WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ной стороны гетеропар, сильно деструктированных ме[6] В.И. Гавриленко, А.М. Греков, Д.В. Корбутяк, В.Г. Лиханической шлифовкой на этапе подготовки подложек товченко. Оптические свойства полупроводников. СпраGaAs для эпитаксии. Возрастание интенсивности люми- вочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 353.

[7] L.E. Davis, N.C. Mcdonald, P.W. Palmberg, G.T. Piach, несцентных полос в этом случае скорее всего связано R.E. Weber. Handbook of Auger Spectroscopy (Minnesota, с упорядочением дислокационной структуры. Потоки Physical Electronics Jucheltries, 1976) p. 195.

вакансий, стимулированные УЗ деформацией, поглоща[8] V.J. Kumar. Phys. Chem. Sol., 36, 535 (1975).

ясь (или геттерируясь) дислокациями, приводят к их [9] О.Д. Протопопов. Обзоры по электрон. техн. Сер. 7, переползанию и упорядочению, изменяя соотношения (117), 74 (1985).

скоростей излучательной и безызлучательной рекомби[10] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов. ФТП, 2, нации.

(1968).

Наблюдаемые особенности перестройи дефектно-при[11] О.К. Городбниченко. Высокомолекулярная пластичмесной структуры контакта металл/GaAs под действием ность и прочность эпитаксиальных структур арсеУЗО проявляются не только через каналы излучательной нида галлия (Киев, Вища шк., 1993), с. 108.

[12] Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М. Атомиздат, и безызлучательной рекомбинации. На рис. 3 предста1972) с. 412.

влены изменения обратных токов диодов Шоттки до и [13] Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966).

после УЗО. Уменьшение на 2 порядка обратного тока [14] E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968).

является следствием уменьшения концентрации центров, [15] S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Luminesc., 10, 313 (1979).

ответственных за его рекомбинационно-генерационную [16] A.S. Popov, A. Jakimova. Phys. St. Sol. (a), 51, PK17 (1979).

составляющую [19,20].

[17] Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 15, Таким образом, применение УЗО к контактам ме(1981).

талл/GaAs с противоположным знаком деформации по[18] Г.Б. Абдуллаев, Г.Д. Джафаров. Атомная диффузия в зволяет уточнить физико-химическую структуру центров полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980) свечения — изолированные точечные дефекты структу- с. 221.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 508 И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Л.Н. Применко, И.В. Прокопенко, В.Л. Громашевский [19] А.А. Акопян, З.С. Грибников, Р.В. Конакова, Ю.А. Тхорик, Ю.М. Шварц. ФТП 9, 1799 (1975).

[20] С.А. Груша, Ф. Дубецки, М. Дубовински, В.И. Зименко, К.А. Исмайлов, Р.В. Конакова, В.С. Лысенко, И.Н. Осиюк, О.В. Снитко, Ю.А. Тхорик, В.М. Файнберг, Л.С. Хазан.

ДАН УССР (А), 1, 53 (1989).

[21] R.E. Vitturo, M.L. Slude, L.J. Brillson. Phys. Rev. Lett., 57, 487 (1986).

Редактор В.В. Чалдышев The influence of treatment on the deformation effects and structure of local centers in substrate and interface of M/n-n+-GaAs structures (M = Pt, Cr, W) I.V. Ermolovich, V.V. Milenin, R.V. Konakova, L.N. Promenko, I.V. Prokopenko, V.L. Gromashevski Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences, 252650 Kiev, the Ukraine Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.