WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Примесные центры q1 и q2 занимают в СКЯ соответ- На рис. 3 показана зависимость времени релаксации ственно положения ri и rj. при D = 0 все примеси от P и D, описываемая выражением (28). При P = 0 из находятся в одной КЯ. Матричный элемент экситон- (28) получаем примесного взаимодействия (24) имеет вид 2 i(0, D) =. (29) (P - P)2l42 e2D2M(D/l) (n1q2 +n2q2) | P |U(re, rh)|P |2 = exp 1 2 Расходимость в (29) при P 0 и D 0 вызвана 2 e n1q2 + n2q2 2D|P - P| 1 2 использованием неэкранированного потенциала взаимо 1 + exp P - P Sдействия e(h) и примеси. С ростом D время i(0, D) убывает быстрее, чем (0, D). При Pl/ 1 и D|P -P| [P, P ]lPD/ 1 транспортное время релаксации не зависит - 2exp - cos. (27) от P и D:

Используя (7), (27), находим время релаксации магниi. (30) тоэкситона 23/2l(n1q2 + n2q2) 1 2 На рис. 4 показана длина свободного пробега магни1 e E(P, D) -1 P2l= exp 2 тоэкситона в поле примесей, случайно распределенных i(P, D) 2 2P Pв СКЯ. С ростом D/l максимум i(P, D) постепенно уменьшается.

P2l2 cos (n1q2 + n2q2) exp 1 5. Заключение 2PD 2 - 2cos 1 + exp - Рассмотрены низкотемпературные транспортные свойства экситона, электрон и дырка которого находятся в одной квантовой яме типа GaAs/AlxGa1-xAs, либо в разPD 2 - 2cos -2exp личных пространственно разделенных квантовых ямах, в сильном поперечном магнитном поле. В борновском приближении рассчитаны транспортные времена релаксации P2lcos sin d. (28) прямого и непрямого магнитоэкситона при рассеянии на Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Транспортные свойства магнитоэкситона в связанных квантовых ямах поверхностных террасах и примесных центрах в СКЯ. [20] V. Halonen, T. Chakraborty, P. Pietilinen. Phys. Rev., 45, (1992).

Время релаксации прямого МЭ с импульсами Pl/ [21] Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Е.Л. Ивченко, В.Л. Коренев, определяется рассеянием на поверхностных террасах, Ю.Г. Кусраев, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, так как в этом случае время релаксации на ионах А.Ф. Цацульников. Письма ЖЭТФ, 65, 766 (1997).

примеси i, (P) является немонотонной функцией [22] R. Grousson, V. Voliotis, N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux, P, обнаруживающей максимум с импульсом P = 2.6 /l.

C. Deparis. Phys. Rev., 55, 5253 (1997).

Увеличение расстояния D между квантовыми ямами e [23] В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, и h или магнитного поля приводит к уменьшению, а Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорязатем к исчезновению максимума (P, D) при рассеянии доченных полупроводников (М., Наука, 1981) с. 125.

на поверхностных террасах. Одновременно происходит [24] B. Rejaei Salmassi, G.E.W. Bauer. Phys. Rev. B, 39, уменьшение транспортного времени релаксации непря(1989).

мого магнитоэкситона в состоянии с произвольным P Редактор Л.В. Шаронова в согласии с экспериментом [1]. При D/l, большем некоторого критического, время релаксации на поверхMagnetoexciton transport properties ностных террасах и примесях является монотонно возin coupled quantum wells растающей функцией P. Средняя длина свободного пробега прямого и непрямого магнитоэкситона является Yu.E. Lozovik, A.M. Ruvinsky немонотонной функцией P, обнаруживающей максимум при P = 0, величина которого уменьшается с ростом Institute of Spectroscopy, D/l. Длина свободного пробега МЭ при рассеянии на Russian Academy of Sciences, примесях по порядку величины оказывается меньше, чем 142092 Troitsk, Russia при рассеянии на поверхностных террасах. Moscow State Institute for Steel and Alloys, Department of Theoretical Physics, Работа поддержана Российским фондом фундамен117936 Moscow, Russia тальных исследований, ИНТАС и программой ”Физика твердотельных наноструктур”.

Abstract

The transport relaxation time (P) (P — magnetoexciton momentum) and the mean free path of a magnetoexciton in quantum well and both direct and indirect magnetoexcitons Список литературы in coupled quantum wells are calculated. We present results [1] L.V. Butov, A. Zrenner, G. Abstreiter, G. Bhm, G. Weigmann. for the magnetoexciton scattering in a random field of quantum Phys. Rev. Lett., 73, 304 (1994). well fluctuations and in the presence of ionized impurities. The [2] L.V. Butov, A. Zrenner, G. Abstreiter, A.V. Petinova, K. Eberl. (P) time depends nonmonotonously on P. The increase of Phys. Rev. B, 52, 12 153 (1995). well spacing D leads to under gradual vanishing of the maximum [3] M. Bayer, V.B. Timofeev, F. Faller, T. Gutbrod, A. Forchel. max(P) a scattering on surface terraces. With the magnetic field Phys. Rev. B, 54, 8799 (1996). increase (0) decreases as 1/ H for D l and as 1/H[4] Ю.Е. Лозовик, В.И. Юдсон. Письма ЖЭТФ, 22, вып. 11, for D l (l = c/eH is the magnetic lenght). The 556 (1975).

calculated values of in high magnetic field are in qualitative [5] Ю.Е. Лозовик, В.И. Юдсон. ЖЭТФ, 71, 738 (1976).

agreement with experimentally observed excitonic transport data.

[6] Ю.Е. Лозовик, О.Л. Берман. ЖЭТФ, 111, 1879 (1997).

The magnetoexciton mean free path has a maximum at P = [7] Ю.Е. Лозовик, М.В. Никитков. ЖЭТФ, 111, 1107 (1997).

which decrease as D/l increases.

[8] И.В. Лернер, Ю.Е. Лозовик. ЖЭТФ, 78, 1167 (1980).

E-mail: lozovik@isan.troitsk.ru [9] Yu.E. Lozovik, A.M. Ruvinsky. Phys. Lett. A, 227, 271 (1997).

[10] Л.В. Келдыш, А.Н. Козлов. ЖЭТФ, 54, 978 (1968).

[11] Ж.С. Геворкян, Ю.Е. Лозовик. ФТТ, 27, 1800 (1985).

[12] T. Takagahara. Phys. Rev. B, 31, 6552 (1985).

[13] H. Hillmer, A. Forchel, S. Hansmann, M. Morohashi, E. Lopez, H.P. Meier, K. Ploog. Phys. Rev. B, 39, 10 (1989).

[14] P.K. Basu, P. Ray. Phys. Rev. B, 44, 1844 (1991).

[15] А.И. Ансельм, Ю.А. Фирсон. ЖЭТФ, 1, 151 (1995).

[16] V.M. Agranovich, M.D. Galanin. In: Electronic Excitation Energy Transfer in Condensed Matter, [Ser. Modern Problems in Condensed Matter Science, v. 3, ed. by V.M. Agranovich, A.A. Maradudin (North–Holland, Amsterdam, 1982) chap. 5].

[17] A.B. Dzyubenko, G.E.W. Bauer. Phys. Rev. B, 51, 14 (1995).

[18] A. Zrenner, L.V. Butov, M. Hagn, G. Abstreiter, G. Bhm, G. Weigmann. Phys. Rev. Lett., 72, 3382 (1994).

[19] M. Tanaka, H. Sakaki. J. Cryst. Growth, 81, 153 (1987).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.