WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Исследования фоточувствительности полученных структур в линейно поляризованном излучении (ЛПИ) Рис. 2. Нормированные на абсолютный максимум спек- показали, что в условиях освещения этих барьеров вдоль тральные зависимости квантовой эффективности фотопреобра- нормали к поверхности любое изменение положения зования структур In–CdTe VII на основе монокристаллов электрического вектора E световой волны относительно CdTe, полученных с использованием транспортирующих агенглавных кристаллографических плоскостей подложек тов NH4Cl (1), NH4Br (2, 4, 5), NH4J (3) при T = 300 K.

из CdTe различного происхождения практически Активация ростовой среды не применялась. 5, 4 смещены по не влияет на величину фототока во всей области оси ординат. Указаны энергии максимумов в эВ. Спектральная фоточувствительности. Это обстоятельство, с одной ширина щели 1 мэВ.

стороны, является следствием того, что вероятность межзонных оптических переходов в кубическом кристалле CdTe не зависит от поляризации излучения, вую область спектра по мере замены в транспортируа с другой стороны, позволяет также сделать вывод, что ющем агенте хлора на бром, а затем на иод (рис. 2, использованные технологические условия не приводят к кривые 1–3). Такой же характер влияния транспортивозникновению направленных деформаций в получаемых рующего агента наблюдается и в спектрах ФЛ (рис. 1).

образцах.

По-видимому, это обстоятельство указывает на связь На рис. 3 приведены типичные для всех структур энергетического положения абсолютного максимума с природой легирующей примеси. При этом следует за- зависимости фототоков короткого замыкания, когда свеметить, что спектральное положение абсолютного мак- товая волна поляризована в плоскости падения E ПП симума фоточувствительности m структур на основе (фототок iP) и перпендикулярной (E ПП) (фототок is), Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе в пределах 1.2 1.3 и находится в соответствии с эффектом устранения потерь на отражение.

Подчеркнем также такую характерную деталь (рис. 3, кривые 3 и 4), как ”выход” кривой наведенного фотоплеохроизма из нуля. Этот факт обусловлен изотропным характером фотоактивного поглощения в CdTe при = 0 и, как только угол падения ЛПИ становится отличным от 0, возникает возрастающий по квадратичному закону PI 2 наведенный фотоплеохроизм, что соответствует анализу [25]. При углах падения = 80 величина PI = 55 58% для структур из всех полученных кристаллов. Оценка показателя преломления на основании этих значений дает величину 2.8, что хорошо согласуется с известными значениями этого параметра [21].

Типичная спектральная зависимость наведенного фотоплеохроизма для одной из поверхностно-барьерных структур In–CdTe VII приведена на рис. 4. При = const наведенный фотоплеохроизм для исследованных структур во всей области фоточувствительности оказался практически постоянным, что подверждает выводы [25].

Главным параметром поляриметрического детектора принята его азимутальная фоточувствительность u = 2SuPI [22,26]. С учетом неселективного характера PI (рис. 4) и спектральных зависимостей (рис. 2) можно считать, что при = const максимальная величина u (табл. 2) определяется спектральным положением Рис. 3. Зависимости фототоков короткого замыкания ip (1), максимума (рис. 2) и, принимая во внимание достигнуis (2) и коэффициента наведенного фотоплеохроизма PI (3, 4) тое значение u, можно сделать заключение о том, что от угла падения линейно поляризованного излучения на поверхностно-барьерные структуры на основе выращенповерхность структур In–CdTe при T = 300 K для энергии ных монокристаллов CdTe VII могут найти применение фотонов = 1.48 эВ. Кристалл CdTe получен с использованием NH4Cl без лазерного облучения ростовой среды. Угловое разрешение 1.

и коэффициента наведенного фотоплеохроизма ip - is PI = ip + is от угла падения линейно поляризованного излучения на поверхность структуры. Методика поляризационных исследований подробно изложена в [22]. Из рис. видно, что фототок ip с ростом угла падения вначале возрастает, вблизи 60 проходит через максимум и затем при > 60 наблюдается его спад. В то же время фототок is монотонно спадает как только > 0. Эти закономерности находятся в соответствии с анализом оптических процессов на основании формул Френеля [23,24] при наклонном падении ЛПИ на границу воздух–CdTe. В этой модели рост фототока ip свидетельствует об эффективном устранении потерь на отражение света с поляризацией E ПП, которое доРис. 4. Спектральная зависимость коэффициента наведенного стигает минимума в окрестности псевдобрюстеровского фотоплеохроизма структур In–CdTe при T = 300 K. Кристалл угла B 60 (рис. 3, кривая 1). Полученное отношение CdTe выращен с использованием NH4Cl без активации ростоip(B)/ip ( = 0) в изученных структурах обычно лежит вой среды. = 80.

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 558 Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь в качестве высокочувствительных широкодиапазонных Optoelectronic effects in the semiisolating фотоанализаторов ЛПИ, режим фотогенерации которых CdTe single crystals and in structures on может экспрессно изменяться от поляризационно нечувtheir basis ствительного ( = 0) к поляриметрическому режиму G.A. Ilchuk, N.A. Ukrainets, V.I. Ivanov-Omskii, ( = 0).

Yu.V. Rud’, V.Yu. Rud’y State University ”Lvivs’ka Politeknika”, Список литературы 290646 Lviv, Ukraine A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, [1] С.М. Рывкин, О.А. Матвеев, Н.Б. Строкан. ПолупроводRussian Academy of Sciences, никовые счетчики ядерных частиц [Полупроводники, 194021 St.Petersburg, Russia вып. 10 (Ленингр. отд-ние о-ва ”Знание”, 1963)].

† State Technical University, [2] Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Ю.В. Рудь, С.М. Рывкин.

195251 St.Petersburg, Russia ЖТФ, 34, 1146 (1966).

[3] R. Triboulet, Y. Marfainy, A. Corriet, P. Siffert. J. Appl. Phys., 45, 2759 (1974).

Abstract

Method of the transport reactions with NH4Cl (Br, J) [4] P. Hschl. Rev. Phys. Appl., 12, 229 (1977).

as a transport agent is developed and semiisolating cad[5] Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28, 1505 (1994).

mium telluride single crystals with a carrier concentration of [6] Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 17, 394 (1983).

p = 108 1010 cm-3 at T = 300 K are grown. The In–CdTe [7] Н.В. Агринская, Н.Н., Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Яроsurface-barrier structures with maximum voltaic photosensivity шецкий. ФТП, 14, 172 (1980).

105 V/W are realized. The emission properties at T = 77 K [8] Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 21, 542 (1987).

and pecularities of the photosensivity spectrum are investigated.

[9] Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. СолодIt is shown that these pecularities and the emission properties кова. ФТП, 21, 676 (1987).

[10] Й.Д. Набитович, Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Па- of the homogeneous single crystals are caused by Cl, Br, J as влишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18(2), 211 (1982). doping impurities. At oblique incidence of the linear-polarized [11] Й.Д. Набитович, Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Паraliation in In–CdTe structures the induced photopleohroism arises.

влишин. Журн. физ. химии, 57(6), 1356 (1983).

On the basis of the measured photopleohroism of the structures [12] Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, И.Е. Лопатинский, С.П. Паthe refraction index is determined: n = 2.8. The conclusion влишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17(8), 1357 (1981).

is done about the possibility to use the obtained structures as [13] Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Павлишин, С.И. Пеphotodetectors of natural and linear-polarized radiation.

тренко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18(7), 1117 (1982).

[14] Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, И.В. Курило, С.П. Павлишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20(9), 1494 (1984).

[15] G.A. Ilchuk, I.F. Viblyi, V.O. Dol’nikov, N.A. Ukrainets.

E-MRS’96 Spring Meeting (Strasburg, 1998).

[16] О.Л. Матвеев, Е.Н. Аркадьев, Л.А. Гончаров. ДАН СССР, 221, 325 (1975).

[17] Ю.В. Рудь, К.В. Санин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 5, 654 (1971).

[18] Ж. Панков. Оптические процесы в полупроводниках (М., Мир, 1973).

[19] А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл–полупроводник (М., Мир, 1975).

[20] Физика и химия соединений A2B6, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970).

[21] Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978) с. 340.

[22] В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ РАН, 1995).

[23] Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир., 1981).

[24] Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Высш. шк., 1976).

[25] G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud’. Phys. St. Sol. (a), 67, (1981).

[26] G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud’, M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (a), 115, 11 (1989).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.