WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

мощности образуются собственные дефекты, стимулируОднако в сильно разупорядоченных пленках ZnS при ется диффузия и внедрение атомов марганца в объем импульсном УФ облучении энергия может быть значикристаллитов, что приводит к росту числа центров светельно меньше, и прямым подтверждением этому, почения. При этом уменьшается число мелких состояний, видимому, является рост в нелегированных пленках ZnS влияющих на форму края поглощения, полосы излучения при УФ отжиге САИ (рис.2, a, кривая 2), обусловленного марганца, интенсивность и эффективность ЭЛ, крутизну рекомбинацией захваченных мелкими донорами (обычно ВЯХ. Уменьшение концентрации мелких состояний, Zni или Cls) электронов с дырками на центре, в состав могущих дрейфовать в электрическом поле, увеличивает которого входит вакансия цинка (VZn) [10].

электрическую прочность и улучшает стабильность раМарганец в ZnS является эффективным центром люботы ТПЭЛС после УФ отжига. Показано, что УФ отжиг, минесценции, замещая Zn в катионной подрешетке, приупрощая и удешевляя процесс изготовления ТПЭЛС, почем процесс внедрения Mn проходит более эффективно зволяет получать их с приемлемыми характеристиками при наличии в последней пустот — вакансий цинка [4].

на дешевых легкоплавких подложках.

Обычно наблюдаемое при легировании ZnS марганцем уменьшение САИ связано с уменьшением таких пустот, Список литературы занимаемых марганцем, с образованием эффективных центров свечения — ионов Mn2+. Наблюдаемое при УФ отжиге пленок ZnS : Mn усиление ФЛ ионов Mn2+ [1] Y.A. Ono. Electroluminescent Displays (Singapore, Scientific World, 1995).

сопровождается уменьшением САИ, что, по-видимому, [2] H.S. Reehal, J.M. Gallego, C.B. Edwards. Appl. Phys. Lett., свидетельствует о стимуляции УФ облучением процес40, 258 (1982).

сов встраивания атомов марганца в решетку ZnS, где [3] Л.И. Велигура, Я.Ф. Кононец, О.А. Остроухова. Тез. Меони, изоэлектронно замещая атомы цинка, являются ждунар. конф. по люминесценции (М., ФИАН, 1994), эффективными центрами свечения.

с. 232.

Очевидно, в пленках ZnS : Mn, напыленных на слабо [4] N. Yu, M. Senna. Appl. Phys. Lett., 64, 424 (1995).

подогретые подложки, имеется большое количество не- [5] В.И. Емельянов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, N 4, 147 (1992).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS : Mn [6] Р.В. Прудников, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Вестн.

МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, 36, N 3, 61 (1995).

[7] V.I. Emeljanov, P.K. Kashkarov. Appl. Phys. A, 55, 161 (1992).

[8] Г.П. Яблонский. ФТП, 18, 918 (1984).

[9] Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, М.Д. Моин, А. Танатар, И.Ю. Шаблий. ФТТ, 24, 3223 (1982).

[10] J.E. Nichols, J.J. Davis, B.C. Covenott. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12, 370 (1979).

[11] В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967).

[12] М.М. Соболев, А.В. Абрамов, Н.Г. Дерягин, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, М.И. Папенцев. ФТП, 30, 1108 (1996).

Редактор Л.В. Шаронова The influence of ultraviolet irradiation on electrooptic properties of ZnS : Mn films Ya.F. Kononets, L.I. Veligura, O.A. Ostroukhova Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences 252028 Kiev, Ukraine

Abstract

The effecs has been observed and studied of considerable change of electrooptical properties of ZnS : Mn films and ZnS : Mn-based thin-film electroluminescent structures (TFELS) in the course of pulsed UV-irradiation with the pulse energy much less than the threshold energy of laser annealing. It has been found that in disordered ZnS : Mn films effective UV-induced defect formation occurs even at subthreshold energies of UV-irradiation pulse, resulting in redistribution of Mn atoms. It is shown that such UV-treatment, improving characteristics and controlling stability of ZnS : Mn-based TFELS, allows to fabricate them without additional thermal annealing.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.