WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

3 — данные для квантовых ям BeCdSe толщиной 0.8 [3] и Разрывы зон в системе BeCdSe/ZnSe оценивались в 2нм [5], 4 — наши данные. Результат расчета зависимости соответствии с правилом транзитивности как сумма Eg(x) с параметром прогиба зон C = 4.5 эВ представлен разрывов зон в системах BeCdSe/CdSe и CdSe/ZnSe.

сплошной кривой.

Разрывы зон для системы CdSe/ZnSe могут быть легко рассчитаны согласно [13], в то же время для гетероперехода BeCdSe/CdSe предполагалось, что Eg в основном приходится на разрыв в зоне проводимости, поскольку для этой системы при переходе от одного материала к другому меняются только катионы. Несмотря на то что предположение о фиксированном распределении Eg между зоной проводимости и валентной зоной, очевидно, неприменимо ко всему диапазону концентраций бериллия из-за большого значения параметра прогиба зон, оно вполне применимо в области больших концентраций бериллия, где зависимость Eg(x) близка к линейной.

Результаты этой достаточно грубой оценки позволяют считать, что в области концентраций бериллия, близких к x 0.46, гетеропереход BeCdSe/ZnSe является переходом типа I. Тем не менее вопрос о величине разрывов зон и типе гетероперехода BeCdSe/ZnSe требует дальнейших исследований.

Рис. 5. Низкотемпературные спектры спонтанного и стимулированного излучения структуры с множественными квантовыми ямами (2нм-BexCd1-xSe/10 нм-ZnSe)5.

Заключение Методом субмонослойной цифровой эпитаксии была прогиба зоны наблюдалось ранее для систем, также ха- выращена структура с множественными квантовыми ямарактеризующихся существенным рассогласованием па- ми (МКЯ) ZnSe/BeCdSe и впервые получен слой объемраметров решетки составляющих бинарных соединений, ного BeCdSe толщиной 100 нм. Концентрация бериллия например для AlxIn1-xN [12].

в обеих структурах близка к x 0.46, что соответствует Большое значение параметра прогиба зон оказывает раствору, изопериодному к подложке GaAs. Обе струксущественное влияние на возможность использования туры продемонстрировали яркую фотолюминесценцию BeCdSe в структурах лазерных диодов. Несмотря на вплоть до комнатной температуры. Впервые в структуре Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Новый материал для активной области приборов сине-зеленого спектрального диапазона — BeCdSe с МКЯ ZnSe/BeCdSe была получена низкотемпературная BeCdSe as a novel material for the active лазерная генерация на длине волны 460 нм с пороговой region of blue-green optoelectronic плотностью накачки около 40 кВт/см2. Большое знаdevices чение параметра прогиба зон в системе BeCdSe (окоO.V. Nekrutkina, S.V. Sorokin,+, ло 4.5 эВ), в сочетании с улучшенными прочностными V.A. Kaygorodov,-, A.A. Sitnikova, T.V. Shubina, характеристиками, связанными с большим содержаниA.A. Toropov, S.V. Ivanov,+, P.S. Kop’ev, ем бериллия, позволяет рассматривать ненапряженный, G. Reuscher+, V. Wagner+, J. Geurts+, A. Waag#, согласованный по параметру решетки с подложкой, G. Landwehr+ BeCdSe в качестве перспективного материала для опто электронных приборов, в частности лазеров в зеленоIoffe Physicotechnical Institute, голубой области спектра.

Russian Academy of Science, 194021 St. Petersburg, Russia Работа была поддержана грантами РФФИ № 99-02+ Physikalisches Institut der Universitt Wrzburg, 17097, 00-02-17022 и 00-02-16997, а также програмD-97074 Wrzburg, Germany мой Министерства науки РФ ”Физика твердотельных # Abteilung Halbleiterphysik, Universitt Ulm, наноструктур”, Фондом Фольксваген и грантом ИНТАС 89081 Ulm, Germany № 97-31907.

St. Petersburg Electrotechnical University, 197376 St. Petersburg, Russia Список литературы

Abstract

Bulk 100 nm-width BeCdSe layers with Be concentration close to lattice-matched to GaAs one ( 46%) have [1] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsubeen grown for the first time using sub-monolayer digital alloying shita, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 76(1), 22 (2000).

technique. Low-temperature stimulated emission at wavelength of [2] E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, A. Kijima, A. Ishibashi. Electron. Lett., 34, 282 (1998). 460 nm has been obtained for the first time under optical pumping [3] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, S.V. So- in BeCdSe/ZnSe multiple quantum well structure with the lasing rokin, A.A. Sitnikova, P.S. Kop’ev, G. Reuscher, M. Keim, threshold of 40 kW/cm2. The bowing parameter of the energy F. Bensing, A. Waag, G. Landwehr, G. Pozina, J.P. Bergman, gap of this ternary alloy has been estimated as 4.5 eV.

B. Monemar. J. Cryst. Growth, 214/215, 109 (2000).

[4] C. Verie. J. Elecron. Mater., 27(6), 782 (1998).

[5] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, O.V. Nekrutkina, V.A. Kaygorodov, P.S. Kop’ev, G. Reuscher, A. Waag, G. Landwehr. Phys. St. Sol. (a), 180, 275 (2000).

[6] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop’ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998).

[7] R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999).

[8] R. Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G.C. La Rocca, K. Ploog. Phys. Rev. B, 42, 3209 (1990).

[9] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop’ev, Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl.

Phys. Lett., 74, 498 (1999).

[10] J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, (1974).

[11] R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985).

[12] T. Peng, J. Piprek, G. Qui, J.O. Olowolafe, K.M. Unruh, C.P. Swann, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 71(17), (1997).

[13] H.J. Lozykovski, V.K. Shastri. J. Appl. Phys., 69, 3235 (1991).

Редактор Т.А. Полянская 3 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.