WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

образцов характерна также инверсия спектрального по[7] А.А. Тонких. Г.Э. Цырлин, В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, ложения составляющих CQD и RQD и деполяризация В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устиполосы RQD при больших углах разориентации, когда нов, N.D. Zakharov, P. Werner. ФТП, 37 (12), 1456 (2003).

образование цепочек КТ вдоль складированных атомных Редактор Л.В. Беляков ступеней наиболее вероятно.

Заметим, что поляризационные особенности цепочек GaAs substrate misorientation effect КТ проявляются достаточно явно лишь при направлеon the properties of InAs quantum dots нии разориентации [011], когда атомные ступени па раллельны направлению [011]. Направления разориен- grown at low temperatures by MBE тации [001] (образцы 4 и 6) и [001] (образец 5) дают method зигзагообразные атомные ступени, ориентированные по A.A. Tonkikh,, G.E. Cirlin,, N.K. Polyakov, двум взаимно перпендикулярным направлениям [011] Yu.B. Samsonenko,†, V.M. Ustinov†, N.D. Zakharov, и [011]. При этом цепочки КТ становятся короче, а P. Werner, V.G. Talalaev,•, B.V. Novikov• результирующий вектор ориентации исчезает. Полоса RQD деполяризуется.

Institute for Analytical Instrumentation Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia 4. Заключение † Saint Petersburg Physico-Technical Science and Education Center Установлено, что рост InAs при низкой температуре of Russian Academy of Sciences, подложки GaAs сопровождается образованием класте195220 St. Petersburg, Russia ров квантовых точек InAs различной формы и размеров.

Max-Planck Institute of Microstructure Physics, При наличии протяженных атомных ступеней (вициD-06120 Halle (Saale), Germany нальные поверхности) КТ представляют собой стержни, • V.A.Fok Institute of Physics, которые могут формировать крупные конгломераты и Saint Petersburg State University, цепочки, вытянутые вдоль вицинальных ступеней. Из198504 Petrodvorets, Russia лучение последних, как правило, линейно поляризовано.

Рост InAs на сингулярной поверхности GaAs при 250C

Abstract

Structural and optical properties of InAs quantum dot приводит к формированию скоплений мелких островков arrays grown at low temperatures (250 and 350C) on the GaAs квадратной формы и сопровождается выстраиванием substrates having different misorientation angle are investigated.

квантовых точек вдоль дислокационных петель, что It is shown that low tempetature growth is accompanied by the приводит к снижению интенсивности ФЛ и к отсутствию formation of quantum dot clusters along the dislocation loops поляризованных полос в спектре. С повышением темпеfor singular substrates or along the vicinal surface steps for the ратуры роста (до 350C) исчезают петлевые дислокации misoriented substrates. The formation of the quantum dot clusters и появляются одиночные квантовые точки.

leads to the appearance of a new long wavelength band in the Данная работа выполнена при поддержке фонда photoluminescence spectra. Different polarization degree of the РФФИ (№ 05-02-17780), программы SANDiE и проphotoluminescence band for quantum dot clasters having different граммы президиума РАН „Низкоразмерные квантовые shapes and sizes is observed.

структуры“.

Список литературы [1] D. Bimberg, M. Grndmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N.Y., Wiley, 1999).

[2] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev.

Quantum dot lasers (N.Y., Oxford University Press, 2003).

[3] V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003).

[4] A.A. Tonkikh, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov, P. Werner. Phys. Status. Solidi B, 236, R1 (2003).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.