WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The dependences of the intensities of the emission bands peaked at hm = 1.5133, 1.5141 and 1.5153 eV vs. the excitation intensity are studied in semi-insulating GaAs crystals at 4.2 K. An analysis of the regularities observed (a coincidence of dependences — the emission intensities of luminescence bands studied vs. the excitation intensity) has shown that in semiinsulating GaAs the emission band peaked at hm = 1.5133 eV at 4.2 K is arising due to annihilation of the exciton-impurity complexes D+X (of X excitons bound to ionized shallow D+ donors).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.