WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

при приложении напряжения, поскольку это изменение определяется достаточно малой емкостью барьера [13].

m m Однако существует ряд моментов, на которые необ- Bf 1 = µE - E0L, Bf 2 = µE - eV - E0L, (5) e e ходимо обратить внимание. Во-первых, в исследуемой системе существуют два 2DEG и каждый из них должен где m — эффективная масса электрона в GaAs. Из вырадавать вклад в осцилляции туннельной проводимости. жений (5) видно, что Bf 2 сильно зависит от напряжения Во-вторых, при изменении знака приложенного напря- смещения, а Bf 1 слабо изменяется, так как определяется Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 606 В.Г. Попов, Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, Д.К. Мауд, Ж.-К. Портал...

концентрацией электронов в 2DEG эмиттера. Концентра- [8] B. Deveaud, A. Chomette, F. Clerot, P. Auvray, R. Regreny, R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 7021 (1990).

ции электронов в 2D обогащенных слоях изменяются с [9] T. Suski, J. Smoliner, C. Gschlobl, W. Demmerle, G. Bohm, приложенным напряжением в соответствии с емкостью G. Weimenn. Proc. 5th Int. Conf. High. Pressure in барьера, поэтому Semiconductor Physics. (Kyoto, 1992) [Jpn. J. Appl. Phys.

32, Suppl. 32–1, 138 (1993)].

µE - E0L(V ) =µE -E0L(0) +CV /eG2D, [10] G. Rainer, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bhm, G. Weimann.

Phys. Rev. B, 51, 17 642 (1995).

где C — удельная емкость барьера, G2D — плотность [11] A. Nogaret, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, D.L. Sivco, состояний 2DEG. Расчетные прямые, приведенные на A.Y. Cho, G. Hill. Semicond. Sci. Technol., 8, 1810 (1993).

рис. 6, получены из выражений (5).

[12] Yu.V. Dubrovskii, Yu.N. Khanin, I.A. Larkin, S.V. Morozov.

Таким образом, наблюдение в наших экспериментах Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994).

только 2 периодов осцилляций мы связываем с су[13] L. Eaves, B.R. Snel, D.K. Maude, P.S.S. Guimares, D.C. Taylor, щественно различным уширением уровней размерного F.W. Troombs. Proc. Int. Conf. on Physics of Semiconductors квантования в прибарьерных, обогащенных слоях. В (Stockholm, World Scientific, 1986) p. 1615.

нашем случае осцилляции туннельной проводимости в Редактор Т.А. Полянская магнитном поле определяется уровнем E0L в обогащенном слое на ”нижней” стороне барьера (направление Electron tunneling between роста структуры ”вверх”), что совпадает с хорошо изtwo-dimensional systems вестным фактом более высокого качества 2DEG вблизи интерфейса, когда слои AlGaAs наращиваются на поверх- in heterostructure with single ность GaAs.

doped barrier V.G. Popov, Yu.V. Dubrovskii, V.V. Vdovin, Заключение Yu.N. Khanin, D.K. Maude, J.-C. Portal, T.G. Andersson†, J. Thordson† Проведенный анализ экспериментальных данных поInstitute of Microelectronics Technology RAS, зволяет утверждать, что все особенности электронного Chernogolovka, Moscow District, 142432, Russia транспорта в гетероструктурах с одиночным, легирован HMFL-CNRS, 38042 Grenoble Cedex, France ным барьером связаны с процессами туннелирования ме† Department of Physics, Chalmers University жду двумерными электронными системами, а транспорт of Technology, Gteborg, Sweeden электронов между двумерными слоями и трехмерными контактными областями вносит малое возмущение в

Abstract

Electron tunneling in heterostructure with single doped наблюдаемые особенности. Таким образом, были провеbarrier was investigated. Analysis of experimental data has shown дены исследования 2D–2D туннелирования в структурах, that all features in tunneling conductance are related to the в которых исключен транспорт электронов вдоль двумерtunneling between two-dimensional electron layers existed on both ных слоев.

side of the barrier due to the barrier donors ionisation. Electron Работа выполнена при частичной поддержке Государtransport between two-dimensional layers and three-dimensional ственных научно-технических программ ”Физика твердоcontacts regions do not distort the measured tunnel properties. In тельных наноструктур” (97-1057) и ”Физика квантовых these kind of sturctures a serial conductance along the 2DEGs is и волновых процессов”, направление ”Статистическая excluded from the measured signal.

физика” (V. 3), а также фондов: РФФИ (95-02-06310), ИНТАС–РФФИ (95-0849), CRDF (RC1-220).

Список литературы [1] H. Mizuta, T. Tanoue. The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes (Cambridge University Press, 1995).

[2] P. Cheng, J.S. Harris, Jr. Appl. Phys. Lett., 55, 572 (1989).

[3] M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci.

Technol., 6, 1021 (1991).

[4] W. Demmerle, J. Smoliner, G. Berthold, E. Gornik, G. Weimenn, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 44, 3090 (1991).

[5] E.E. Mendez, L.L. Chang. Surf. Sci., 229, 173 (1990).

[6] J.P. Eisenstein, L.N. Pfeifer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 69, 3804 (1992).

[7] K.M. Brown, N. Turner, J.T. Nicholls, E.H. Linfield, M. Pepper, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Phys. Rev. B, 50, 15 465 (1994).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.