WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

экспериментальных данных.

На рис. 4, a приведены экспериментальные данные, а на рис. 4, b — результаты расчета по предложенАвторы считают своим приятным долгом выразить ной модели. Видно, что результаты в целом достаблагодарность д-ру А.Н. Короткову за ряд полезных точно неплохо согласуются при T = 300 и 77 K. Прозамечаний по модели, описанной в данной статье.

иллюстрированные на рис. 4, b данные получены при следующих основных исходных параметрах структуры: Работа выполнена при частичной финансовой подN = 5, расстояние между островками 1.5 нм, остров- держке Республиканских программ научных исследоваки одинаковые с размерами 2.5 2.5 нм. Таким обра- ний: „Электроника“, „Наноэлектроника“ и гранта Минизом, расстояние от истока до стока бралось 21.5 нм стерства образования Республики Беларусь.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Модель многоостровковых одноэлектронных цепочек на основе метода Монте-Карло Список литературы [1] Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987).

[2] Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989).

[3] M.V. Fishetti, S.E. Laux. Phys. Rev. B, 38 (14) 9721 (1988).

[4] M.V. Fishetti, S.E. Laux. IEEE Trans., ED-38 (3), 650 (1991).

[5] H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr. IEEE Trans., ED-(10), 1898 (2000).

[6] Single charge tunneling: Coulomb blocade phenomena in nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret. [NATO ASI Ser. B: Physics (N.Y., Plenum, 1992) v. 294].

[7] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 33 (11), 1388 (1999).

[8] Н.С. Бахвалов, Г.С. Казача, К.К. Лихарев, С.И. Сердюкова.

ЖЭТФ, 95 (3), 1010 (1989).

[9] R.H. Chen, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. App. Phys. Lett., 68 (14), 1954 (1996).

[10] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000).

[11] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 34 (8), 1014 (2000).

[12] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 35 (4), 489 (2001).

[13] И.И. Абрамов, С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик. ФТП, 36 (10), 1272 (2002).

[14] S. Altmeyer, A. Hamidi, B. Spangenberg, H. Kurz. J. Appl.

Phys., 81 (12), 8118 (1997).

[15] H. Ahmed. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (6), 2101 (1997).

Редактор Л.В. Беляков A model of multiple-island single-electron arrays based on Monte-Carlo method I.I. Abramov, S.A. Ignatenko, E.G. Novik Belarussian State University of Informatics and Radioelectronics, 220027 Minsk, Belarus

Abstract

A two-dimensional model of multiple-island single-electron arrays based on a numerical solution of the Poisson equation alongside with a Monte-Carlo method was proposed. By comparing results of current-voltage characteristics simulation with experimental data the model is shown to be adequate. Making use of the model, it was illustrated that one has a possibility to restore a number of geometric parameters for a single-electron device structure, which are not easily identified experimentally.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.