WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[14] И.Н. Котельников, Д.К. Чепиков, Е.Г. Чиркова, А.Я. Шульман. ФТП, 21, 1854 (1987).

Переходя к основной цели наших исследований — [15] R. Stratton, F.A. Padovani. Sol. St. Electron, 10, 813 (1967).

проверке применимости модели Альтшулера, Ароно[16] Л.В. Шаронова, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, В.Н. Кава [1–3], объясняющей нулевую аномалию в туннельной ряев, Л.А. Зайцева. ФТП, 22, 93 (1988).

проводимости слабо разупорядоченных проводников, к Редактор Л.В. Шаронова описанию такого же явления в барьерах Шоттки, следует отметить малую величину аномального вклада в туннельное сопротивление, наблюдаемого для наших структур Au/n-GaAs1-xSbx. На рис. 3 показано изменение проводимости G = G(V)-G(0) в области нулевой аномалии в зависимости от |V| для 2-х образцов, для которых ее удалось выделить с достаточной точностью. Как видно из рисунка, зависимость G(V) в области аномалии подчиняется закономерности (2). На наш взгляд, это свидетельствует о том, что и в туннельной проводимости барьеров Шоттки проявляется квантовая поправка к плотности состояний Альтшулера–Аронова (1), несмотря на то что теория [1–3] была сформулирована для контактов со слабо разупорядоченными металлами.

5 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 578 Т.А. Полянская, Т.Ю. Аллен, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов, И.Г. Савельев Differential resistance of Au/GaAs1-xSbx tunneling contacts.

I. Contacts to n-GaAs1-xSbx T.A. Polyanskaya, T.Yu. Allen, Kh.G. Nazhmudinov, S.G. Yastrebov, I.G. Savel’ev A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Current–voltage characteristics and differential resistance R(V ) =dV /dI of tunneling contacts Au/GaAs1-xSbx were studied. The Shottky barriers were formed on n-GaAs1-xSbx epitaxy layers, which were not subject to doping specially, within (0.01 < x < 0.125) range. It has been shown that R(V) dependencies over the ranges of electron densities [2 · 1018 < n < 7 · 1018 cm-3] and temperatures [4.2 < T < 295 K] are well described by the theory of tunneling, using a self-consistent calculation potential of Shottky barrier. In the field of the zero-bias anomaly the conductance G(V ) =(dV /dI)-varies as a square root function of the bias voltage V. It agrees well with the Altshuler–Aronov theory for quantum corrections to the density of states at Fermi level in disordered metals. Corrections arise due to peculiarities of electron–electron interactions.

E-mail: pta@nano.ioffe.rssi.ru (T.A. Polyanskaya) tbilgild@cecasun.utc.edu (T.Yu. Allen) Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.