WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

полупроводниковой электронике. Среди них следует упоЭтот механизм был предложен Уорреном с соавт. [20] мянуть фотоприемники с временем отклика менее 1 пс, для объяснения свойств арсенида галлия, содержащего активная область которых представляет собой арсенид кластеры полуметалла мышьяка.

галлия, содержащий кластеры мышьяка, а также полевые Известно, что при контакте металла с полупроводнитранзисторы и интегральные микросхемы, где такой маком образуется барьер Шоттки. При этом уровень Ферми териал используется в качестве буфера для увеличения полупроводника обычно закрепляется на гетерогранице пробивного напряжения на затворе и для устранения в некоторой точке запрещенной зоны. В случае контакта целого ряда паразитных эффектов в канале.

большинства металлов с арсенидом галлия, уровень Ферми закрепляется вблизи середины запрещенной зоны и в материале как n- так и p-типа проводимости возни3.3. Запрещенная зона и управление кают области обеденения. Ширина областей обеднения свойствами зависит от величины проводимости полупроводника.

Если кластеры составляют основную часть материала, Поскольку мышьяк является полуметаллом, массив то изменения их размеров и концентрации приводят к кластеров мышьяка в GaAs представляет собой сиизменению фундаментальных свойств полупроводника, стему множественных ”захороненных” барьеров Шоттаких как ширина запрещенной зоны, величина проводитки, каждый из которых окружен областью обеднения мости, энергия фундаментальных оптических переходов (рис. 5). При не слишком высоких уровнях традиционнои др. Это открывает возможности для конструирования го легирования матрицы полупроводника размер области новых полупроводниковых материалов, свойства котообеднения значительно больше собственного размера рых могут значительно отличаться от свойств, проявлякластера. При достаточно высокой концентрации клаемых тем же полупроводником в монокристаллическом стеров создаваемые ими локальные области обеденения или аморфном состояниях. Несомненно наибольший инперекрываются и распространяются на весь объем потерес представляет реализация таких возможностей для лупроводника (рис. 5, b). В результате матрица GaAs кремния — базового материала современной полупродолжна приобрести полуизолирующие свойства, что и водниковой электроники.

наблюдалось экспериментально. Кроме того, высокая концентрация кластеров и наличие встроенных электри- Известно, что как кристаллический, так и аморфный ческих полей должны способствовать быстрому захвату кремний обладают низкой эффективностью излучательи рекомбинации неравновесных носителей заряда. Ха- ной рекомбинации и не пригодны для создания светоизрактерные времена жизни носителей заряда, экспери- лучательных приборов. Это обусловлено фундаментальментально измеренные в GaAs, содержащем кластеры ными причинами. В первом случае такой причиной являмышьяка, составляют менее 1 пс. ется непрямая структура зон, во втором случае — проФизика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 520 М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев полностью свойства кластерного кремния. По-видимому, для описания реальных объектов, обладающих весьма сложной структурой, необходим учет обоих эффектов, тем более, что разделение явлений на ”поверхностные” и ”объемные” для кластеров нанометрового размера представляется весьма условным.

Основными проблемами, которые предстоит решить для широкого практического использования люминесцентных свойств кластерного кремния, являются обеспечение стабильности параметров материала и возможность эффективной инжекции носителей заряда в нем.

Решение этих проблем связано с пониманием природы наблюдаемых явлений и управлением структурой материала. В частности, изменение атомной доли кластеров в нанокристаллическом кремнии позволяет изменять его электрическую проводимость на несколько порядков (рис. 6) [21].

3.4. Лазеры с квантовыми точками Рис. 6. Зависимость удельной проводимости от объемной доли Прямые доказательства того, что спектр электроннанокристаллической фазы в пленках кремния со смешанным ных состояний кластеров в полупроводнике подобен аморфно-нанокристаллическим составом. Точки — экспериатомному, были получены при исследованиях микрокамент, сплошные линии — расчет по теории протекания.

тодолюминесценции квантовых точек InAs в матрице арсенида галлия [22]. Было обнаружено, что одиночная квантовая точка дает узкую (0.15 мэВ) линию люминесценции, причем ширина линии не изменяется с странственное разделение и локализация носителей зарятемпературой. -образный электронный спектр является да. Однако в 1990 г. весьма интенсивная люминесценция принципиально важным для использования квантовых в видимой области спектра при комнатной температуре точек в полупроводниковых лазерах. Можно ожидать, была обнаружена в пористом кремнии [17]. Эффективная что лазеры на квантовых точках будут обладать высоким люминесценция была обнаружена и в пленках кремния, дифференциальным усилением, низким пороговым током представляющих собой смесь нанокристаллической и и высокой температурной стабильностью порогового аморфной фаз [19].

тока [23]. Проводимые в последние годы интенсивные В настоящее время для объяснения достаточно эфисследования атомной структуры и электронных свойств фективной люминесценции в кластерном (пористом и квантовых точек позволили разработать конструкцию нанокристаллическом) кремнии используются две мо(рис. 7) и создавать лазеры на квантовых точках, котодели. Одна из них основана на эффекте размерного рые подтвердили эти ожидания [14]. При использоваквантования электронов в кластерах. Этот эффект обънии системы вертикально-совмещенных квантовых точке ясняет возможность излучения кластерным кремнием в InGaAs в активной области GaAs уже удалось создать лавидимой области спектра (объемный кристаллический зеры с плотностью порогового тока 90 А/см2 при 300 K.

кремний имеет ширину запрещенной зоны 1.1 эВ, что соответствует инфракрасной области спектра). Он также объясняет наблюдаемую экспериментально зависимость длины волны излучения от размера кластеров.

Другая модель, объясняющая люминесценцию кластерного кремния, основана на том, что система кластеров имеет огромную поверхность, на которой атомы кремния образуют связи типа Si–H и Si–O–H. Предполагается, что люминесценция обусловлена электронными переходами в таких молекулярных группах. Эта модель объясняет чрезвычайную чувствительность параметров люминесценции к составу поверхностного покрытия, термообработкам и различным физико-химическим воздействиям.

Рис. 7. Схематическая диаграмма полупроводникового лазера Ни модель размерного квантования, ни модель моле- с массивом квантовых точек (QD s InGaAs) в активнойобласти кулярной люминесценции по отдельности не описывают (QW GaAs).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках — новый подход к формированию свойств... Такие лазеры обладали ультравысокой стабильностью составляет 10-18 Ф. Поэтому один электрон, попорогового тока: в температурном диапазоне 77–220 K мещенный в такой кластер, создает потенциал порядка пороговый ток составлял 50 А/см2 и практически не 0.1 В. Такой потенциал может оказаться вполне дозависел от температуры [24]. статочным для кулоновской блокады транспорта других Таким образом, уже сейчас лазеры на квантовых точ- электронов. Это открывает возможности для создания ках по основным параметрам не уступают, а по ста- нового класса так называемых одноэлектронных прибобильности порогового тока — значительно первосходят ров. Разработано несколько типов приборных структур лучшие полупроводниковые лазеры с квантовыми ямами такого типа: одноэлектронные элементы памяти (рис. 8);

в активной области. В ближайшем будущем можно ожи- полевые транзисторы, управляемые одиночным электродать дальнейшего прогресса в разработке таких лазеров ном на затворе; одноэлектронный аналог биполярного за счет оптимизации приборных структур и за счет транзистора; ”одноэлектронный насос” и др. В настоиспользования новых материалов в качестве матрицы и ящее время практическая реализация таких структур, в качестве квантовых точек.

как правило, основана на использовании прецизионной литографии тонких металлических пленок или полупроводниковых слоев с двумерным газом. Пространственное 3.5. Одноэлектронный транспорт разрешение, характерное для этого подхода, как праРассмотрим металлический кластер (для определенновило, не позволяет создать объекты достаточно малого сти сферический, радиуса R), помещенный в диэлектриразмера, что ограничивает рабочую температуру таких ческую среду с проницаемостью. Потенциал такого устройств на уровне температуры жидкого гелия и ниже.

кластера Следует однако отметить значительный прогресс этой U = q/C, (3) технологии, достигнутый в последнее время. Например, в работе [25] сообщается о создании одноэлектронной где q — электрический заряд и C = R — емкость.

памяти, работающей при комнатной температуре, на Для кластера размером в несколько нанометров емкость основе полевого транзистора с очень узким каналом и плавающим затвором нанометрового размера. Тем не менее не вызывает сомнений, что использование методов кластерообразования, описанных в разд. 2 данной статьи и позволяющих получать систему кластеров размером в единицы нанометров, является чрезвычайно перспективным для реализации одноэлектронных приборов, работающих при комнатных температурах.

4. Заключение Мы рассмотрели основные подходы и закономерности формирования и управления системой наноразмерных кластеров в полупроводниках. Хотя кластеры в полупроводниках начали привлекать пристальное внимание исследователей относительно недавно, в технологии кластерообразования уже достигнут значительный прогресс.

В ряде практически важных случаев удается контролировать химический состав, размер, концентрацию и пространственное расположение кластеров в полупроводнике.

Достигнутый прогресс в технологии получения кластеров позволяет уже сегодня использовать их в приборах полупроводниковой электроники. Наибольшие успехи достигнуты в создании полупроводниковых лазеров с квантовыми точками и в использовании слоев GaAs, содержащих кластеры мышьяка, в сверхбыстродействующих фотоприемниках, транзисторах и интегральных Рис. 8. Одноэлектронное устройство памяти с наноразмерным микросхемах. В близком будущем можно рассчитывать кластером в качестве плавающего затвора. Схематическое изона создание эффективных светоизлучательных приборов бражение структуры (a) и энергетическая диаграмма до (b) на основе кластерного кремния и реализацию одноэлеки после (c) захвата электрона на кластер. Захват одного тронных приборов, работающих при комнатной темпераэлектрона приводит к запиранию узкого канала за счет эффекта кулоновской блокады. туре.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 522 М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев В целом исследования методов формирования, струк- [22] M. Grudmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, туры и свойств наноразмерных кластеров являются, на J. Heidenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, наш взгляд, одним из наиболее перспективных направлеP.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995).

ний современной физики и технологии полупроводников.

[23] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

[24] Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Авторы благодарны Е.В. Астровой, Н.А. Берту, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. ЛеденЮ.Г. Мусихину, А.Б. Певцову, А.А. Суворовой и цов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. УстиВ.М. Устинову за предоставленные ими экспериментальнов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, ные данные и полезные обсуждения.

30, 351 (1996).

[25] L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 70, Работа была поддержана Российским фондом фунда(1997).

ментальных исследований и Министерством науки РосРедактор В.В. Чалдышев сии (программа ”Фуллерены и атомные кластеры”).

Nanoscale atomic clusters in semiconductors as a new approach to Список литературы formation of materials properties [1] М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефек- M.G. Mil’vidskii, V.V. Chaldyshev ты в монокристаллах полупроводников (Металлургия, Institute of Rare Metals, М., 1984).

109017 Moscow, Russia [2] В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефек A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, ты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981).

Russian Academy of Sciences, [3] М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, Е.В. Соловьева. В сб.:

194021 St.Petersburg, Russia Проблемы кристаллографии (М., Наука, 1987). Т. 3.

С.215.

[4] Rare Earth Doped Semiconductors, MRS Symposium

Abstract

We consider physical mechanisms and main methods Proc., v. 301, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Lander of nanoscale atomic cluster formation in semiconductors. Possibil(Pittsburg, USA, 1993).

ities to control properties of the clusters and cluster materials are [5] В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники analyzed. Some electronic properties of semiconductors containing (М., Наука, 1965).

nanoscale clusters are discussed from the point of view of their [6] V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol., 8, 2037 (1993).

application in electronics.

[7] F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988).

[8] Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996).

[9] Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995).

[10] И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958).

[11] В.В. Воронков, М.Г. Мильвидский. Кристаллография, 33, 471 (1988).

[12] Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский, А.И. Белогорохов, Г.И. Виноградова, Д.Т. Гоголадзе, Л.М. Долгинов, Н.В. Малькова, В.М. Новикова, А.Н. Осипова. ФТП, 25, 965 (1991).

[13] А.А. Чернов. Современная кристаллография (М., Наука, 1980). Т. 3. С. 7.

[14] Zh.I. Alferov. Physica Scripta, 68, 32 (1996).

[15] M.L. Cohen, W. Knight. Phys. Today, No 12, 43 (1990).

[16] C.T. Dameron, R.N. Reese, R.K. Mehra, A.R. Korton, P.J. Carrol, M.L. Steigerwald, L.E. Brus, D.R. Winge. Nature, 338, 596 (1989).

[17] L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).

[18] Porous Silicon. Science and Technology, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrier (Springer Verlag, Berlin, 1995).

[19] E. Edelberg, S. Bergh, R. Naone, M. Hall, E.S. Aydil. Appl.

Phys. Lett., 68, 1415 (1996).

[20] A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowski, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990).

[21] В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997).

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.