WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Исследования зависимостей структуры и магнитных свойств пленок FeTaN от концентрации азота © А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Научно-исследовательский институт магнитных материалов, Ланджоуский университет, 730000 Ланджоу, Китай E-mail: Kamzin@pop.ioffe.rssi.ru (Поступила в Редакцию 27 мая 2004 г.) Исследованы морфологии структуры и магнитные свойства тонких пленок FeTaN с высоким содержанием Ta (10 wt.%), синтезированных отжигом соединений, осажденных методом реактивного радиочастотного магнетронного распыления в газовой смеси Ar + N. Установлены зависимости свойств пленок FeTaN от содержания в них азота и температуры отжига. Определены режимы осаждения и термической обработки соединений FeTaN, при которых синтезируются наноструктурные тонкие пленки FeTaN с высокими магнитомягкими характеристиками {Bs = 1.6T, Hc = 0.2Oe и µ1(1MHz) =3400}.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 02-02-39006) и Национального фонда науки Китая.

1. Введение и обнаружено, что после осаждения пленки FeTaN являются аморфными. После отжига аморфных соединений FeTaN, осажденных при парциальном давлении Ферритовые тонкие пленки привлекают пристальное азота, равном 7.5%, были получены пленки с достаточно внимание исследователей, потому что являются махорошими магнитомягкими характеристиками [9]. В [10] териалами, имеющими важное прикладное значение, установлено, что пленки FeTaN обладают наивысшей как например, в устройствах с высокой плотностью температурной стабильностью магнитных параметров.

магнитной записи информации, магнитных сенсорах, В [11] показаны технологические возможности синтеза в СВЧ приборах и др. [1–3]. Преимущества феррипленок FeTaN, обладающих достаточно высокими магтов в виде тонких пленок заключаются в разнообранитомягкими характеристиками.

зии их магнитных и электрических свойств, высокой Из анализа публикаций видно, что технология похимической устойчивости и механической прочности.

лучения магнитных пленок с требуемыми свойствами Одним из важнейших применений магнитных пленок изучена далеко не полностью. Для получения магнитных является их использование в устройствах записи–чтения тонких пленок используются разные методы осаждеинформации со сверхвысокой плотностью. Так, пленки ния, такие как золь-гельный, магнетронного распыления, гексагональных ферритов типа Ba–M весьма перспеклазерного распыления, молекулярной эпитаксии и др.

тивны в качестве носителей такой информации, потому (см., например [11–13]). Существенное влияние на свойчто обладают большой величиной коэрцитивной силы.

ства пленок FeXN оказывает соотношение компонент Использование таких носителей информации в свою в соединении, а также технологический режим синтеза очередь ужесточает требования к устройствам записи.

(режим распыления, давление газа при распылении, Для качественной сверхплотной записи информации температура подложки). Очень важным процессом, при на подобных носителях поле насыщения в сердечнике котором формируются свойства таких пленок, являетзаписывающей головки дожно быть 20 kG или болься отжиг осажденных соединений. Температура отжига ше [4,5]. Наноструктурные пленки FeXN, где X = Hf, может варьироваться в широких пределах и таким обNb, Zr, Si, B или Al, удовлетворяют перечисленным разом целенаправленно влиять на свойства получаемой требованиям (см., например, [6] и ссылки там). Однако, пленки. Следовательно, процесс отжига пленок требует каждый из этих вводимых третьим элементом ионов повсестороннего изучения. В данной работе проведены разному влияет на магнитные свойства синтезированноисследования влияния режимов синтеза и концентрации го материала. В [7] выдвинуто предположение, что Ta ионов N на микроструктуру и магнитные свойства может быть одним из наиболее подходящих элементов, тонких ( 1000 nm) пленок FeXNпри X = Ta.

существенно улучшающих магнитомягкие характеристики пленок Fe-N. Это предположение основывалось на относительно высокой степени взаимодействия Ta с 2. Условия эксперимента ионами азота [8], приводящей к большей растворимости атомов N в пленках FeTaN и улучшению их магнитомяг- Тонкие пленки FeTaN синтезированы методом реакких свойств. В [9] синтезированы пленки FeTaN толщи- тивного радиочастотного (РЧ) магнетронного распыленой 0.6 µm с большим содержанием (12.5 wt.%) тантала ния композитной мишени в смеси газов Ar и N2 на 494 А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Условия осаждения FeTaN пленок ну меньших угловых величин. Эти изменения можно объяснить тем, что атомы азота внедряются в решетку Давление в камере 5 10-7 Torr -Fe, занимая межузловые положения, и расширяют ее.

Давление при распылении 2 10-3 Torr Пленки, осажденные в области давлений P(N2) 3%, не Парциальное давление азота в смеси Ar + N 0-10% Напряжение РЧ распыления 2.8 kV обладают кристаллической структурой, т. е. практически Температура подложки 20C аморфны. Это подтверждается в области температур Толщина пленки 400 nm Скорость осаждения 20-28 nm/min подложки в виде стеклянных пластинок. Композитные мишени представляли собой пластинки чистого железа, часть которых накрывалась фольгой из высокоочищенного Ta. Содержание ионов Ta в осаждаемых пленках можно регулировать изменением площади, закрываемой фольгой из Ta, на пластинке из Fe. Эксперименты показали, что, если накрывать 20% площади пластинки из железа фольгой Ta, можно получить соединение FeTaN, в котором 10 wt.% ионов Fe замещены ионами Ta.

Количество ионов N в соединении FeTaN определялось величиной парциального давления азота в смеси газов Ar + N2 в камере распыления при осаждении пленок.

Условия, при которых осаждались пленки FeTaN, приведены в таблице. Пленки отжигались в вакуммной печи при давлении 1 10-5 Torr.

Структурный анализ синтезированных пленок проводился с использованием рентгеновского дифракционного спектрометра (РДС). Фазовая идентификация осуществлялась с помощью РДС и мессбауэровской спектроскопии (МС) с регистрацией конверсионных и Оже-электронов (конверсионная электронная МС).

Электронный микроскоп в геометрии пропускания и атомный силовой микроскоп (АСМ) были использоваРис. 1. Рентгеновские диффрактограммы, снятые после осаны для изучения морфологии пленок. Намагниченность ждения пленок (a) и после их отжига при температуре насыщения Ms и коэрцитивная сила Hc пленок измеря450C (b) в зависимости от величины парциального давления лись высокочувствительным (10-3 emu) магнитометром азота в камере распыления P(N2).

с вибрирующим образцом. Энергия анизотропии рассчитывалась из B-H-петель гистерезиса, как это описано в [14].

3. Результаты экспериментов и обсуждение На рис. 1, a представлены рентгеновские дифрактограммы (РД), полученные после осаждения пленок FeTaN при различных величинах парциального давления азота P(N2) при распылении в газовой смеси Ar + N2.

Безазотные пленки FeTa, как это следует из анализа дифрактограмм, показанных на рис. 1, a, состоят из -Fe кристаллитов, межплоскостное расстояние в которых d(110) =2.073 превышает эту величину для чистого -Fe (2.026 ). Этот факт позволяет предположить, что ионы Ta замещают в решетке -Fe ионы Fe, и формируется замещенный твердый раствор -Fe(Ta). При Рис. 2. Индукция насыщения Bs (1) и коэрцитивная сила повышении парциального давления P(N2) линия (110) Hc (2) пленок, осажденных при P(N2) =5%, измеренные в состояния -Fe расширяется и смещается в сторо- области температур ниже комнатной.

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. Исследования зависимостей структуры и магнитных свойств пленок FeTaN от концентрации азота отжиге в области низких температур значения индукции насыщения Bs пленок, как видно из рис. 4, невелики, тогда как коэрцитивная сила Hc большая, она совпадает с величинами Hc для аморфных пленок. Повышение температуры отжига приводит к монотонному увеличению индукции насыщения Bs и плавному уменьшению коэрцитивной силы Hc. Резкое изменение величин Bs и Hc наблюдается в области температур Tann = 350-400C.

При дальнейшем повышении температуры отжига величины Bs и Hc не меняются, что указывает на завершение в пленке процесса кристаллизации наночастиц -Fe.

Таким образом, оптимальной температурой для кристаллизации пленок является область 400-450C. Поэтому осажденные аморфные соединения были отожжены в вакуумной печи при 450C.

Рис. 3. Индукция насыщения Bs (1, 2) и коэрцитивная сила На рис. 1, b представлены рентгеновские дифрактоHc (3, 4) пленок в зависимости от парциального давления азота граммы пленок, снятые после их отжига, в зависимости P(N2), измеренные после осаждения пленок (2, 4) и после их от величины парциального давления азота P(N2). На диотжига при температуре 450C (1, 3) соответственно.

фрактограммах, показанных на рис. 1, b, не наблюдается каких-либо явных различий между РД пленок, осажденных в области давлений P(N2) < 3%, снятых до и после ниже комнатной данными измерений магнитных ха- их отжига. Однако, при синтезе в области давлений P(N2) 3% формируются наноразмерные кристаллиты, рактеристик пленок, осажденных при P(N2) =5% и которые внедряются в оставшуюся аморфной матрицу.

показанных на рис. 2. Если бы пленка состояла только Продукты кристаллизации в пленках, осажденных при из наноразмерных кристаллитов -Fe, то коэрцитивная различных P(N2), отличаются.

сила Hc была бы меньше значений, наблюдаемых при комнатной температуре, или же оставалась постоянной, На рис. 3 приведены зависимости индукции насыщепотому, что величина Hc зависит от обменного взаи- ния Bs и коэрцитивной силы Hc пленок в зависимомодействия между частицами и должна быть обратно сти от величины парциального давления азота P(N2), пропорциональна намагниченности Ms [15]. Однако, из измеренные после отжига осажденных соединений. Как рис. 2 видно, что как Ms, так и Hc при понижении видно из рис. 3, отжиг приводит к увеличению значений температуры до -173C монотонно увеличиваются. индукции насыщения Bs пленок, но наибольший рост Bs На рис. 3 показаны зависимости индукции насыще- наблюдается в пленках, осажденных при высоких давния Bs и коэрцитивной силы Hc пленок от величины лениях P(N2). Значение Bs в пленках, осажденных в парциального давления азота, измеренные после их области давлений P(N2) < 5%, практически не меняетосаждения. Как видно из рис. 3, неотожженные пленки ся. В пленках, полученных при давлениях P(N2) 5%, не обладают нужными для создания магнитных головок наблюдается монотонное уменьшение Bs. Зависимость свойствами. В [15] показано, что основным условием для формирования требуемых магнитомягких характеристик в таких материалах является небольшая или очень малая магнитная анизотропия (несколько J/m3). В -Fe с размером зерен порядка 10 nm магнитная анизотропия составляет несколько J/m3 вследствие обменного взаимодействия между наноразмерными -Fe кристаллитами. В поликристаллических безазотных пленках размер -Fe-частиц превышает длину обменного взаимодействия между ними. В этом случае процесс намагничивания зависит от магнитокристаллической анизотропии этих гранул, как это происходит в объемном образце железа (Hc = 50 Oe).

Как отмечено выше, наиболее эффективным способом синтеза наноструктурных сплавов является термоуправляемая кристаллизация аморфных соединений.

Поэтому были проведены исследования зависимостей магнитных характeристик от температуры отжига Tann Рис. 4. Индукция насыщения Bs (1) и коэрцитивная сила для пленок, осажденных при P(N2) =5%. Полученные Hc (2) пленок, осажденных при P(N2) =5%, приведенные в экспериментальные данные приведены на рис. 4. При зависимости от температуры отжига Tann.

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 496 А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин линий, указывающих на то, что исследуемое соединение является аморфным.

Мессбауэровские спектры пленок, осажденных при P(N2) =5% и затем отожженных при 450C (рис. 5, b), состоят из зеемановского секстиплета с ширинами линий 0.30 ± 0.03 mm/s и величиной эффективного магнитного поля на ядрах ионов железа 333.8 ± 0.4kOe.

Площади линий зеемановского секстиплета относятся как 3 : 4 : 1 : 1 : 4 : 3. Это означает, что магнитные моменты ионов железа в пленке ориентированы перпендикулярно волновому вектору гамма-излучения, направленного по нормали к плоскости поверхности пленок. Отсюда следует, что магнитные моменты ионов железа располагаются в плоскости пленок. На спектре в области „нулевой“ скорости допплеровского движения мессбауэровского источника наблюдаются линии, указывающие на то, что в пленках имеется небольшое количество соединения, в котором железо находится в парамагнитном состоянии. Параболическая форма фоновой линии спектра указывает на присутствие в пленках небольшого количества соединений железа в аморфном состоянии.

По данным атомной силовой микроскопии пленки, полученные при P(N2) =5% и Tann = 450C, состоят из -Fe зерен размером 5-10 nm, что меньше длины ферромагнитного обменного взаимодействия. Доля нанокристаллитов в объеме этих пленок самая высокая.

Таким образом, из данных АСМ, РД (рис. 1, b) и мессбауэровской спектроскопии (рис. 5, b) следует, что при отжиге пленок, осажденных при P(N2) =5%, в них главным образом формируются наночастицы -Fe, кристаллизующиеся в аморфной матрице, причем плоскость (110) этих -Fe-гранул преимущественно ориентиРис. 5. Конверсионные электронные мессбауэровские спектры рована параллельно поверхности пленок.

пленок, a — осажденные при P(N2) =5%; b — осажденные при P(N2) =5% и затем отожженные при 450C; c —оса- Как видно из рис. 5, c мессбауэровский спектр пленки, жденные при P(N2) =7% и отожженные при 450C.

осажденной при P(N2) =7% и затем отожженной при 450C, состоит из широких линий ( 2 mm/s) зеемановского секстиплета. Анализ спектра показал, что он является суперпозицией линий, принадлежащих коэрцитивной силы Hc пленок от величины P(N2), как состоянию -Fe и соединениям типа TaxNy. Суммарные видно из рис. 3, несколько другая. При повышении площади линий секстиплета относятся приблизительно давления P(N2) величина Hc резко уменьшается, докак 3: 4: 1: 1: 4: 3, указывая на то, что магнитные мостигает минимального значения при P(N2) =5% и заменты ионов железа расположены в плоскости пленки.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.