WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Ds · · d = 2, (3) Следует отметить, что полученная в настоящей раDs F боте зависимость размера островка от величины силы и соответственно степени рассогласования решегде Ds/ — параметр, учитывающий изменение коток: d F-1/2 -1, хорошо согласуется с анаэффициента поверхностой диффузии на искривленной логичной зависимостью, полученной в [16]. Автораповерхности ( = z/x — угол отклонения поверхми [16] показано, что в системе InAs / GaAs изменение ностной неровности от средней плоскости z = 0); — давления потока мышьяка заметно влияет на режим объем атома.

роста островков: увеличение давления, т. е. увеличение При выводе формулы (3) показано [5,10], что развитие самоорганизующихся неровностей возможно, если на- коэффициента поверхностной диффузии за счет роста правление градиента коэффициента поверхностной диф- концентрации адатомов мышьяка приводит к увеличефузии противоположно вектору внешней силы, т. е. вели- нию размеров островков, что следует и из формучина (Ds/)F имеет отрицательное значение. В про- лы (3).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния 4. Заключение Investigation of the desintegration process in germanium elastically stressed films on Проведенные СТМ, АСМ и ДБЭ исследования проa silicon surface цесса распада упругонапряженной пленки германия на I.V. Zakurdaev, M.V. Baizer, S.Yu. Sadofyev, поверхности кремния в гетероэпитаксиальной системе M.M. Rzaev Ge / Si(001) позволили в первом приближении оценить силу, вызывающую направленный дрейф адатомов гермаState Radioengineering Academy, ния, и, исходя из кинетических особенностей направлен390005 Ryazan, Russia ного массопереноса, сделать оценку минимально дости- P.N. Lebedev Physical Institute, жимых размеров островков. Полученное минимальное Russian Academy of Sciences, значение составляет 60 нм. Возможность дальнейшего 117924 Moscow, Russia уменьшения размеров островков связана с увеличением силы, действующей на адатом, или, с учетом определя

Abstract

The results of the initial stage investigation of the ющей роли анизотропии коэффициента поверхностной sufrace self-organizing process in Ge / Si(001) heteroepitaxial sysдиффузии в процессах самоорганизации поверхности, tem from the moment of the step set formation to the inception подбора кристаллографической ориентации подложки.

of three-dimensional roughnesses are submitted. The calculation Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ of the force causing the derectional drift of germanium adatoms is (проект № 99-02-17795) и Минобразования РФ в рамках carried out. Proceeding from kinetic features of directional mass гранта по направлению ”Электроника и радиотехника”. transfer, the estimation of the minimally achievable island sizes is made.

Список литературы [1] Ж.И. Алферов. ФТП, 32 (1), 3 (1998).

[2] Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998).

[3] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер. Матер. совещ. ”Нанофотоника” (Нижний Новгород, 1999) с. 15.

[4] J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993).

[5] Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла (М., Энергоатомиздат, 1984).

[6] В.И. Марченко, А.Я. Паршин. ЖЭТФ, 79 (1), 257 (1980).

[7] J. Tersoff, Y.H. Phang, Zhenyu Zhang, M.G. Lagally. Phys.

Rev. Lett., 75, 2730 (1995).

[8] И.В. Закурдаев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 40, № 8, (1976).

[9] Ю.Г. Садофьев, К.В. Малахов, М.М. Рзаев, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, П.А. Трубенко. Матер. совещ. ”Нанофотоника” (Нижний Новгород, 1999) с. 90.

[10] И.В. Закурдаев, Г.Н. Шуппе. Процессы массопереноса и изменения структуры поверхности кристаллов (М., ЦНИИ ”Электроника”, 1983) ч. 2, вып. 11 (965), с. 64.

[11] Справочник химика (М., Госхимиздат, 1963) т. 1, с. 1071.

[12] Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978).

[13] H. Tokumoto, K. Miki, Y. Morita, T. Sato, M. Iwatsuki, M. Suzuki, T. Fukuda. Ultramicroscopy, 42–44, 816 (1992).

[14] C. Teichert, Y.H. Phang, L.J. Peticolas, J.C. Bean, M.G. Laggaly. Surface Diffusion: Atomistic and Collective Processes, NATO-ASI Series (Plenum Press, N.-Y., 1997) p. 297.

[15] О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский, В.А. Марков, А.И. Никифоров, А.И. Якимов. Матер. Всерос. совещ. ”Наноструктуры на основе кремния и германия” (Нижний Новгород, 1998) с. 7.

[16] V.A. Schukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Phys.

Rev. Lett., 75 (16), 2968 (1995).

Редактор В.В. Чалдышев 7 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.