WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

с использовнием (14), часто значительно отличаются [22] W. Ungier, M. Suffczynski, J. Adamowski. Phys. Rev. B, 24, от, приведенных другими авторами, что затрудняет 2109 (1981).

корректное сравнивание результатов.

[23] M. Suffczynski. Phys. Lett., 24A, 453 (1967).

Расчеты показали, что слагаемые, происходящие от [24] J.L. Merz, H. Kukimoto, K. Nassau, J.W. Shiever. Phys. Rev.

недиагональных частей гамильтониана (1)–(3) и соответB, 6, 545 (1972).

ствующие учету вырождения верхней валентной зоны, [25] G. Babonas., A. Sileika. Phys. St. Sol., 42, 577 (1970).

дают вклад 10–30% в энергию связи комплексов во [26] Г.Л. Бир, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. ФТТ, 14, многих кристаллах, что оправдывает отход от модельной (1972).

зонной структуры и введения усредненной эффективной [27] А.Н. Лобаев, А.П. Силин. ФТТ, 24, 1457 (1982).

массы дырки. Такой вклад оказался особенной суще- [28] E.J. Johnson, H.Y. Fan. Phys. Rev., 139, A 1991 (1965).

[29] Оптические свойства полупроводников. под ред.

ственным в кристаллах ZnS, InAs, GaP, AlSb, GaSb, AlAs Р.К. Уиллардсона, А.С. Бира (М., Мир, 1970) с. 488.

для ЭПК экситон + A-, в кристаллах SiC, ZnTe, ZnS для [30] А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 12, 1047 (1978).

ЭПК экситон + D+, в кристаллах GaAs, ZnS, Si, CdTe, [31] M. Cardona. J. Phys. Chem. Sol., 24, 1543 (1963).

GaP, GaSb, ZnSe для ЭПК экситон + A0. В случае ЭПК [32] В.Н. Демьянков, С.М. Зубкова, К.Б. Толпыго, В.Г. Филин.

экситон + D0 вклад от членов, связанных с вырождением ФТТ, 25, 3114 (1983).

валентной зоны, оказался пренебрежимо малым во всех Редактор В.В. Чалдышев исследованных кристаллах.

Из табл. 1 видно, что энергии ЭПК с D+ и DThe binding energies очень близки по величине, причем энергия комплекса of the exciton-impurity complexes экситон + D+ больше энергии комплекса экситон + D0 в среднем на 5–7%. Для комплексов с A- и A0 имеет место in semiconductors with diamond значительно больший разброс энергий связи.

and sphalerite type structures Для дальнейшего улучшения расчетов необходимо S.M. Zubkova, E.V. Smelyansky, E.I. Shulzinger учесть спин-орбитально отщепленную валентную зону, Institute of Materials Science Problems, что особенно актуально для легких кристаллов (Si, SiC, ZnS), в которых величина спин-орбитального рас- National Academy of Sciences of Ukraine 252680 Kiev, Ukraine щепления сравнима с энергией связи локализованного состояния. В этом случае необходимо решать систему шести дифференциальных уравнений в частных произ-

Abstract

The binding energies of four complexes: exciton + ionized impurity and exciton + neutral impurity are calcuводных [32].

lated by the variational method taking into account the upper fourfold degenerate valence band in semiconductors with diamond Список литературы and sphalerite type structures. The numerical calculations are made for exciton-impurity complexes in some srystals of AIIBVI, AIIIBV, [1] M.A. Lampert. Phys. Rev. Lett., 1, 450 (1958).

AIVBIV-types.

[2] J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev., 122, 35 (1961).

Fax: (380–44) 444–20–[3] D.G. Thomas, J.J. Hopfield. Phys. Rev., 128, 2135 (1962).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.