes on structural and optical characteristics has been studied. The structures proposed are shown to be promising candidates for vertical-cavity surfaceemitting devices.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.