WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Энергии hmax спектров всех ДКЯ с толщиной AlAs- В узких ямах, в которых энергетическое расстоябарьера d = 20 хорошо ложатся на расчетную кривую ние между первым и вторым электронными уровнядля асимметричных ОКЯ (штриховая кривая). Даже для ми велико, высокоэнергетические переходы могут быть ДКЯ с наименьшей шириной ям L = 65, в которой, обусловлены только заполнением более высоких дырочсогласно расчету, еще сохраняется незначительное рас- ных состояний. На рис. 4 приведены совмещенные по щепление электронных уровней, энергия перехода отли- положению максимумов спектры структур с одинаковой чается от расчетной энергии в асимметричной ОКЯ того шириной квантовых ям L = 65 : ОКЯ и двух ДКЯ с разже размера не более чем на 1-2 мэВ. Таким образом, ной толщиной AlAs-барьера. В спектрах ДКЯ с d = 20, можно считать, что при толщине AlAs-слоя d = 20 так же как и в спектре ОКЯ, с ростом температуры в исследованном диапазоне ширин ям 65-175 все проявляется один и тот же переход 1e-1lh, отстоящий ДКЯ представляют собой систему из двух изолирован- на 18-19 мэВ от основной полосы, что совпадает с расных асимметричных ям. четом для изолированных ям. В спектре связанных ДКЯ По мере уменьшения толщины AlAs-барьера (d = 10 с толщиной AlAs-барьера d = 5, в которых расстояние и 5 ) его туннельная прозрачность возрастает и в спек- между симметричными и антисимметричными состоянитрах ФЛ наблюдаются изменения, вызванные усилени- ями, возникшими вследствие расщепления первого элекем связи между электронными волновыми функциями тронного уровня, составляет 26 мэВ, увеличение темпев ДКЯ. Максимумы спектров сдвинуты относительно ратуры позволило выявить переходы с участием этих спектров ДКЯ с d = 20 в сторону более низких состояний. Стрелками на рисунке показаны расчетные энергий. При высоких температурах проявляются осо- значения энергий этих переходов. В спектре довольно бенности, связанные с расщеплением низших электрон- отчетливо проявляется переход между антисимметричных и дырочных уровней. В соответствии с расчетом ным электронным и симметричным дырочным уровнями Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs... [3] H. Kawai, J. Kaneko, N. Watanabe. J. Appl. Phys., 58 (3), (1985).

[4] K. Pozela, J. Pozela, V. Juciene. 9th Int. Symp. „Nanostructures: Physics and Technology“ (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 18.

[5] J. Leburton, T. Schmiedel, B.D. McCombe, A. Petrou, M. Dutta, P.G. Newman. J. Appl. Phys., 72, 4753 (1992).

[6] M. Bayer, V.B. Timofeev, F. Faller, T. Gudbrod, A. Forchel.

Phys. Rev. B, 54, 8799 (1996).

[7] G. Bastard, U.O. Ziemelis, C. Delalande, M. Voos, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Sol. St. Commun., 49, 671 (1984).

[8] С.В. Козырев, А.Я. Шик. ФТП, 19, 1667 (1985).

[9] А.В. Гук, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Ю.В. Хабаров. ФТП, 31, 1367 (1997).

Редактор Л.В. Шаронова Рис. 5. Спектры фотолюминесценции: 1 — ОКЯ 45, L = 260, T = 250 K; 2 — ОКЯ 51, L = 180, T = 210 K; 3 — ДКЯ 59, L = 175, d = 20, T = 210 K.

A study of photoluminescence spectra of AlGaAs / GaAs / AlGaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer eA-lhS, запрещенный в идеально проямоугольной яме.

G.B. Galiev, M.V. Karachevtseva, V.G. Mokerov, Наблюдение этого перехода можно объяснить наличиV.A. Strakhov, G.N. Shkerdin, N.G. Yaremenko ем встроенного поля, в присутствии которого правила отбора снимаются. Такое поле существует даже в нелеInstitute for Radioengineering and Electronics, гированных структурах за счет фоновой примеси [9].

Russian Academy of Sciences, В широких ямах становится возможным температур103907 Moscow, Russia ное заполнение второго электронного уровня. Переходы с этого уровня проявляются в высокотемпературных

Abstract

Photoluminescence spectra at (77-300) K of pairs of спектрах ФЛ структур с шириной ям 175 и Al0.21Ga0.79As / GaAs / Al0.21Ga0.79As quantum wells separated by (рис. 5).

a thin AlAs-barrier (double quantum wells) have been investigated.

The well widths varied from 65 to 175, AlAs-barrier thicknesses were 5, 10 and 20. The AlAs-barrier being sufficiently thin 5. Заключение (5, 10 ) and the well width sufficiently narrow, the coupling between quantum wells effect markedly on the subband energies.

Проведенные исследования показали, что This leads to shifting the photoluminescence main peak and при введении AlAs-барьера достаточно малой to the appearance on the high temperature spectra particular толщины (5, 10 ) в центр квантовой ямы features, associated with ground state splitting into symmetrical Al0.21Ga0.79As / GaAs / Al0.21Ga0.79As электронная связь and antisymmetrical states. Double quantum wells with между ямами в ДКЯ заметно влияет на энергетический AlAs-barrier are defined as uncoupled asymmetrical quantum спектр квантовых состояний, что приводит к смещению wells Al0.21Ga0.79As / GaAs / AlAs. The subband energies in the основной полосы ФЛ, а в высокотемпературных coupled double quantum wells were calculated as functions of спектрах — к появлению особенностей, обусловленных расщеплением уровней на симметричные и антисим- the well width and the AlAs-barrier thickness; good agreement between theoretical and experimental results was obtained.

метричные состояния. При толщине AlAs-барьера во всем исследованном диапазоне ширин ям ДКЯ представляет собой систему из двух изолированных ям с асимметричными барьерами AlGaAs / GaAs / AlAs.

Отсутствие связи между ямами подтверждается полным совпадением спектров ФЛ со спектрами одиночных ям того же размера. Получено хорошее согласие наблюдаемых в эксперименте энергий оптических переходов с расчетными значениями.

Список литературы [1] J. Pozela, V. Juciene, K. Pozela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1076 (1995).

[2] Z. Moussa, P. Boucaud, F.H. Julien, Y. Lavon, A. Sa` ar, V. Berger, J. Nagle, N. Coron. Electron. Lett., 31, 912 (1995).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.