WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The effect of Cr doping on the energy spectrum мость. Как следует из таблицы, эффект поля дал знаof the density states N(E) in the energy gap of a Hg3In2Tef opt чения NFe, заметно меньшие величин NF, полученных semiconductor compound has been investigated. As is known, по данным оптического поглощения. Последние могут the Cr impurity does not influence essentially on the electrical быть завышенными по той причине, что при определеproperties and the Fermi level position but it increases the width of нии N(E) считали, что все уменьшение прозрачности the band tails and the density of localized states inside the energy обусловлено внутризонными оптическими переходами с gap Eg. Comparison of data obtained on the field effect with участием локализованных состояний. При этом не учиthose on the light absorption within the range of photon energies тывали вклад рассеяния света неоднородностями, обраh smaller than Eg, makes it possible to find the continuous зованными при взаимодействии дефектов собственной и distribution of the state density which is rapidly increases near примесной природы. Если образуются микровключения the edges of the valence and conduction bands. The spectra of с отличной от матрицы концентрацией электронов, то N(E) obtained are being discussed on assumption that Cr content интенсивность рассеяния не зависит от длины волны, но increases the structure disorder and the random potential, which пропорциональна концентрации включений и квадрату produce larger N(E). It is shown that localized states depend on разницы диэлектрических проницаемостей включений и the screening extension and fix Fermi level about the center of the матрицы. Определение последних величин не представenergy gap as well as provide the compensation of impurity ion ляется возможным. Однако полученный характер изcharges.

менения энергетических спектров плотности состояний дает представление о вкладе локализованных состояний в процессы оптического поглощения, в экранирование и объясняет самокомпенсацию заряженных дефектов.

Список литературы [1] G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997).

[2] Л.С. Палатник, В.М. Кошкин, Ю.Ф. Комник. Химическая связь в полупроводниках и твердых телах (Минск, Наука и техника, 1965) с. 301.

[3] Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, Л.Н. Курбатов. ФТП, 10, 2373 (1976).

[4] А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60, 188 (1990).

[5] О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк. ФТП, 33, (1999).

[6] В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках (М., Металлургия, 1992).

[7] В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984).

[8] Х. Фрицше. Аморфный кремний и родственные материалы (М., Мир, 1991).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.