WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

фекта на поверхности существуют сравнительно длиСмещение к U = 0 ВФХ и ВСХ, а также увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик (рис. 1) в ре- тельное время [21], в течение которого возможна пезультате ИЛО при W < Wc объясняется изменением по- рестройка атомной структуры первичных дефектов. В результате уменьшается концентрация дефектов втоверхностного потенциала s за счет уменьшения полной плотности поверхностных состояний Ntt [18]. Это пред- рого типа, играющих роль медленных поверхностных состояний, энергетическая плотность которых на 2 поположение подтверждается оценками Ntt, приведенными рядка превышает ПЭС, о чем свидетельствует уменьв таблице. Из данных таблицы следует, что Nt в среднем примерно на 2 порядка меньше полной плотности ПЭС, шение частотной дисперсии электрических характерит. е. основной вклад в закрепление уровня Ферми на стик исследованных структур (рис. 2). Аннигиляция поверхности дают медленные поверхностные состояния. дефектов второго типа при W < Wc происходит более Таким образом, с повышением W плотность быстрых интенсивно, чем размножение дефектов первого типа.

ПЭС и полная плотность поверхностных состояний из- В итоге полная плотность поверхностных состояний с меняются в противофазе. Это, по-видимому, обусловле- увеличением W уменьшается (см. таблицу, образец 3).

но их различной природой. Поскольку Nt Ntt, резуль- Таким образом, при ИЛО с W < Wc одновременно тирующее действие ИЛО на электрические характери- протекают два процесса: размножение дефектов, отстики МДП структур в основном определяется измене- ветственных за Nt, (их исходная концентрация мала) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 496 Л.Н. Возмилова, В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. Смирнова раздела после ИЛО с W < Wc остается резкой, что указывает на слабое взаимное проникновение компонентов GaAs и диэлектрика. Таким образом, можно предполагать, что при лазерном отжиге с W < Wc процессы, развивающиеся на границе раздела и на поверхности арсенида галлия, имеют атермический характер.

При W > Wc возрастает роль тепловых эффектов и деформации. При этом, согласно ЭДТ модели, снижается энергия активации дефектообразования [19,20], что приводит к увеличению концентрации дефектов и росту полной плотности поверхностных состояний.

Вероятно, при W > Wc происходит термический отжиг дефектов, ответственных за быстрые поверхностные состояния, и их плотность снижается с ростом W. Но так как Nt Ntt, снижение Nt не изменяет характера поведения полной плотности поверхностных состояний с увеличением энергии лазерного излучения и Ntt при W > Wc увеличивается. Это обусловливает сдвиг ВФХ и ВСХ в область более высоких напряжений, снижение крутизны ВФХ и увеличение частотной дисперсии электрических характеристик.

Примерно при таких же значениях W и выше в работе [21] наблюдалось гашение сигнала фотолюминесценции, которое авторы связывают с генерацией дефектов, являющихся центрами безызлучательной рекомбинации.

Результаты эксперимента при ИЛО с W = 15 20 Дж/см2 ( = 0.69 мкм, = 10-3 с) и W, равной нескольким десяткам мДж/см2, ( = 0.308 мкм, = 3 · 10-8 с) объясняются в предположении, что при этих условиях за счет больших скоростей массопереноса происходит легирование приповерхностной области GaAs акцепторной примесью. В результате изменяется тип проводимости полупроводника, что и определяет наблюдаемый ход вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик после ИЛО (рис. 4). Это предположение подтверждается изменением профилей распределения Рис. 5. Профили распределения элементов на границе разэлементов на границе раздела диэлектрик–GaAs дела SixNyOz–BN–GaAs до (a) и после ИЛО при W < Wc (b) (рис. 5), которые существенно отличаются от и W > Wc (c).

соответствующих данных до лазерного отжига и после воздействия лазерного излучения с W < Wc.

При больших W наблюдается сильное перемешивание и аннигиляция дефектов, обусловливающих медленные компонентов полупроводника и диэлектрика, что поверхностные состояния (их начальная концентрация приводит к заметному размытию границы раздела.

велика). Влияние исходной концентрации дефектов в Приповерхностный слой GaAs обогащается бором, кристаллах GaAs на эффект импульсного лазерного откоторый и играет роль акцепторной примеси [24].

жига обсуждалось в работе [22]. Оценка потребляемой Следует отметить, что к настоящему времени мощности (Pc) при W = Wc показывает, что в случае вышеупомянутый эффект (смена типа проводимости) = 10-3 с Pc = 8.0 · 103 Вт · с-1, а при = 4 · 10-8 с наблюдался нами только для МДП структур на Pc = 2.3 · 105 Вт · с-1. Таким образом, увеличение дли- основе n-GaAs.

тельности импульса при W < Wc повышает эффектив- Таким образом, подбирая условия ИЛО (длину волны ность аннигиляции дефектов. В работе [23] аналогичный лазерного излучения, длительность импульса, плотность эффект объясняется длительным существованием состо- энергии), можно эффективно управлять электрическияния с высокой концентрацией неравновесных носителей ми характеристиками МДП структур на основе арсезаряда. нида галлия вплоть до инверсии типа проводимости Сопоставление оже-спектров границы раздела ди- приповерхностной области полупроводника. Характер электрик–GaAs до и после лазерного воздействия с изменения ВФХ и ВСХ не зависит от материала диW < Wc (рис. 5, a, b) не обнаруживает заметных изме- электрика при W < Wc и определяется длиной волнений в профилях распределения элементов. Граница ны и длительностью импульса лазерного излучения.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела... Преимуществом данного метода является неизменность The laser radiation influence on the параметров характеристик после ИЛО при хранении electron state density of insulator–gallium образцов в течение нескольких лет в условиях комнатной arsenid interface атмосферы.

L.N. Vozmilova, V.I. Gaman, V.M. Kalygina, A.V. Panin, T.P. Smirnova† Список литературы V.D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Scientific-Research Institute at the State University, [1] Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Т.В. Белич, И.А. Карпович.

ФТП, 26, 1383 (1992). 634050 Tomsk, Russia [2] В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненков, Н.В. Лебедев.

Scientific-Research Institute of Semiconductor Письма ЖТФ, 21, 46 (1995).

Devices, 634045 Tomsk, Russia [3] С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Поверх- † Unorganic Chemistry Institute, Russian Academy of ность, вып. 12, 80 (1994).

Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia [4] В.А. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Б.В. Царенков.

ФТП, 25, 1406 (1991).

Abstract

The influence of pulse laser radiation with wavelength [5] M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dangan. Appl. Phys. Lett., = 0.69 µmand =0.308 µm on the capacitance–voltage and 53, 60 (1988).

conductance–voltage characteristics have been investigated as well [6] S. Cassette, F. Plais, J. Olver. Surf. Interf. Anal. 16, 1 (1991).

as the surface state density on insulator–n(p)-GaAs interface in [7] T. Sugino, T. Yamada, K. Matsuda, J. Shiraafuju. Appl. Sur.

relation to radiation energy density.

Sci., 56–68, pt A, 311 (1992).

[8] J.R. Waldrop, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, E-mail: pznr@elephot.tsu.su (для А.В. Панина) (1988).

[9] K. Kjyanagy, S. Kasar, H. Hasegava. Japan. J. Appl. Phys., 32, 502 (1993).

[10] S.A. Chambers, V.S. Sundaram. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, (1991).

[11] Многослойная тонкопленочная структура. Мацумото йосинари; ниппон дэнки к. к. Заявка 60-223134, Япония.

Заяв. 19. 4. 84. № 59-74957, опубл. 7.11.85. МКИ H L21/314, C23C16/30.

[12] Г.Ю. Багратишвилли, Р.П. Джанелидзе, Н.И. Курдиана и др. Электрон. техн. Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 67, 31 (1972).

[13] M. Yoichi, W. Kazumi, W. Yoshinori. Appl. Phys. Lett., 61, 2993 (1992).

[14] В.П. Воронков, В.М. Калыгина, С.Ю. Муленков, Е.И. Оборина, Е.Г. Сальман, Т.П. Смирнова. ФТП, 26, 1121 (1992).

[15] Т.П. Смирнова, Л.В. Храмова, И.К. Яшкин. Неорг. матер., 28, 1414 (1992).

[16] В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984).

[17] В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова.

Изв. вузов. Физика, 35, вып. 11, 99 (1992).

[18] В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. Смирнова.

Поверхность, вып. 5, 18 (1995).

[19] В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, (1990).

[20] П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, вып. 6, (1995).

[21] А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, В.Ф. Киселев. Поверхность, вып. 5, 97 (1993).

[22] И.С. Беличев, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Вест. МГУ.

Сер. 3, 30, 77 (1989).

[23] H. Okigawa, T. Nakayama, K. Talayama, N. Itoh. Sol. St.

Commun., 49, 347 (1984).

[24] Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М.,1988).

Редактор Л.В. Шаронова 8 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.