WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

После травления мез и селективного окисления производилась пассивация приборной структуры слоем SiOтолщиной 0.2 мкм, вскрытие контактных окон и формирование омических контактов p- и n-типа на основе AuZn и AuGe/Ni/Au соответственно, формирование металлических контактных площадок на основе Cr/Au общей толщиной 1 мкм. Вольт-амперные, мощностные и спектральные характеристики изготовленных матриц ВИЛ были измерены непосредственно на пластине в непрерывном режиме при комнатной температуре окружающей среды без дополнительного охлаждения (вывод излучения через подложку, без травления сквозных отверстий). Для измерения диаграмм направленности излучения отдельные кристаллы матриц лазерных диодов были собраны на кристаллодержатели.

На рис. 4 представлены вольт-амперные и мощностные характеристики индивидуальных лазерных излучателей. На лучших индивидуальных ВИЛ с диаметром Рис. 5. Фотография кристалла матричного излучателя из окисленной апертуры 8–10 мкм наблюдалась лазерная 8 8 ВИЛ(a) и распределение выходной мощности индивидугенерация в непрерывном режиме при комнатной тем- альных ВИЛ по площади одного из изготовленных матричных пературе с пороговыми токами 1.0–2.5 мА, дифференци- излучателей (b).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров риц ВИЛ с комбинированными зеркалами (нижним Design and fabrication technology РБО на основе Al0.9Ga0.1As/GaAs и верхним РБО на of vertical-cavity surface-emitting laser основе AlGaO/GaAs) и двумя окисленными апертурами.

matrix Проведена оптимизация конструкции эпитаксиальной N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.E. Zhukov, структуры ВИЛ и технологии селективного окисления, A.P. Vasil’ev, A.S. Shulenkov, S.V. Chumak, позволяющая проводить одновременное окисление аперE.V. Nikitina, S.A. Blokhin, M.M. Kulagina, турных слоев и РБО при обеспечении необходимой E.S. Semenova, D.A. Livshits, M.V. Maximov, механической стабильности структур ВИЛ. Реализованы V.M. Ustinov матрицы, содержащие 8 8 ВИЛ с активной областью на основе квантовых ям InGaAs. На индивидуальных Ioffe Physicotechnical Institute, излучателях достигается лазерная генерация в непреRussian Academy of Sciences, рывном режиме при комнатной температуре с поро194021 St. Petersburg, Russia говыми токами 1.0–2.5 мА на длинах волн 960–965 нм Minsk Institute of Radiomaterials, при дифференциальной эффективности до 0.4 мВт/мА 220024 Minsk, Belorussia и с максимальной выходной мощностью более 2 мВт.

Разработанная технология перспективна при создании

Abstract

Design and fabrication of integrated matrix of the матричных излучателей для устройств быстродействуvertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with oxidized ющих оптической коммутации электронных модулей в AlGaO/GaAs top and AlGaAs/GaAs bottom distributed Bragg перспективных вычислительных системах.

reflectors (DBRs) are being discussed. Matrix emitters contain 8 8 VCSELs and are based on a double quantum well InGaAs active region. Individual emitters with 8-10 µm oxidized apertures Список литературы demonstrate lasing at 960-965 nm with room-temperature threshold current of 1.0-2.5 mA, external efficiency up to 0.4 mW/mA [1] Vertical cavity surface emitting lasers, ed. by L.A. Coldren, and with maximum CW output power more than 2.0 mW.

H. Temkin and C.W. Wilmsen (Cambridge, Cambridge University Press, 1999).

[2] D.V. Plant, M.B. Venditti, E. Laprise, J. Faucher, K. Razavi, M. Chteauneuf, A.G. Kirk, J.S. Ahearn. J. Lightwave Technology, 19, 1093 (2001).

[3] Оптический процессор EnLight256, реклама компании Lenslet (2003).

[4] M.R. Taghizdeh, A.J. Waddie. IEEE Circuits & Dev.

Magazine, No 11, 17 (2002).

[5] K.D. Choquette, H.Q. Hou. Proc. IEEE, 85, 1730 (1997).

[6] D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 11, (1999).

[7] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev.

Quantum dot lasers (Oxford, Oxford University Press, 2003).

[8] K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.H. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 916 (1997).

[9] N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.P. Vasil’ev, S.S. Mikhrin, Yu.M. Shernyakov, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, D.A. Bedarev, Yu.V. Solov’ev, A.V. Shulenkov, M.V. Maximov, V.A. Grishanov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. 4th Belarussian–Russian Workshop Semiconductor Lasers and Systems (Minsk, 2002) p. 111.

[10] Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Г. Кузьменков, Д.А. Бедарев, Ю.М. Задиранов, М.М. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, С. Mller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003).

[11] V.A. Haisler, F. Hopfer, R.L. Sellin, A. Lochmann, K. Fleischer, N. Esser, W. Richter, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl.

Phys. Lett., 81, 2544 (2002).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.