WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Coherent radiation sources have been fabricated on Исследованы спектральные характеристики диодов при the basis of an InAs/InAsSbP double heterostructure with a различных длинах резонатора, и измерена поляризация thick active region (3.3 µm) grown by metallorganic vapor phase излучения. В исследуемой структуре все моды имеepitaxy. The emission spectrum of the diodes having various ют преимущественно TE-поляризацию. Модовый состав cavity lengths were investigated, and the light polarization was спектра определяется излучательной рекомбинацией на measured. The mode composition of the spectrum is determined гетерогранице и в объеме активной области. При веby a radiative recombination across the interface and in the bulk личине тока на 30% выше порогового значения обнаof the active region. At current values by 30% exceeding the ружено взаимодействие между модами интерфейсной threshold one, a new mode appears with an intermediate value и межзонной излучательной рекомбинации. При этом of the wavelenght. This intermediate mode possibly results from появляется новая мода с длиной волны, имеющей проthe interaction between the interface and the interband radiative межуточное значение между длинами волн упомянутых recombination modes existing in the resonator at the same time.

мод, и уменьшается крутизна зависимости интенсивности всего излучения от тока.

Авторы выражают благодарность Н.В. Зотовой за измерения спектров фотолюминесценции слоев InAs, а также Т.С. Лагуновой и Т.И. Ворониной за гальваномагнитные измерения эпитаксиальных слоев. С.С. Кижаев признателен фонду Роберта Хэйвмана.

Работа поддержана грантами РФФИ 02-02-17633 и CRDF PRO-1407-ST-03.

Список литературы [1] А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.М. Литвак, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 13 (9), 517 (1987).

[2] М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (2), 233 (1999).

[3] A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, (2000).

[4] S. Adachi. J. Appl. Phys., 61 (10), 4869 (1987).

[5] А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12 (2), 664 (1986).

[6] А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20 (12), (1986).

[7] А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев. Письма ЖТФ, 18 (22), 6 (1992).

[8] Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34 (11), 1396 (2000).

[9] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 215 (1998).

[10] Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, (9), 1604 (1995).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.