WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

(1990).] Расщепление состояний для решетки, одноосно сжатой [13] C.S. Wang, B.M. Klein. Phys. Rev. B, 24, 3393 (1981).

на два процента, показано на рис. 6.

[14] N.O. Folland. Phys. Rev., 158, 764 (1967).

[15] R.J. LaBotz, D.R. Mason, D.F. O’Kane. J. Electrochem. Soc., 4. Заключение 110, 127 (1963).

[16] Г.Л. Бир, Г.Г. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972).

С помощью метода линейных присоединенных плос[17] M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 48, 14 276 (1993).

ких волн рассчитаны и проанализированы зонные струк[18] W.B. Whitten, P.L. Chung, G.C. Danielson. J. Phys. Chem.

туры Mg2Si и Mg2Ge в зависимости от изотропной Sol., 26, 49 (1965).

и одноосной деформации их кристаллических решеток.

[19] P.L. Chung, W.B. Whitten, G.C. Danielson. J. Phys. Cehm.

Установлено, что характер изменения основных межзонSol., 26, 1753 (1965).

ных переходов в зависимости от деформации решетки [20] А.Л. Ивановский. Неорг. матер., 26, 1226 (1990).

для обоих соединений одинаков. Изотропная деформа[21] A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, ция приводит к линейному увеличению энергетического G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange. J. Appl.

зазора в области прямого перехода – и непрямого 15 Phys., 79, 7708 (1996).

перехода -L1, в то время как энергетический зазор [22] M. Alouani, J.M.Wills. Phys. Rev. B, 54, 2480 (1996).

в области непрямого перехода –X1 уменьшается. Ана15 [23] A.R. Goni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41, 10 логичные тенденции имеют место и при одноосной де- (1990).

формации, однако их отличает нелинейная зависимость [24] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973).

величины энергетического зазора от изменения параметра решетки. Наиболее ярко выраженным эффектом Редактор Л.В. Беляков при деформациях кристаллической решетки является смещение энергетических зон. Причем если изотропное Band structure of semiconductor сжатие приводит только к смещению энергетических compounds Mg2Si and Mg2Ge уровней как в зоне проводимости, так и в валентной with the strained crystal lattice зоне, то одноосная деформация ведет еще и к расщеплению вырожденных состояний. Сжатие кристаллических A.V. Krivosheeva, A.N. Kholod, V.L. Shaposhnikov, решеток Mg2Si и Mg2Ge с уменьшением параметра A.E. Krivosheev, V.E. Borisenko решетки до 95% не приводит к превращению этих непряBelarusian State University мозонных полупроводников в прямозонные. Наоборот, of Informatics and Radioelectronics, возможно возникновение ситуации, характерной для 220013 Minsk, Belarus бесщелевых полупроводников, когда потолок валентной зоны лежит выше дна зоны проводимости. Однако при

Abstract

The effect of isotropic and uniaxial deformation of рассмотрении этого эффекта необходимо принимать во the lattice on the electronic band structure of indirect band gap внимание коррекцию межзонных переходов, недооцеsemiconductors Mg2Si and Mg2Ge has been investigated by means ненных в рамках приближения локальной плотности, of the linear augmented plane wave method. The reduction of the используемого в расчетах.

lattice constant down to 95% results in a linear increase of the direct transition of magnesium silicide by 48%. However, the fundamental indirect band gap decreases and tends to overlap with Список литературы the valence band, which is typical for gapless semiconductors. The [1] Semiconducting Silicidies, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, stresses arising under uniaxial deformation split the bands and lift Springer, 2000) off their degeneracy. The dependence of the transitions on the [2] W.J. Scouler. Phys. Rev., 178, 1353 (1969). lattice deformation is non-linear under the uniaxial strain.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.