WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

We present the studies of photoconductivity and совпало с характерными временами отрицательной фоtransient processes in n-PbTe(Ga) epitaxial films of thickness топроводимости, обнаруженной в работе [14] при иссле 0.2 µm prepared by the hot wall technique on 111 -oriented довании сравнительно низкоомных пленок n-PbTe(Ga), в BaF2 substrates. Photoelectric properties are investigated in the которых содержание галлия было несколько выше, чем temperature range 4.2–300 K under infrared illumination by GaAs в образцах со стабилизированным положением уровня light-emitting diode with = 1 µm and by a white light Ферми. Нельзя исключить, что наличие насыщения на lamp. The low-temperature measurements reveal the infrared низкотемпературном участке кривых (T ) обусловлено photoconductivity threshold at TC = 150 K (for the flux density суперпозицией отрицательной и положительной фото- 10-5-10-4 W/cm2), that exceeds by 40 and 70 K the temperatures проводимости. В случае повышенного уровня легиро- relevant to more thick films ( 2 µm) and to single crystals, вания отрицательная фотопроводимость абсолютна [14], respectively. This substantial increase of TC in thin films gives us an в высокоомных образцах n-PbTe(Ga) ее присутствие opportunity to estimate the recombination barrier of Ga impurity приводит лишь к частичному гашению положительной in PbTe.

фотопроводимости.

Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ, гранты № 98-02-17317 и 99-02-17531.

Список литературы [1] G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow Gap Semiconductors, ed. by G. Hohler (Springer Verlag, Berlin, 1983).

[2] B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova.

Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993).

[3] Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. by D. Khokhlov (Gordon and Breach, N. Y., 2000).

[4] J. Masek, T.J. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, S. Blunier, J.P. Vermeiren, C.L. Claeys. Proc. SPIE, 1735, 54 (1992).

[5] H. Zogg, A. Fash, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier. Opt. Eng., 33, 1440 (1994).

[6] Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.