WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В последнем случае заселение состояний КТ определяРабота выполнялась при поддержке Программы INTAS ется не распределением Ферми, а вероятностью захвата (Grant 94-1028) и Российского Фонда фундаментальных электрона (дырки) в точку определенного размера. Так исследований (Грант 96-02-1784).

как число носителей, инжектированных в точки разного размера, примерно одинаково, область неравновесного Список литературы заселения характеризуется более широким распределением носителей по состояниям КТ по сравнению со слу[1] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

чаем достижения квазиравновесия. В последнем случае [2] V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, положение квзиуровня Ферми в пределе низких темпераN.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul’nikov, тур является верхней границей заполненных состояний, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, тогда как в неравновесном случае заполнены также и P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Behrer, D. Bimболее высого лежащие состояния КТ.

berg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, Proc. 9th Int. Conf.

Следовательно, одинаковый коэффициент усиления буon MBE (Aug. 5–9, 1996, Malibu, CA, USA).

дет достигаться в случае квазиравновесного распреде- [3] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, eq ления при меньшей плотности тока инжекции (Jth ) по R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shehukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S.V. Zaitsev, P.S. Kop’ev, сравнению с диапазоном температур, в котором распреnoneq eq Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, I. Heidenделение Ферми не имеет силы (Jth > Jth ). Таким reich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996).

образом, когда температура наблюдения проходит через [4] P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, граничную температуру TB, ширина линии ФЛ масси(1994).

ва КТ должна снижаться, а пороговая плотность тока [5] J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, noneq eq уменьшаться от значения Jth до Jth. Это является O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994).

причиной наблюдаемой отрицательной характеристиче[6] S.V. Zaitsev. N.Yu. Gordeev, Yu.M. Sherniakov, V.M. Ustinov, ской температуры в лазере на основе КТ в области A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Mazimov, P.S. Kop’ev, низких температур (рис. 4), а также позволяет объясZh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg.

нить наблюдаемую немонотонную зависимость ширины Proc. 9th Int. Conf. on Suprelattices, Microstructures and линии ФЛ массива ВСКТ от температуры (рис. 2). Microdevices (14–19 July, 1996, Liege, Belgium).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек... [7] М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, А.О. Косогов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Тез. докл. II Всерос. конф. по физике полупроводников (26 февр.–1 марта 1996, Зеленогорск) т. 1, с. 101.

[8] A.R. Kovsh, M.A. Odnoblyudov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul’nikov, M.V. Maksimov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev. Abstracts Int.. Symp.

”Nanosturctures: Physics and Technology” (St.Petersburg, 1996) p. 286.

[9] S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S.Kop’ev, Zh.I. Alferov.

Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995).

[10] L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, (1996).

Редактор В.В. Чалдышев Injection laser based on vertically coupled InGaAs quantum dots in a AlGaAs matrix A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, P.S. Kop’ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt Berlin, D-10623 Berlin, Germany

Abstract

Arrays of vertically coupled InGaAs quantum dots in a AlGaAs matrix have been studied. Increasing the band gap of the matrix material leads to the increase in the quantum dot localization energy in relation to the band edge of the matrix material as well as to the states of the wetting layer. By using this approach we reduced the thermal population of upper energy states and thus decreased the room temperature threshold current density down to 63 A/cm2. A model is proposed to describe the range of a negative characteristic temperature observed at cryogenic temperatures. The model is based on the possibility of a transition from the nonequilibrium to Fermi–Dirac distribution of carriers over quantum dot states.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.