WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

данных, приведенных на рис. 4, решение уравнения (5) Здесь F0 —исходное (до облучения) положение уровня для определения положения EB и соответствующие Ферми в полупроводнике. По аналогии с легированием решения для расчета энергетического положения уровня материала путем введения химических примесей вы- локальной электронейтральности ELNL в моделях [2,9] сокоэнергетическое облучение может рассматриваться находятся вблизи точки перегиба функции Грина. Это как процесс „легирования“ полупроводника путем вве- объясняет корреляцию расчетных данных табл. 1 при дения РД, как это отмечалось некоторыми авторами [26]. различных модельных подходах к проблеме закрепления 4 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 564 В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин уровня Ферми в полупроводниках. Уровень EB являет- [26] В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП 34 (2), 129 (2000).

ся универсальным энергетическим уровнем, единым во [27] В.Н. Брудный. ФТП 33, 1290 (1999).

всех родственных полупроводниках, который выступает как фундаментальный параметр кристалла, характеризуРедактор Л.В. Шаронова ющий как свойства объемного дефектного материала, так и интерфейсные характеристики полупроводника.

Electronic properties of irradiated Поскольку данный уровень инвариантен относительно semiconductors. A model of the Fermi типа радиационных нарушений кристаллической решетlevel pinning ки, модели закрепления уровня Ферми, основанные на представлениях о щелевых (хвосты плотности состояV.N. Brudnyi, S.N Grinyaev, N.G. Kolin ний) и локальных дефектных состояниях кристалла, Siberian V.D. Kuznetsov должны давать близкие количественные результаты. Это Physical Technical Institute, обеспечивает единство электронных характеристик (по634050 Tomsk, Russia ложения уровня Fsat) в полупроводнике, содержащем Obninsk Branch of the State Research Center точечные дефекты структуры (облученном -квантами, L.Ya. Karpov Physical Chemistry Institute“, электронами или протонами малых энергий), а также в ” 249033 Obninsk, Russia материале с кластерами дефектов (облученном быстрыми нейтронами или тяжелыми ионами).

Abstract

A theoretical model of the localized defect state which Работа выполнена при поддержке проекта № can be used for numerical calculations of stationary Fermi-level „Высокостабильные радиационно-стойкие полупроводposition in radiation-modified semiconductors, the Schottky barrier ники“ МНТЦ.

heights, the valence-band discontinuities at the heterojunction interfaces are considered. It has been shown that it is the deepest energy level within the energy range near the band gap of each Список литературы semiconductor that corresponds to this defect state. This energy [1] В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986). level plays a role similar to the chemical potential in a bulk [2] V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, defective semiconductor and at the interfaces. The numerical 429 (1995).

calculations of this energy level position in the IV and III-V [3] W. Walukiewicz. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 1062 (1987).

semiconductor groups are fulfilled.

[4] В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998).

[5] H. Hasegawa, Hideo Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B4 (4), (1986).

[6] W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau.

J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979).

[7] V. Heine. Phys. Rev. A, 138 (6), 1689 (1965).

[8] F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20 (2), 145 (1987).

[9] J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30 (8), 4874 (1984).

[10] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 35 (1), 84 (2001).

[11] S.T. Pantelides, N.O. Lipari, J. Bernholc. Sol. St. Commun., 33, 1045 (1980).

[12] С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30 (12), 2195 (1996);

ФТП, 32 (9), 1094 (1998).

[13] D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973).

[14] В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, 26 (3), 38 (1983).

[15] S.N Grinyaev, S.G. Kataev. Physica B, 191, 317 (1993).

[16] J. Tersoff. J. Vac. Sci. Technol. B, 4 (4), 1066 (1986).

[17] Ying-Chao Ruan, W.Y. Ching. J. Appl. Phys., 62 (7), (1987).

[18] V.T. Bublik. Phys. St. Sol. (a), 45 (2), 543 (1978).

[19] G. Margaritondo. Phys. Rev. B, 31 (4), 2526 (1985).

[20] H.J. Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 2800 (1980).

[21] D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985).

[22] V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988).

[23] V.N. Brudnyi, V.M. Diamond. Sol. St. Commun., 54, (1985).

[24] Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22 (6), 1025 (1988).

[25] Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, У.С. Югова. ФТП, 21, 521 (1987).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.