WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Редактор Т.А. Полянская 5. Заключение Inversion of wave-front upon optically Таким образом, теоретически предсказан (3) и экспеexcited ZnO surface риментально исследован процесс обращения волнового фронта световой волны, падающей на поверхность A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov сильно возбужденной азотным лазером пленки ZnO.

Institute for Microelectronics Technology Показано, что ОВФ происходит при энергиях падаюof Russian Academy of Sciences, щих фотонов, равных половине энергии излучательной 142432 Chernogolovka, Russia рекомбинации экситона. Следовательно, можно сказать, что в данном случае обращение волнового фронта происходит на экситонных состояниях полупроводниковой пленки. Если учесть, что лазерное излучение при зона–зонном возбуждении поглощается в субмикронном (0.1 мкм) поверхностном слое [8], то легко получить высокую плотность экситонов при накачке полупроводника импульсным азотным лазером. При этом для обращения света возможно использование именно тонких пленок ZnO, обладающих высокими кристаллическим и люминесцентным качествами. В нашем случае практически вся энергия лазерной накачки переходила в экситонные колебания оксида цинка, на которых и происходит процесс ОВФ.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.