WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[4] W.J. Moore, R.J. Henry, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 46, (1992).

[5] Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 1045 (1997).

[6] Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965).

[7] Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 29, 108 (1995).

Редактор В.В. Чалдышев На опыте наблюдается относительно слабая нелинейность рекомбинации избыточных электронов и дырок, т. е. сравнительно слабые зависимости n, p иld от L (в частности, n1, p1 L-0.25). Отмеченное приводит к тому, что полученный нами вид экспериментальных зависимостей I1, I2 = (L) несколько отличается от рассмотренного выше теоретического вида (см. соотношения (5) и (6)). На опыте (см. рис. 3) I1 L1.6 при любых L, а I2 L1.1 при L < 3·1022 кв/см2 ·с иI2 L1.при L > 3 · 1022 кв/см2 · с. Точка перегиба зависимости I2(L), как ожидалось, наблюдается при L = L2 = 2p0ld2/p2 = 3 · 1022 кв/см2 · с (см. рис. 3), т. е. при p2(0) =L2p2/ld2 =1.5 · 1017 см-3 = 2p0.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.