WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Угловые распределения ТИ плоскопараллельных пластин Si представлены на рис. 4, a и 4, b. Сплошными кривыми показаны рассчитанные отношения излучательной способности плоскопараллельной пластины A() к излучательной способности неплоскопараллельной пластины () с различными направлениями поляризации и = 10.57 мкм ( = 8см-1). Видно, что из-за многолучевой интерференции излучение приобретает направленный характер с рядом отчетливо выраженных лепестков. Угловые зависимости A()/() для излучения с s- и p-поляризацией (рис. 4, b и левая часть диаграммы на рис. 4, a) заметно отличаются друг от друга. В интервале 55-75 экстремумы для излучения с p-поляризацией практически исчезают, что связано с уменьшением коэффициента отражения Rp Рис. 4. Угловые распределения теплового излучения полупропочти до нуля. Угловые зависимости для излучения с водниковых пластин для = 10.57 мкм, сплошные линии — s-поляризацией и для неполяризованного излучения во расчет, точки и квадраты — эксперимент; a и b —отномногом сходны (рис. 4, a). На рис. 4, a и 4, b точками шения излучательных способностей плоскопараллельных плаи квадратами представлены результаты эксперимента.

стин к излучательным способностям идентичных неплосВидно, что расчетные и экспериментальные данные копараллельных пластин, c — излучательные способности находятся в хорошом согласии.

плоскопараллельных пластин. Левая часть диаграммы на Как и в спектрах излучения, в угловых зависимостях рис. a — s-поляризация, правая — неполяризованное изболее контрастную картину ТИ можно получить при лучение; рис. b — p-поляризация, рис. c — s-поляризация.

увеличении R плоскопараллельной пластины. Это видно Параметры расчета: a, b — = 0.93, l = 92 мкм, n = 3.4, из рис. 4, c, где показаны расчетные угловые зависимо- пластина n-Si; c — = 0.87, l = 179 мкм, пластина с n = сти излучательных способностей As() пластины с по- (левая часть диаграммы), пластина с n = 3.4 (правая часть).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 528 К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх, А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа волны излучения резко падает внешняя квантовая эф- [7] A.I. Liptuga, N.B. Shishkina. Infr. Phys. Technol., 44, (2003).

фективность [12]. В отличие от люминесцентных све[8] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных тодиодов тепловые источники, как правило, способны сред (М., Мир, 1982).

работать в любой области спектра, однако они требуют [9] Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоналичия внешнего модулирующего устройства. Исклюэлектроника (М., Мир, 1976). [Пер. с англ.: T.S. Moss, чением являются некоторые типы полупроводниковых G.J. Burrel, and B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics тепловых источников [13,14], интенсивность излучения (Butterworths & Co. Ltd, London, 1973)].

которых можно модулировать проходящим через кри[10] П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупросталл током.

водниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975).

Источник, использующий тепловое излучение тонких [11] Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников плоскопараллельных слоев, может иметь узкополосный (М., Наука, 1977).

спектр излучения в области среднего и дальнего ИК [12] T. Ashley, C.T. Elliott, N.T. Gordon, R.S. Hall, A.D. Johnson, G.J. Pryce. Appl. Phys. Lett., 64, 2433 (1994).

диапазона. Изменение оптических параметров полупро[13] R.M. Mindock. Proc. of the Society of Photo-Optical водникового излучающего элемента внешними воздейInstrumentation Engineering (1987) v. 783, p. 77.

ствиями позволит осуществлять спектральную и ампли[14] А.И. Липтуга, В.К. Малютенко. Автометрия, 6, 108 (1991).

тудную модуляцию его излучения.

Редактор Т.А. Полянская 5. Заключение Peculiarities of thermal radiation of a plane-parallel semiconductor layer Теоретически и экспериментально показано, что в тепловом излучении полупроводниковых плоскопаралK.Yu. Guga, A.G. Kollyukh, A.I. Liptuga, лельных полупрозрачных пластин проявляется многоV.A. Morozhenko, V.I. Pipa лучевая интерференция. Спектр теплового излучения Institute of Semiconductor Physics, плоскопараллельной пластины существенно отличается от спектра теплового излучения идентичной неплоскопа- National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine раллельной пластины и носит осциллирующий характер.

Амплитуда осцилляций излучательной способности зависит от коэффициентов пропускания и отражения пластины и возрастает при их увеличении. Интенсивность теплового излучения в диапазонах, соответствующих максимумам интерференции плоскопараллельной пластины, может существенно превосходить интенсивность излучения идентичной неплоскопараллельной пластины.

Вследствие резонаторных свойств плоскопараллельной пластины диаграмма направленности ее теплового излучения имеет лепестковый вид. Ширина лепестков и их количество в диаграмме определяются оптическими параметрами пластины. Экспериментальные данные спектральных зависимостей теплового излучения и его угловых распределений хорошо согласуются с теоретическими данными. Результаты работы могут быть использованы для создания новых управляемых источников ИК излучения.

Список литературы [1] P.J. Hesketh, J.N. Zemel, B. Gebhart. Nature, 325, 549 (1986);

Phys. Rev. B, 37, 10 803 (1988).

[2] J. Le Gall, M. Oliver, J.-J. Greffet. Phys. Rev. B, 55, 10 (1997).

[3] J.-J. Greffet, R. Carminati, K. Joulain, J.-P. Mulet, S. Mainguy, Yong Chen. Nature, 416, 61 (2002).

[4] Н.А. Власенко, В.К. Милославский, И.Н. Шкляревский.

Опт. и спектр., 11, 403 (1961).

[5] T. Weber, H. Stoltz, W. von der Ostern, M. Heuken, K. Heime.

Semicond. Sci. Technol., 10, 1113 (1995).

[6] В.С. Пекар. ЖЭТФ, 67, 471 (1974); ЖЭТФ, 88, 667 (1985).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.