WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала © В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, В.В. Попов, Л.М. Сорокин, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский, Дж. Хатчисон Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, 50-950 Вроцлав, Польша Отделение материалов Оксфордского университета, OXI 3P H Оксфорд, Великобритания E-mail: igor.smirnov@pop.ioffe.rssi.ru (Поступила в Редакцию 18 июня 2002 г.) Приготовлены образцы нанокомпозита „опал+HgSe“ с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T = 5-200 K измерены эффективные теплопроводность ( ) eff и удельное электросопротивление (eff), а в интервале 80–300 K — коэффициент термоэдс (). Показано, что величина HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния 0 носителей тока. Из и eff выделены полная теплопроводность ( ), удельное электросопротивление eff tot 0 0 (0) и определены электронная ( ) и решеточная ( ) составляющие теплопроводности для HgSe e ph 0 в опале. Во всем исследованном интервале температур (5–200 K) величина оказалась значительно ph меньше, чем для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T > 20 K такое ph 0 поведение (T ) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при ph T < 20 K — появлением граничного рассеяния фононов на узких местах „рупорообразных“ каналов, соединяющих заполненные селенидом ртути октаэдрические и тетраэдрические пустоты первого порядка опала.

Работа выполнялась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты № 00-02-и 02-02-17657).

Настоящая работа продолжает цикл исследований тетраэдрических пустот и каналов первого порядка опатеплопроводности монокристаллов синтетических опа- лов соответственно равны 800, 400 и 300.лов и нанокомпозитов на их основе, начатый авторами Суммарная теоретическая пористость опала равна в 1995 г. [1–7], и посвящена изучению теплопроводности 59% (26, 19 и 14% соответственно составляют пустоты нанокомпозита „опал + HgSe“.

первого, второго и третьего порядков). Однако реальная суммарная пористость выращенных нами монокристалКристаллическая структура опалов подробно описана в [1–9]. Для удобства понимания полученных в на- лов опалов из-за частичного спекания сфер аморфного SiO2 второго и третьего порядков была 46-50% [10].

стоящей работе экспериментальных данных напомним При этом объем пустот первого порядка оставался основные особенности своеобразной кристаллической равным 26%.

структуры опалов.

Аморфные сферы SiO2 и пустоты первого порядка Кристаллическая структура опала состоит из плотнообразуют плотноупакованные гранецентрированные куупакованных сфер аморфного SiO2 чаще всего с диабические решетки с параметрами a 3000-4000.

метрами 2000-2500 (сферы первого порядка). Эти Теплопроводность монокристаллов синтетических сферы содержат в себе набор плотноупакованных сфер меньшего размера: 300-400 (сферы второго поряд- опалов существенно зависит от способа их приготовлека), которые в свою очередь формируются из плот- ния и структурного совершенства [6].

ноупакованных частиц порядка 100 (сферы третьего Пустоты первого порядка опала можно с помощью порядка). различных методов (химических, введения вещества из расплава под давлением или путем простой пропитки В решетке плотноупакованных сфер имеются пустоты образца материалом наполнителя) заполнять металлаоктаэдрического и тетраэдрического типов, связанные ми, полупроводниками, изоляторами и таким образом между собой посредством каналов в форме рупора.

При этом в зависимости от порядкового номера сфер Для наглядности октаэдрические и тетраэдрические пустоты припустоты также подразделяются на пустоты первого, нято аппроксимировать сферами, связанными между собой посредвторого и третьего порядков. Диаметры октаэдрических, ством цилиндрических каналов [8].

536 В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, В.В. Попов, Л.М. Сорокин...

конструировать на его основе регулярные трехмерные заключить, что в опале получился хорошо сформированкомпозиты с кубической решеткой из наполнителей ный однофазный кристаллический HgSe. Параметр крис параметрами a 3000-4000 [8]. При этом в зави- сталлической решетки объемного HgSe (сфалерита) сосимости от используемой методики заполнения пустот ставляет 6.087 [11], а для HgSe, введенного в опал, он опала наполнителями и качествами монокристаллов оказался равным 6.09(1).

опалов, в которые они вводятся, можно получить по Полученный нанокомпозит „опал + HgSe“ исследовалкрайней мере два типа нанокомпозитов [7], в которых ся также и на электронном микроскопе JEOL 4000 EX II.

1) происходит полное 100% заполнение пустот опала; Для проведения этих исследований образец наноком2) имеет место „островковое“ (не 100%) заполнение позита сначала шлифовался на мелкой шлифовальной пустот опала, при котором в кристалле опала образу- бумаге (1200 зерен на mm2) до толщины 50-60 µm, ются области с регулярным заполнением, разделенные затем утоньшался ионным пучком (Ar+) до толщины, матрицей опала без наполнителя. прозрачной для электронов.

Таким образом, для правильной интерпретации полу- На электронно-микроскопическом изображении опала ченных для нанокомпозитов экспериментальных данных хорошо видна упорядоченная структура монодисперсочень важно знать реальную картину заполнения пустот ных силикатных сфер. Поры опала (как октаэдрические, опала наполнителями. так и тетраэдрические) оказались заполненными полноЦелью настоящей работы было измерить эф- стью, т. е. кластер занимал весь объем поры. Таким обфективную теплопроводность (T ) нанокомпозита разом возникла структура из кластеров. На изображении eff „опал + HgSe“ и (что было наиболее важно) исследовать они имеют темный контраст, что свидетельствует о том, особенности поведения общей теплопроводности (T ) что они состоят из вещества, сильно поглощающего tot и теплопроводности кристаллической решетки HgSe, электроны. Микродифракционные картины с достаточph находящегося в пустотах опала.

1. Приготовление образцов, их аттестация и методики эксперимента Заполнение пустот опала в нанокомпозите „опал + HgSe“ проводилось с помощью сублимации HgSe в условиях большого градиента температуры.

Использованный для этой цели HgSe предварительно синтезировался из простых веществ с помощью реакции в газовой фазе в двухзонной печи. Использовалась ртуть марки ЧДА и селен ОСЧ 16-5. Для получения стехиометрического состава HgSe образец „опал + HgSe“ отжигался в изотермических условиях в парах ртути при T 280C в откачанной запаянной кварцевой ампуле.

С помощью описанного выше метода удалось заполнить пустоты первого порядка опала селенидом ртути почти до 100%. О степени заполнения пустот опала HgSe можно судить на основании измерения плотности образца.

При 100% заполнении пустот первого порядка опала селенидом ртути плотность образца „опал + HgSe“ должна составлять 3.14 g/cm3. Плотность полученного нами нанокомпозита „опал + HgSe“ оказалась равной 3.0g/cm3.

Размер исследованного образца нанокомпозита „опал + HgSe“ был 1.5 0.72 7 mm.

Фазовый анализ полученного нанокомпозита и определение параметра элементарной ячейки HgSe в опале были выполнены по дифрактограммам, полученным на CuK-излучении (Ni-фильтр) на аппарате ДРОН-(рис. 1).

Из дифрактограммы, показанной на рис. 1, a, следует, что исходный опал является аморфным материалом, Рис. 1. Дифрактометрические кривые интенсивностей опаа из дифрактограммы, приведенной на рис. 1, b, можно ла (a), HgSe, введенного в опал (b), и объемного HgSe (c).

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала Следует отметить, что в ряде пор селенид ртути кристаллизовался в виде монокристаллического кластера. На рис. 2 приведено изображение такого кластера, полученное в режиме высокого разрешения. Микродифракционная картина (вставка на рис. 2) представляет собой точечную электронограмму, характерную для монокристалла. Расшифровка электронограммы показывает, что в порах опала действительно кристаллизуется селенид ртути с кубической решеткой и параметром элементарной ячейки 6.09.

Измерение эффективной теплопроводности и эффективного электросопротивления eff нанокомпозита „опал + HgSe“ проводилось в интервале температур 5-200 K в вакууме 10-5 mmHg на установке, подобной описанной в [12], а измерение коэффициента термоэдс выполнялось в интервале 100–300 K на установке, аналогичной использованной в работе [13].

Рис. 2. Электронно-микроскопическое изображение монокристаллического кластера HgSe в опале. На вставке представлена точечная электронограмма для кластера.

2. Полученные экспериментальные результаты Результаты, полученные для (T ), представлены кривой 1 на рис. 3, b и точкой 5 на рис. 3, a. Оказалось, что наличие матрицы опала не влияет на величину HgSe, находящегося в пустотах опала, как это уже было замечено нами при измерении нанокомпозита „опал + PbSe“ [3]. Термоэдс оказалась такой же, как и в объемных кристаллах HgSe [14] с близкими значениями концентрации носителей тока. Сохранился для HgSe в опале и характер механизма рассеяния носителей тока, соответствующий значению r = 0.5.2 В теории r = 0.характеризует два механизма рассеяния носителей тока [14,15]: рассеяние на оптических при T > ( — температура Дебая) и пьезоакустических колебаниях кристаллической решетки (рис. 3, a).

Из данных по удалось оценить концентрацию носителей тока для HgSe в опале. Она оказалась равной 1 · 1018 cm-3.

На рис. 4, a, 4, b (кривая 2) и рис. 5 (кривая 1) приведены экспериментальные данные для eff(T ) и (T ) eff нанокомпозита „опал + HgSe“. На рис. 4, b (кривая 1) Рис. 3. a) Теоретические кривые (1–3) для концентрационной зависимости термоэдс при различных механизмах рассеяния для сравнения представлены также значения для носителей тока: r = 1.5 (1), 0.5 (2) и -0.5 (3); 4 —экспериобъемного HgSe с n 1 · 1018 cm-3 из [16], а на ментальные значения термоэдс для объемных образцов HgSe рис. 5 (кривая 2) — данные для монокристалла ph из [14] при 300 K, 5 — значения термоэдс при 300 K для синтетического опала, в пустоты которого вводился нанокомпозита „опал + HgSe“. b) Температурные зависимости HgSe.термоэдс нанокомпозита „опал + HgSe“ (n HgSe в опале 1 · 1018 cm-3) (1) и объемных образцов HgSe из [14] с кон- Параметр r соответствует значению степени в зависимости врецентрацией электронов n = 3.7 · 1017 (2) и 1 · 1018 cm-3 (3). мени релаксации носителей тока от энергии: 0r ; r = -0.5 и 1.указывают соответственно на рассеяние носителей тока на акустических колебаниях кристаллической решетки и на ионах примеси (рис. 3, a).

но тонких участков кластеров были расшифрованы на Как было показано нами в [6], величина монокристаллов ph синтетических опалов существенно зависит как от способа приготовоснове кубической решетки селенида ртути. Просмотр ления кристаллов, так и от степени их совершенства. Поэтому при достаточно больших участков образца (10 10 µm) анализе результатов по теплопроводности нанокомпозита важно знать позволил заключить, что степень заполнения пор была теплопроводность конкретного опала, в пустоты которого вводился близка к 100% от общего объема. наполнитель в данном эксперименте.

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 538 В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, В.В. Попов, Л.М. Сорокин...

3. Обсуждение результатов ного в пустоты опала.4 Для этого в первую очередь было необходимо выделить из экспериментальных значений нанокомпозита „опал + HgSe“ общую теплопроводeff Как отмечалось выше, основной целью настоящей ность HgSe, находящегося в пустотах опала.

работы было исследование особенностей поведения теп- tot Для описания поведения теплопроводности композилопроводности кристаллической решетки HgSe, введенционных материалов в литературе имеется большой набор формул [5,20–24]. Мы решили остановить свой выбор на формулах работы [24], с помощью которых, согласно литературным данным, было получено удовлетворительное совпадение теории и эксперимента для достаточно большого числа композитов. Согласно [24], / =(1 - p) 1 - p + p, (1) comp mat где и — соответственно теплопроводности comp mat композита и матрицы, P — пористость материала, = /, (2) por mat — теплопроводность материала наполнителя, расpor положенного в пустотах матрицы.

В качестве матрицы в нанокомпозите „опал + HgSe“ выступают аморфные сферы SiO2 опала. Как уже отмечалось выше, их пористость P (пористость второго и третьего порядков) для наших образцов монокристаллического опала составляет 20%. Расчет теплоРис. 4. a) Температурная зависимость эффективного удельного электросопротивления eff нанокомпозита „опал + HgSe“. проводности матрицы опала проводился по формуле b) Температурные зависимости удельного электросопротивле- работы [24] ния объемного HgSe (n = 1 · 1018 cm-3) [16] (1), eff наноком позита „опал + HgSe“ (2) и удельного электросопротивления = [(1 - P ) 1 - P ]. (3) mat am.SiO0 HgSe, находящегося в пустотах первого порядка опала (3).

Расчетные значения = для HgSe, находящегося por tot в пустотах опала, полученные с помощью (1)–(3), представлены на рис. 6 (кривая 1).

HgSe является полупроводником. У объемных образцов селенида ртути полная теплопроводность представляет собой сумму решеточной и электронной составляющих [13,16,25–29]. Такое же условие выполняется и для HgSe, помещенного в пустоты опала 0 0 = +, (4) tot ph e 0 где и — соответственно решеточная и элекph e тронная составляющие теплопроводности HgSe в пустотах опала, определяется из соотношения Видемана– e Франца = LT /0, (5) e где L — число Лоренца, а 0 — удельное электросопротивление для HgSe, расположенного в пустотах опала. Для оценки величины необходимо выделить из e полученных экспериментальных значений eff (рис. 4, a) величину 0. Для этого мы воспользовались расчетными графиками для выделения удельного электросопротивления наполнителя, введенного в пористые объекты, Ранее в ряде докладов на конференциях [17-19] мы упоминали Рис. 5. Температурные зависимости композита eff о предварительных данных, полученных для нанокомпозитов eff „опал + HgSe“(1) и синтетического монокристалла ph „опал + HgSe“. Однако никакого анализа экспериментальных резульопала, в пустоты первого порядка которого вводился HgSe (2). татов в этих работах мы не проводили.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.