WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах © А.А. Тонких,¶, Г.Э. Цырлин,, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко,†, В.М. Устинов†, Н.Д. Захаров, P. Werner, В.Г. Талалаев,•, Б.В. Новиков• Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия † Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, 195220 Санкт-Петербург, Россия Max-Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle (Saale), Germany • Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Петродворец, Россия (Получена 5 октябpя 2005 г. Принята к печати 17 октября 2005 г.) Исследованы структурные и оптические свойства массивов квантовых точек InAs, выращенных на подложках GaAs при низких температурах (250 и 350C) и различной степени разориентации поверхности.

Показано, что низкотемпературный рост на сингулярной поверхности сопровождается формированием конгломератов квантовых точек вдоль петлевых дислокаций, а на разориентированной поверхности — вдоль ступеней, обусловленных вицинальностью поверхности. Образование конгломератов квантовых точек приводит к появлению новой длинноволновой полосы в спектрах экситонной фотолюминесценции.

Обнаружена различная степень поляризации спектральной полосы фотолюминесценции для конгломератов разных форм и размеров.

PACS: 68.65.Hb, 78.67.Hc, 73.63.Kv, 78.55.Cr 1. Введение ном слое GaAs при температурах осаждения 250 или 350C. После этого слой InAs заращивался при той Исследованиям механизмов формирования и свойств же температуре подложки тонким (5нм) слоем GaAs.

полупроводниковых квантовых точек посвящено больЗатем температура подложки повышалась до 550C, шое количество работ в связи с перспективами их и осаждался прикрывающий слой GaAs. Часть образприменения в новых оптоэлектронных приборах [1,2].

цов выращивалась на вицинальных подложках GaAs, Формирование островков InAs на поверхности GaAs разориентированных в направлениях [001], [011] на при выращивании методом молекулярно-пучковой эпиуглы 3, 5 и 7. Эффективная толщина InAs-слоя во всех таксии (МПЭ) происходит в режиме Странскогослучаях составляла 3 монослоя (МС), т. е. около 1 нм.

Крастанова. При этом типичные температуры роста Скорость осаждения InAs поддерживалась достаточно составляют 450-500C. В данном диапазоне темперанизкой (0.01 МС/с) для стимуляции поверхностной митур десорбция In с поверхности подложки невелика, грации адатомов In. При этом соотношение потоков Asа качество эпитаксиальных слоев достаточно хорошее и In составляло 100. Осаждение InAs на поверхс точки зрения приборных применений. Согласно теоность GaAs контролировалось с помощью системы диретическим расчетом [3], при понижении температуры фракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО).

роста происходит уменьшение размеров и увеличение Ростовые параметры исследуемых структур сведены в плотности квантовых точек, наблюдавшееся в ряде экстаблицу.

периментальных работ [4,5]. Однако диапазон более Исследование структурных свойств проводилось менизких температур 250-350C остается до сих пор мало тодом ПЭМ, в том числе высокого разрешения, на изученным. В связи с этим возникает вопрос — что электронных микроскопах JEM4010 и Philips CMбудет происходить с массивом квантовых точек при при ускоряющих напряжениях 400 и 200 кВ соответтаких температурах роста.

В настоящей работе этот вопрос детально исследуется методами просвечивающей электронной микроскоТемпература Угол Направление пии (ПЭМ) и фотолюминесценции (ФЛ). № осаждения разориентации разориентации образца InAs, C подложки, град поверхности 2. Эксперимент 1 250 0 2 250 7 [011] Исследуемые структуры выращивались на полуизо3 350 0 лирующих подложках GaAs методом МПЭ на уста 4 350 7 [001] новке ЭП1203. Слой InAs выращивался на буфер5 350 5 [001] ¶ 6 350 3 [001] E-mail: alex234@newmail.ru 604 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов, Н.Д. Захаров, P. Werner...

Рис. 1. ПЭМ-изображение в плане образца 1 (a —в отражении g(220), b —в отражении g(220)) и образца 2 (c —в отражении g(220), d —в отражении g(220)).

ственно. В ряде случаев ПЭМ-изображения поперечного 3. Результаты и их обсуждение сечения анализировались методом фурье-фильтрации.

При осаждении InAs во всех образцах наблюдалась При фильтрации использовались только прошедший пучок и 4 химически чувствительных отражения ти- характерная трансформация картин ДБЭО с линейчатых на точечные, что свидетельствовало об образовании на па {200}.

Исследования ФЛ проводились в стандартной lock- поверхности трехмерных островков InAs. Исследования in конфигурации при температуре образцов 300 K. Воз- структурных свойств выращенных образцов методом буждение осуществлялось Ar+-лазером на длине вол- ПЭМ также подтверждают присутствие в них InAs ны 488 нм. На выходе из 50 см монохроматора излучениe нановключений. На рис. 1 и 2 представлен контрастный детектировалось охлаждаемым Ge-фотоприемником с анализ структуры образцов 1 и 2, выращенных на синпорогом чувствительности, соответствующим 1.7 мкм. гулярной и вицинальной поверхностях соответственно.

При измерениях степени поляризации ФЛ образец вра- Темнопольные изображения структур были получены щался вокруг направления (100) относительно плоско- в планарной геометрии в отражениях (220) и (220).

сти поляризации луча лазера, падающего на образец Прежде всего следует отметить наличие черно-белого нормально. Излучение образца анализировалось поляри- контраста у всех нановключений, что свидетельствует о зационным фильтром, стоявшим перед входной щелью наличии деформаций решетки, вносимых этими струкмонохроматора. турными особенностями. Во всех случаях вектор дифраФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных... ражения следует, что средняя высота InAs кластеров составляет около 3 нм.

Причина выстраивания КТ в петли окончательно не ясна. Возможно, на начальном этапе происходит формирование большого InAs-островка, в котором упругие напряжения релаксируют путем формирования дислокационной петли. Затем большой островок разбивается на маленькие КТ, которые декорируют эту дислокационную петлю. Представленное на рис. 2, b изображение поперечного среза свидетельствует в пользу этой гипотезы.

Видно, что начальный и конечный концы контура Бюргерса, пересекающего границу раздела, не совпадают. На этом основании можно утверждать, что внутри этого контура есть дислокация с вектором Бюргерса a/2 110, наклонным к границе раздела. Последнее означает, что такая дислокация возникает в результате скольжения.

Таким образом, анализ ПЭМ-изображений позволяет Рис. 2. ПЭМ-изображения высокого разрешения поперечных установить, что в сингулярном образце 1 формирование сечений образца 1 после фурье-фильтрации: a —область с КТ конгломератов InAs происходит в ряде случаев вокруг InAs, b — область с петлевой дислокацией и обозначенным контуром Бюргерса. дислокационных петель, а в разориентированном образце 2 — вдоль вицинальных ступеней. Такие кластеры InAs состоят из нескольких десятков одиночных КТ.

Наблюдаемые структурные особенности массивов КТ ции g направлен от светлого к черному, что указывает проявляются весьма характерно в их спектрах ФЛ. На на внедренный тип этих особенностей. Таким образом, рис. 3 представлены спектры, полученные для образнановключения создают в матрице деформацию сжатия, цов 1 и 2. В спектре сингулярного образца 1 доминирует что вполне закономерно при образовании Inx Ga1-xAsполоса, связанная с рекомбинацией в объемном GaAs квантовых точек (КТ) в решетке GaAs.

с максимумом на 1.42 эВ. Кроме этого, в длинноволДругой особенностью наблюдаемого контраста явля- новой части спектра видна полоса AQD с максимумом ется наличие его периодической модуляции. В случае об- на 0.77 эВ. Следует отметить, что появление AQDразца 2, выращенного на вицинальной поверхности, мо- полосы является следствием низкотемпературного роста дуляции наблюдаются только в брэгговском отражении квантовых точек InAs. Как было показано ранее в [6,7], g(220) (рис. 1, c), направленном перпендикулярно атом- эта полоса соответствует рекомбинации экситонов в ным ступеням, тогда как в отражении g(220) (рис. 1, d) ассоциатах, состоящих из нескольких рядом стоящих КТ контраст пропадает. Это свидетельствует о том, что КТ InAs. В спектре ФЛ вицинального образца 2 (рис. 3, имеют вид стержней, ориентированных вдоль атомных кривая 2) полоса AQD доминирует. Помимо нее наблюступеней. Большая часть таких КТ объединена в конгломераты (обозначения A, B на рис. 1, c, d) с расстоянием около 8 нм между стержнями. Небольшая часть нановключений остается в виде „обычных“ одиночных КТ (обозначение C на рис. 1, c, d).

На темнопольных изображениях образца 1, выращенного на сингулярной поверхности (001), периодический контраст наблюдается в обоих отражениях и направлен перпендикулярно отражающему вектору g (рис. 1, a, b). Это говорит о том, что конгломераты образованы небольшими КТ, расположенными в узлах квадратной сетки с периодом порядка 8 нм. Хорошо видны петлеобразные конгломераты, образованные одиночными КТ. Изображение поперечного сечения одного из петлеобразных кластеров в образце 1 после фурьефильтрации представлено на рис. 2, a. Полосы решетки сдвинуты на половину периода внутри кластера относительно внешних полос. Темные линии, выделяющие КТ, приведены по геометрическому месту точек, в которых контраст от полос решетки пропадает, что соответствует Рис. 3. Спектры ФЛ образцов 1 (кривая 1) и 2 (кривая 2) при концентрации In, близкой к 20%. Из приведенного изоб- комнатной температуре.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 606 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов, Н.Д. Захаров, P. Werner...

Исследование поляризации спектра ФЛ низкотемпературных массивов КТ показывает, что полоса AQD во всех случаях практически неполяризована. Этот результат соответствует представлениям об образовании для конгломератов единой квантовой ямы большой мощности. Экситонные состояния в ней являются сильно локализованными в направлении роста. Для направлений в плоскости роста потенциал локализации экситонов в яме зависит от ориентации поверхности. Несмотря на то что широкие кластеры на вицинальной поверхности образованы КТ в виде стержней с выделенным направлением, экситоны в кластерах одинаково слабо локализованы для всех планарных направлений. Их излучение в полосе AQD соответственно деполяризовано (рис. 4). В петлеобразных конгломератах на сингулярной поверхности локализующий потенциал планарных направлений существенно больше. Однако из-за круговой симметрии конгломерат не имеет результирующего выРис. 4. Спектры ФЛ образца 2, измеренные для двух наделенного направления локализации экситонов. Поэтому правлений поляризации относительно вицинальных ступеней:

излучение в полосе AQD у сингулярных образцов также 1 —нормально, 2 — параллелльно.

деполяризовано.

Широкая коротковолновая полоса ФЛ (0.9-1.3эВ) у вицинального образца представляет собой комбинацию дается также полоса одиночных КТ InAs с максимумом двух составляющих (рис. 4). Первая, SQD-полоса, с на 1.15 эВ, которая не видна в образце 1.

максимумом на 1.15 эВ, деполяризована и соответствует Конгломераты КТ InAs могут рассматриваться как одиночным КТ InAs. Вторая, широкая полоса RQD, с массивы островков большой плотности. Рост плотномаксимумом на 1.05 эВ, имеет высокую степень полясти массива связан с уменьшением температуры роста, ризации, достигающую 90%. Мы связываем ее с обчто находит свое объяснение в рамках кинетической разованием цепочек КТ InAs, ориентированных вдоль модели [3]. Тот факт, что поверхность роста не полатомных ступеней. Потенциал локализации экситонов ностью покрыта островками InAs, является следствием в такой квантовой яме имеет выделенное направление, малого числа центров зарождения островков InAs. При соответствующее вицинальным ступеням.

низкой температуре роста центрами зарождения новых На рис. 5 приведены спектры ФЛ для образцов 3–6, островков могут являться: 1) зародыши, достигшие выращенных при более высокой температуре (350C) на критического размера; тогда новые островки начинаподложках с разными углами разориентации. Базовым ют образовываться рядом с уже сформировавшимися;

образцом для этой серии является образец 3, выращен2) несовершенства поверхности роста, в частности дислокационные петли и атомные ступени. В случае сингулярного образца зарождение островков происходит либо вокруг дислокационных петель (рис. 1, a, b — кластеры, отмеченные „D“), либо вокруг закритических зародышей, тогда формируются кластеры „E“ (рис. 1, a, b), не обладающие кольцевой геометрией. Дислокации являются весьма мощными каналами безызлучательной рекомбинации носителей. Их наличие в сингулярном образце, вероятно, обусловливает слабую интенсивность AQD-полосы, а указанный выше кластерный механизм роста — отсутствие в спектре ФЛ полосы одиночных КТ.

В вицинальном образце 2 центрами зарождения островков являются только атомные ступени. При этом выделенное направление — по нормали к направлению разориентации (вдоль атомных ступеней) — является преимущественным для формирования кластеров КТ.

Рост одиночных КТ в данном случае также возможен и имеет место на вицинальных террасах, образованных в результате складирования атомных ступеней. Поэтому в спектре ФЛ образца 2 наблюдаются обе полосы AQD и SQD(рис. 3, кривая 2). Рис. 5. Спектры ФЛ образцов: 3 (кривая 1), 6 (2), 5 (3) и4 (4).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных... ный на сингулярной поверхности. Важное отличие от об- [5] N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.M. Ustinov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, G.E. Cirlin, разца 1 заключается в отсутствии петлевых дислокаций Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 16, 502 (2001).

и, как следствие, в более высокой интенсивности ФЛ.

[6] M.V. Maximov, A.F. Tsatsulnikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Это является следствием более высокой температуры A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustiроста. Еще одним следствием этого является увеличение nov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, плотности одиночных КТ в образце 3. Благодаря этому I.P. Soshnikov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 75 (16), в спектре ФЛ появляестя SQD-полоса. Для этой серии (1999).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.