WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

уменьшением концентрации [VTe] и с резким снижением удельного сопротивления (рис. 2, кривые 2, 4). При этом концентрация кислорода скачком достигает преформе кислород может входить при росте кристаллов дела растворимости этой примеси в твердом растворе твердых растворов Cd1-xZnxTe как дефект Oi (+V), замещения при большом избытке Cdi (рис. 2, кривая 5) компенсирующий объемное несоответствие электроней- и одновременно испытывает резкое усиление полоса трального центра ZnCd (-V). В решетке акцептор- 800 нм (рис. 2, кривая 4).

ный кислород Oi компенсирует собственные доноры, Все эти данные подтвердждают сделанное выше предпо-видимому, VTe [11], причем некоторое уменьшение положение о смене типа дефектности в конце монокриконцентрации [VTe] в центральной части слитка (рис. 2, сталлической зоны роста слитка с переходом кислорода Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. Зависимость свойств кристаллов Cd1-xZnxTe от типа собственных точечных дефектов... в узлы решетки Oi OTe с заполнением VTe. Избыток [9] E. Rzepka, A. Lusson, A. Riviere. J. Cryst. Growth, 161, (1996).

металла в кристалле теперь определяется дефектами Cdi.

[10] Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН СССР, 68, 147 (1973).

Основной причиной смены типа дефектности перехода [11] Л.Д. Назарова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1995).

и Oi OTe является уменьшение количества цен[12] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Д.П. Налитров ZnCd, которые первоначально удерживали кислород вайко. Матер. докл. Межд. науч.-техн. сем. (М., МЭИ, в междоузлиях, а также накопление Cd в расплаве.

1998) с. 238.

Сопротивление слитка резко падает, когда исчезают ак[13] Н.К. Морозова, И.А. Каретников. ЖПС, 65, 394 (1998).

цепторы Oi в концентрации 1019 см-3 с переходом кисло[14] Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов и др. Сульфид цинка.

рода в узлы решетки и возникают мелкие собственные Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987).

доноры Cdi вместо VTe.

[15] Н.К. Морозова, В.С. Зимогорский, А.В. Морозов. Неорг.

Анализ полученных результатов позволяет заключить матер., 29, 1014 (1993).

следующее. [16] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук и др.

Неорг. матер., 35, вып. 4 (1999).

- Рост монокристаллов Cd1-xZnxTe с избытком металла более или порядка 6 · 1020 см-3 (по данным МА) и Редактор Т.А. Полянская высоким удельным сопротивлением до 1010 Ом · см осуществляется при отношении концентраций [Cd] [Zn] Dependence of properties of crystals с компенсацией собственных доноров межузельным киCd1-xZnxTe from a type of intrinsic point слородом в концентрации [Oi] порядка 1019 см-3.

defects and forms of presence of oxygen - С увеличением соотношения [Cd] [Zn] > 3 в кристаллах изменяется тип преобладающих точечных дефекN.K. Morozova, I.A. Karetnikov, V.V. Blinov, тов VTe Cdi, а также концентрация и форма присутV.K. Komar, V.G. Galstan, V.S. Zimogorskiy ствия основной фоновой примеси кислорода Oi OTe, Moskow Energy Institute (Technical University), в результате чего сопротивление падает на 8 порядков 111250 Moskow, Russia величины.

Результаты исследования спектров катодолюми

Abstract

The complex research of spectra cathodoluminescence, несценции могут быть использованы как оптический microstructure, specific resistance and presence of oxygen has метод контроля качества кристаллов Cd1-xZnxTe, allowed to reveal dependence of electrical properties and degrees пригодных для датчиков ионизирующих излучений.

of perfection of a crystalline lattice from the form of presence of Контроль предполагает присутствие в КЛ при T = 80 K oxygen and such as intrinsic point defects. It is revealed, that высокоинтенсивных полос = 1200 (1500) нм при depending on a ratio [Cd] [Zn] in crystals the type of point defects низкой интенсивности самоактивированного свечения в and form of presence of main background impurity of oxygen области 800 нм. Соотношение интенсивностей varies. The optimum composition for creation of gauges, for want полос при = 1200 (I1200) и 800 нм (I800) of which crystal most resistance is determined: Cd0.77Zn0.23Te.

составляет I1200/I800 102. Для оптимального состава Cd0.77Zn0.23Te положение экситонной полосы соответствует = 722-723 нм при T = 80 K или = 754-755 нм при T = 300 K.

Список литературы [1] R. Sudharsanan, K.B. Parnharm, N.H. Karam. Proc. Conf.

”Laser Focus World” (June, 1996) p. 199.

[2] J.F. Butler, F.P. Doty, B. Apotovsky. Mater. Sci. Eng. (B), 16, 291 (1993).

[3] V.K. Komar, H. Hermon, M.S. Goorsky et al. Semiconductors for Room Temperature Radiation Detector applications II, ed. by R.B. James (Pittsburgh, PA, 1998). [Mater. Res. Soc., 487 (1998)].

[4] Н.К. Морозова, Л.Д. Назарова, И.А. Каретников. ФТП, 29, 1678 (1995).

[5] Практическая растровая электронная микроскопия, под ред. В.И. Петрова (М., Мир, 1978).

[6] В.С. Зимогорский, Н.А. Караванов, Н.К. Морозова и др.

Новости ИАИ, 66, 22 (1989).

[7] K.Y. Lay, N.C. Giles-Taylor, J.F. Schetzina, K.J. Bachmann. J.

Electrochem. Soc., 133, 1049 (1986).

[8] F.P. Doty, J.F. Butler, J.F. Schetzina, K.A. Bowers. J. Vac. Sci.

Technol. (B), 10, 1418 (1992).

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.