WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

ки к энергиям продольных акустического и оптическоРабота выполнена при поддержке Российского фонда го фононов [25]. Других особенностей, связанных с фундаментальных исследований (проект 94-06258-a), а резонансным взаимодействием фононов с состояниями ванье-штарковской лестницы в 4H, не обнаружено. Это также программы МНТП ”Физика твердотельных наноможно объяснить тем, что условие сильной локализации структур” (проект 1-003).

в политипе 4H, имеющем значительно более широкую, чем в 6H, первую минизону, выполняется при более Список литературы сильных полях. В частности, указанное условие может не выполняться при штарковской энергии, соответству[1] Л.Э. Гуревич. Матер. VI Зимней школы ФТИ ющей энергии поперечного акустического фонона.

им. А.Ф.Иоффе (Л., 1971) с. 175.

Отсутствие особенности, связанной с полной локали- [2] G.D. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960).

зацией первой минизоны, можно объяснить тем, что в [3] A. Rabinovitch, J. Zak. Phys. Rev. B, 4, 2358 (1971).

[4] D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 7353 (1987).

силу большой ширины первой минизоны в 4H условие [5] L. Kleiman. Phys. Rev. B, 41, 3857 (1990).

(4) выполняется только при очень сильном электри[6] L. Esaky, R. Tsu. IBMJ. Res. Dev., 14, 61 (1970).

ческом поле, превышающем ограничение, связанное с [7] D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987).

лавинным пробоем. Вместе с тем нельзя утверждать, [8] R. Tsu, G. Dohler. Phys. Rev. B, 12, 680 (1975).

что проведенные измерения содержат полную картину [9] Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 148 (1972).

развития процесса ВШЛ в политипах 4H и 6H. Дальней[10] P. Voisin, J. Bleuse, C. Blouch, S. Gailard, C. Alibert, шее совершенствование экспериментальной методики и A. Regreny. Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988).

качества экспериментальных структур может привести к [11] A. Sibille, J.F. Palmier, H. Wong, J.C. Esanault, F. Mollot. Phys.

обнаружению новых эффектов.

Rev. Lett., 64, 52 (1990).

[12] F. Bettram, F. Capasso, D. Sivco, A. Hutchinson, S. Chu, A. Cho. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990).

Заключение [13] E. Biderman. Sol. St. Commun., 3, 343 (1965).

[14] G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol.

В данной работе впервые получены результаты, ко(b), 57, 423 (1973).

торые содержат наиболее подробную характеристику [15] А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санэлектронного транспорта в условиях развития процесса кин. ФТП, 17, 1093 (1983).

ВШЛ. Не случайно, что эти результаты получены на [16] В.И. Санкин, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин. ФТП, 18, естественной СР карбида кремния, которая свободна от (1984).

серьезных недостатков, присущих даже наиболее совер- [17] Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, шенным искусственным СР. А.Д. Роенков. ФТП, 19, 814 (1985).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 584 В.И. Санкин, И.А. Столичнов [18] В.И. Санкин, А.В. Наумов, А.А. Вольфсон, М.Г. Рамм, Л.М. Смеркло, А.В. Суворов. Письма ЖТФ, 15, 43 (1989).

[19] В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16, 91 (1990).

[20] V. Sankin, A. Naumov. Superlat. Microstruct., 10, 353 (1991).

[21] В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17, 38 (1991).

[22] А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968).

[23] В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1191 (1975).

[24] V.I. Sankin, D.P. Litvin, Yu.A. Vodakov. Springer Proc. in Phys., 56, 225 (1991).

[25] Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1847 (1975).

Редактор В.В. Чалдышев Electronic transport under Wannier–Stark localization in silicon carbide politypes V.I. Sankin, I.A. Stolichnov A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.