WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

для GaAs значение энергии активации акцепторных со[3] А.Я. Вуль, С.В. Кидалов. ФТП 20, 451 (1966).

стояний Ge равным 1|GaAs =(38.2±0.2) мэВ, используя [4] Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская. ФТП, 21, 1737 (1987).

(5) и приведенные выше значения m = mhh|GaAs, полу[5] K. Sigiyama, H. Saito. Japan. J. Appl. Phys., 11, 1057 (1972).

чим [6] R.E. Nahory, M.A. Pollak, J.C. SeWinter, B.F. Williams. J. Appl.

a|GaAs Ge =(14.7 ± 1.2), B Phys., 48, 1609 (1977).

[7] D.N.J. Hurle. J. Phys. Chem. Sol., 40, 647 (1979).

а для GaAs0.94Sb0.06, считая 1|GaAsSb = (29 ± 5) мэв и [8] F.E. Rosztoczy, F. Ermanis, I. Hayashi, B. Schwartz. J. Appl.

m = mhh|GaAs, получаем Phys., 41, 264 (1970).

[9] C. Constantinescu, I. Petrescu-Prahova. J. Phys. Chem. Sol., a|GaAsSb Ge =(17 ± 2.4).

B 28, 2397 (1967).

[10] Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, В.В. Чалдышев, Ю.В. ШмарВ результате оценка критической концентрации дырок в цев. Тез. докл. V Всес. совещ. по исследованию арсенида соответствии с равенством (3) дает галлия (Томск, 1982) с. 62.

[11] Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводpc =(0.26/a)B никах (М., Мир, 1964) гл. 3, §§2–5.

[12] Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская. ФТП, (5.5 ± 1.6) · 1018 см-3 для GaAs Ge, 22, 381 (1988).

= (3.6 ± 2) · 1018 см-3 для GaAs0.94Sb0.06 Ge. [13] В.В. Чалдышев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1984).

[14] А.Г. Забродский. ФТП, 11, 595 (1977).

[15] А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984).

Здесь погрешность в определении pc велика, так как [16] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства состоит из 3-х слагаемых:

легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

pc 3 m [17] И.В. Даховский, Т.А. Полянская, Л.Г. Самойлович, = 3 + +.

Ю.В. Шмарцев. ФТП 4, 2165 (1970).

pc 2 m [18] P.P. Edwards, M.I. Sienko. Phys. Rev. B, 17, 2575 (1978).

Переход металл–диэлектрик в твердых растворах [19] N.A. Mora, S. Bermon, J.J. Loferski. Phys. Rev. Lett., 27, (1971).

GaAs1-xSbx ранее не исследовался. В работе [19] при[20] Т.Ю. Бильгельдеева, Дисс. канд. ф.-м. наук. (Л., ЛПИ, водится значение pc = 2 · 1018 см-3, полученное для 1988); Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская, арсенида галлия p-типа, легированного Zn. Авторы [19] Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов. Тез. докл. V Всес. конф.

исследовали аномалии туннельной проводимости кон”Тройные полупроводники и их применение” (Кишенев, тактов Pb/GaAs и оценили pc как концентрацию, при 1987) с. 173.

которой полуширина дифференциальной вольт-амперной Редактор Т.А. Полянская Первое из указанных положений нашло подтверждение в наших исследованиях аномального магнитосопротивления при T = 4.2K в GaAs1-xSbx при 0 < x < 0.085 [12].

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 592 Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская Electrophysical properties of germanium–doped p-GaAs1-xSbx solid solutions T.Yu. Allen, T.A. Polyanskaya A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Peterburg, Russia at this time: Physics Department;

University of Tennessee at Chattanooga, Chattanooga TN 37403, USA

Abstract

Germanium–doped layers of p-GaAs1-xSbx (x = 0 0.1; NGe = 0.01 10 at%; hole concentration (0.06 40) 1018 cm-3) grown by liquid phase epitaxy have been investigated. It was found that at the same Ge concentration in the liquid phase the hole concentration in the solid solition is twice as that in GaAs, regardless of Sb content. Activation energy of the Ge acceptor as well as the critical concentration for the metal–insulator transition were found to be 1 = (22 ± 2) meV and pc =(3.9 ±0.3) 1018 cm-3 respectively.

e-mail: pta@nano.ioffe.rssi.ru (T.A. Polyanskaya) tbilgild@utcvm.utc.edu (T.Yu. Allen) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.