WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

приложении электрического поля увеличивается средняя В этих условиях функцию распределения электро- энергия электронов, соответственно в стационарных нов модно считать фермиевской вследствие сильного условиях плавно возрастает и скорость рассеяния энерэлектрон-электронного рассеяния. Таким образом, для гии. Ход зависимостей dE/dt в двумерных системах описания электронного газа в условиях его разогрева от Te аналогичен случаю объемного полупроводника, электрическим полем можно ввести температуру горя- показанного на рис. 1 штрихпунктирной линией.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 608 Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов функции примерно соответствует значению волнового вектора фонона q0, равному по величине волновому вектору электрона с энергией, близкой к 0:

q0 = 2m 0/. При увеличении электронной температуры, как видно из рисунка, количество неравновесных фононов резко возрастает. По абсолютной величине неравновесная часть функции распределения фононов при высоких электронных температурах оказывается близка к единице, поэтому влияние неравновесных фононов на процессы рассеяния энергии электронов при их разогреве в сильном электрическом поле оказывается существенным. При времени жизни фононов q = 7 · 10-12 с значение скорости рассеяния энергии в 5-6 раз меньше, чем без учета неравновесных фононов.

Рис. 2. Скорость рассеяния энергии двумерными электроВлияние уровня легирования и ширины КЯ на среднами (в расчете на один электрон) с учетом накопления нюю скорость рассеяния энергии с учетом накопления полярных оптических фононов при времени жизни фононов полярных оптических фононов показано на рис. 2. Увеq = 7 · 10-12 с в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с концентрациличение концентрации электронов приводит к ослабями ns = 0.5 · 1011 (a), 1 · 1011 (b), 3 · 1011 см-2 (c). Сплошные лению рассеяния энергии в расчете на один элеккривые — КЯ шириной L = 6 нм, штриховые — КЯ шириной трон при фиксированном значении электрического поL = 10 нм. T = 77 K. На вставке — зависимость скорости ля. Кроме того, увеличение концентрации электронов рассеяния энергии от ширины КЯ при T = 77 K, Te = 290 K, ns = 3 · 1011 см-2. ведет к большему заполнению конечных состояний для процессов испускания фононов, что уменьшает величину dE/dt. Зависимость dE/dt от ширины КЯ следует из выражения (9) работы [17] и является слабой.

Зная зависимость скорости рассеяния энергии от температуры электронов, можно определить электронную температуру, соответствующую заданной величине продольного электрического поля. Для определения зависимости электронной температуры от величины продольного электрического поля было решено уравнение баланса мощности [21]:

eµeE2 = dE/dt, (21) где µe — подвижность электронов, E — приложенное электрическое поле. Подвижность электронов в продольРис. 3. Зависимость электронной температуры от элек- ном электрическом поле экспериментально исследоватрического поля с учетом (сплошная линия) и без учета лась в работе [22] в структуре с прямоугольными КЯ (штриховая линия) эффекта накопления полярных оптичеGaAs/Al0.22Ga0.78As шириной L = 6 нм с концентрацией ских фононов при температуре решетки T = 77 K. Ширисвободных электронов ns = 3 · 1011 см-2. Найденное знана КЯ GaAs/Al0.24Ga0.76As L = 6 нм, поверхностная концентрачение подвижности электронов слабо зависело как от ция ns = 3 · 1011 см-2.

величины электрического поля, так и от температуры.

Поэтому в настоящей работе для структуры с аналогичными параметрами было использовано найденное в [22] среднее значение подвижности µe = 3400 см2/В · с, Эффект накопления фононов уменьшает dE/dt вследствие резкого увеличения количества актов погло- не зависящее от величины продольного электрического щения накопившихся неравновесных фононов. На встав- поля. На рис. 3 приведены зависимости электронной температуры от электрического поля с учетом и без ке к рис. 1 показаны зависимости неравновесной части функции распределения фононов NqN =(dNq/dt)q от учета эффекта накопления ПО фононов, полученные приведенного волнового вектора фонона, рассчитанные путем решения уравнения (21). Видно, что эффект по (17) при температуре решетки T = 77 K для двух накопления фононов приводит к существенному увелизначений электронной температуры Te. Максимум этой чению Te.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем... 4. Использование предложенной модели расчетов для объяснения результатов некоторых экспериментов Расчеты скорости рассеяния энергии в рамках предложенной модели хорошо описывают экспериментальные результаты, полученные разными авторами. Рассмотрим некоторые из них.

1) В работе [11] зависимость скорости рассеяния энергии от температуры горячих электронов получена по спектрам фотолюминесценции (см. экспериментальные точки на рис. 4, a). Эксперимент проведен при температуре T = 4.2 K на образце с КЯ GaAs/AlGaAs шириной L = 6.5 нм и концентрацией электронов ns = 1.42 · 1012 см2. Расчеты в рамках предложенной в настоящей статье модели показали, что учет неравновесных фононов значительно улучшает согласие теоретических и экспериментальных данных.

2) На рис. 4, b приведены экспериментальные данные работы [23] для более широких КЯ GaAs/AlGaAs, полученные путем прямых измерений скорости потерь энергии. Эти измерения были выполнены с помощью комбинации оптических и электрических методов: одновременно измерялись спектры люминесценции, по которым определялась температура носителей, и вольт-амперные характеристики, по которым независимо находилась мощность, приходящаяся на один носитель. Толщина слоя КЯ в исследуемой в [23] струкРис. 4. Скорость рассеяния энергии горячими электронатуре составляла L = 25.8 нм, концентрация электронов ми в квантовых ямах. Точки — экспериментальные данные:

ns = 3.9 · 1011 см2, температура T = 1.8 K. Для этого a —из работы [11], b —из работы [23]. Сплошные и штрислучая расчет, проведенный в настоящей работе с учеховые линии — расчет в рамках предложенной в настоящей том неравновесных фононов, также удовлетворительно работе модели соответственно с учетом и без учета неравноописывает экспериментальные результаты.

весных фононов.

3) Рассмотрим роль учета неравновесных фононов при объяснении модуляции межподзонного поглощения дальнего инфракрасного излучения в сильном продольном электрическом поле. Модуляция коэффициента по- поле электроны разогреваются и переходят из нижней глощения экспериментально исследовалась в [22] в подзоны в верхнюю, перераспределяясь в пространстве структуре с КЯ GaAs/Al1-xGax As, селективно легиро- между основной глубокой КЯ GaAs/AlGaAs и мелкой КЯ ванной в барьерах. Параметры КЯ подобраны таким в области барьера. Электроны, попавшие в область баобразом, чтобы изучать модуляцию на коротковолно- рьера, компенсируют заряд легирующей примеси. В ревом склоне пика межподзонного поглощения излучения зультате глубина КЯ в области барьера уменьшается, CO2-лазера. Разогрев электронов продольным электри- соответственно повышается энергия верхнего уровня.

ческим полем приводит к увеличению энергетического В настоящей работе изменение профиля потенциала и расстояния между двумя уровнями размерного кван- зонного спектра исследуемого образца в зависимости от тования. В результате пик межподзонного поглощения величины приложенного электрического поля найдено сдвигается в коротковолновую область по сравнению со при самосогласованном решении уравнений Шредингера случаем отсутствия поля, и коэффициент поглощения на и Пуассона. Температура электронов, соответствующая длине волны излучения CO2-лазера возрастает. каждому значению электрического поля, определена Энергетическое расстояние между уровнями изме- путем решения уравнения баланса мощности (21). При няется по следующей причине. Пространственный за- этом расчет скорости рассеяния энергии проведен с ряд, возникающий вследствие селективного легирования учетом неравновесных ПО фононов. Найденное значесредней области барьеров структуры, искажает вид ние электронной температуры как параметра в функции потенциала и приводит к появлению неглубокой КЯ в распределения электронов позволило определить долю области барьера. В сильном продольном электрическом электронов, компенсиpующих заряд легирующей приме7 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 610 Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов скорости рассеяния энергии, позволяет точнее определять электронную температуру.

Работа поддержана грантами Министерства науки, Министерства высшего образования, INTAS.

Список литературы [1] J. Shah. In: Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya [Ser. Modern problems in condensed matter sciences, ed. by V.M. Agranovich, A.A. Maradudin (Elsevier Science, Netherlands, 1992) v. 35, p. 57].

[2] H.T. Grahn, J. Kastrup, K. Ploog, L. Bonilla, J. Galan, M. Kindelan, M. Moscoso. Jap. J. Appl. Phys., 34, 4526 (1995).

Рис. 5. Изменение коэффициента межподзонного поглощения [3] J. Kastrup, R. Klann, H.T. Grahn, K. Ploog, L. Bonilla, J. Gaна длине волны = 10.6 мкм в зависимости от величины lan, M. Kindelan, M. Moscoso, R. Merlin. Phys. Rev. B, 52, продольного электрического поля при T = 77 K. Точки — 13 761 (1995).

эксперимент [22]; сплошная и штриховая линии — расчет в [4] L.L. Bonilla. In: Nonlinear Dynamics and Pattern Formation рамках предложенной в настоящей работе модели с учетом и in Semiconductors, ed. by F.-J. Niedernostheide (Springer, без учета неравновесных фононов соответственно.

Berlin, 1995) chap. 1.

[5] E. Shomburg, A.A. Ignatov, J. Grenzer, K.F. Renk, D.G. Pavel’ev, Yu. Koschurinov, B. Ja. Melzer, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop’ev. Appl. Phys. Lett., 68, 1096 (1996).

си в барьере. Уравнение Пуассона позволило связать [6] L.E. Vorobjev, V.I. Stafeev, A.V. Shturbin. Phys. St. Sol. (b), изменение заряда легирующей примеси с изменением 53, 47 (1972).

[7] Л.Е. Воробьев, Ф.И. Осокин, В.И. Стафеев, А.В. Штурбин.

глубины КЯ в области барьера, а соответствующие ФТП, 8, 1281 (1974).

новому виду потенциала уровни энергии определялись [8] Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974).

из уравнения Шредингера. Таким образом, найдена ве[9] K. Hess, G.J. Iafrate. In: Hot-Electron Transport in Semiличина сдвига верхнего уровня, а следовательно, и пика conductors, ed. by L. Reggiani (Springer Verlag, Berlin– межподзонного поглощения как функция приложенного Heidelberg, 1985) chap. 7.

электрического поля. Приближение максимума пика [10] B.K. Ridley. In: Hot Carriers in Semiconductor Nanostructuпоглощения (сдвиг пика) к частоте CO2-лазера ознаres: Physics and Applications, ed. by J. Shah. (Academic чает увеличение коэффициента поглощения на данной Press Inc., USA, 1992) chap. 2.

частоте. [11] R. Gupta, N. Balcan, B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 7, B274 (1992).

Экспериментальная и теоретическая зависимости из[12] Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левиншменения коэффициента поглощения света от велитейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и чины приложенного электрического поля E показаны на оптические явления в сильных электрических полях рис. 5. Для сравнения изображены результаты расчета в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, для случаев рассеяния электронов на равновесных и на 2000).

неравновесных ПО фононах. Видно, что учет неравно[13] B.K. Ridley. Semicond. Sci. Technol., 4, 1142 (1989).

весных фононов при расчете сдвига пика поглощения [14] R. Fuchs, K.L. Kleiwer. Phys. Rev., 140, A2076 (1965).

приближает расчетную кривую к экспериментальным [15] K. Huang, B. Zhu. Phys. Rev. B, 38, 2183 (1988).

[16] Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 34, 1053 (2000).

значениям.

[17] В.Л. Гуревич, Д.А. Паршин, К.Э. Штенгель. ФТТ, 30, (1988).

[18] B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982).

5. Заключение [19] V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum heterostructures (Cambridge, University Press, 1999) p. 242.

В данной работе проведено исследование влияния [20] J.A. Kash, J.C. Tsang, J.M. Hvam. Phys. Rev. Lett., 54, эффекта накопления полярных оптических фононов на (1989).

скорость рассеяния энергии горячих электронов в кван- [21] Горячие электроны в полупроводниках и наноструктутовых ямах. Предложенная простая модель расчета рах., под ред. Л.Е. Воробьева (СПб., Изд-во ГТУ, 1999) с. 5.

скорости рассеяния энергии с учетом неравновесных [22] Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.А. Зибик, Ю.В. Кочегаров, фононов хорошо описывает экспериментальные данные, Д.А. Фирсов, Е. Тове, В. Сан, А.А. Торопов, Т.В. Шубина.

полученные разными авторами. Установлено, что учет ФТП, 29, 1136 (1995).

неравновесных оптических фононов в теоретических [23] J. Shah. Phys. Rev. B, 54, 2945 (1985).

расчетах значительно улучшает соответствие результаРедактор Л.В. Шаронова тов теоретических и экспериментальных исследований Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем... Electron heating under strong longitudinal electric field in quantum wells L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, V.L. Zerova, D.A. Firsov St. Petersburg State Polytechnical University, 195251 St. Petersburg, Russia

Abstract

The processes of electron heating by a strong longitudinal electric field and losses of hot electron energy on polar optical phonons in GaAs/AlGaAs quantum wells are investigated. The simple model of calculations of the energy scattering rate on nonequilibrium optical phonons is suggested. Some experimental results on the charge carrier heating in quantum wells are considered and it is shown that taking into account nonequilibrium optical phonons significantly improves agreement between theoretical and experimental results.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.