WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

A.I. Liptuga, V.K. Malyutenko, V.I. Pipa, and Как выяснилось, ход полевых зависимостей ЭРО приL.V. Levash мерно одинаков для использованных в качестве охладителей кристаллов InSb и CdHgTe, максимальные же Institute of Semiconductor Physics, Ukrainian значения T существенно отличаются. Наибольшее по- Academy of Sciences, нижение температуры охлаждаемого элемента наблю- 252650 Kiev, the Ukraine дается в случае использования в качестве активного Institute of Physics, Ukrainian Academy of Sciences, элемента кристалла CdHgTe (Eg 0.14 эВ) исоставляет 252028 Kiev, the Ukraine величину 0.62 K. Несколько меньшие значения Tmin, полученные нами из теоретических расчетов (рис. 2, b),

Abstract

The paper presents theoretical and experimental results могут быть связаны с тем, что в теории не учитывалось obtained for time dependencies of the radiation cooling effect влияние фильтра на радиационный обмен и теплоотвод induced by a pulse semiconductor source of negative interband через металлические контакты-держатели.

luminescence. The kinetics of cooling and subsequent temperature Проведенные исследования показывают возможность relaxation of the passive element depending on the luminescence практического применения ЭРО. Важным является то pulse power and duration has been studied. It is shown that обстоятельство, что в данной ситуации активный полу- the method of luminescence excitation (magneto-concentration проводниковый элемент в зависимости от полярности effect) makes it possible to perform both radiation cooling and управляющего напряжения может выступать в роли как heatting of the passive element, which is attractive for practical охладителя, так и нагревателя (см. рис. 3). Это особенно use. The theoretical results correspond qualitatively to experimental существенно при использовании его в качестве активно- data. The maximum cooling achieved experimentally at room го элемента устройства стабилизации температуры. Та- temperature is 0.62 K.

кое устройство нами было создано и успешно применено для стабилизации частоты малогабаритного кварцевого генератора. Анализ работы устройства показывает его преимущества по сравнению с аналогами (например, термоэлектрическими), обусловленные малой инерционностью включения и выключения активного элемента.

Отметим, что для улучшения технических параметров указанного устройства, особенно для уменьшения времени радиационного воздействия на контролируемый объект, необходимо в качестве охлаждающих элементов использовать тонкие (большое сопротивление) полупроводниковые пленки, изготовленные из узкозонные материалов.

Список литературы [1] С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. Письма ЖТФ, 5, 1444 (1979).

[2] С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. ФТП, 17, (1983).

[3] P. Berdahl. Proc. 18th Int. Conf. on Phys. of Semicond.

(Stockholm, 1986) p. 1595.

[4] V.K. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 8, S390 (1993).

[5] В.И. Пипа. ФТП, 29, 526 (1995).

[6] В.Ф. Косоротов, Л.С. Кременчугский, В.Б. Самойлов, Л.В. Щедрина. Пироэлектрический эффект и его практические применения (Киев, Наук. думка, 1989).

[7] Акустические кристаллы, под ред. М.П. Шаскольской (М., Наука, 1982).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.