WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Arrhenius dependencies are close to those of HL2andHL5centers;

[8] A. Mitoneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, this allows us to identify these centers presumably as HL2andHL5.

(1977).

[9] Landolt-Brstein. New Series, v. 22b: Impurities and Deep In samples grown in argon only one deep level center was found, Defects in Group IV Elements and III–V Compounds which represents a hole trap. Presumably, it can be a AsGa antisite.

(Springer Verlag, 1989).

[10] J.C. Bourgoin, H.T. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988).

[11] D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, (1985).

[12] F. Hasegava, A. Majerfield. Electron. Lett., 11, 286 (1975).

[13] M. Kleverman, P. Omling, L.-A. Ledebo, H.C. Grimmeis. J.

Appl. Phys., 54, 814 (1983).

[14] G. Lagovski, D.G. Lin, T.P. Chen, M. Skowronski, H.G. Gatos.

J. Appl. Phys., 47, 929 (1985).

[15] C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977).

[16] В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975).

[17] L.S. Berman. Purity Control of Semiconductors by the Method of Capacitance Transient Spectroscopy (St.Petersburg, 1995).

[18] С.И. Пономарев, А.Б. Райцын, Т.В. Россина, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Тез. докл. 7-й Всес. конф.

по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986) ч. 2, с. 246.

Редактор Л.В. Шаронова 4 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.