WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

5. Заключение Проведено исследование полупроводниковых лазерных гетероструктур с p-легированной активной облатемпературную стабильность дифференциальной кванстью. Показано, что при степени легирования порядка товой эффективности, которая в случае легированных 2 · 1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых структур остается практически постоянной в диапазоне точек удается достичь значения характеристической температур 17-55C. Необходимо отметить, что при температуры 1200 K в диапазоне температур 15-75C.

обсуждении влияния p-легирования мы пренебрегли Ожидается, что дальнейшая оптимизация структуры познарушением зарядовой нейтральности в КТ [4], степень волит еще более существенно увеличить характеристикоторой зависит от параметров конкретной лазерной ческую температуру и расширить диапазон высокой темструктуры.

пературной стабильности работы лазера при сохранении Начиная с температур 55-75C (рис. 3) в исслевысокой дифференциальной квантовой эффективности и дованных легированных структурах наблюдается сущенизкой пороговой плотности тока.

ственное увеличение пороговой плотности тока, а также уменьшение внешней дифференциальной квантовой эф- Работа была выполнена при поддержке совместного фективности (рис. 4). Обращает на себя внимание и тот проекта ФТИ им. А.Ф. Иоффе и NL Nanosemiconductorфакт, что характеристические температуры легирован- GmbH (Германия), а также фондов SANDiE и INTAS.

ных и нелегированной структур в диапазоне температур Авторы И.И. Новиков и Л.Я. Карачинский благодарят за выше 75C практически равны (рис. 3). Действительно, финансовую поддержку фонд „Династия“ и МЦФФМ.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 506 И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Л.Я. Карачинский, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, А.Р. Ковш...

Список литературы [1] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

[2] L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, (1996).

[3] L.V. Asryan, L. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 37, (2001).

[4] L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEEJ. Select. Top. Quant. Electron., 3, 148 (1997).

[5] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures, ISBN 3.540-67817-4, Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2003).

[6] A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil’ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg.

Electron. Lett., 38, 1104 (2002).

[7] K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988).

[8] O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, (2002).

[9] M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000).

[10] O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80, (2002).

[11] O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl.

Phys. Lett., 77, 466 (2000).

Редактор Л.В. Беляков Impact of p-type doping of the active region on temperature stability of the characteristics of InAs/GaAs quantum dot lasers I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.R. Kovsh, A.V. Kozhukhov, I.L. Krestnikov, S.S. Mikhrin, N.N. Ledentsov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia NL Nanosemiconductor GmbH, 44227 Dortmund, Germany

Abstract

A detailed study of the active region p-type doping impact on characteristics of InAs/GaAs long-wavelength quantum dot lasers has been done. It is shown, that the rise of the p-doping level leads to increasing the temperature stability of the threshold current density. The characteristic temperature as high as 1200 K within the temperature range of 15-75C was obtained for the structure with the p-doping level of about 2 · 1012 cm-per one sheet of quantum dots. A constant value of the differential quantum efficiency within the temperature range of 15-65Cwas demonstrated. A maximal CW output power was 4.4 Wfor an optimized structure.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.