WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

тах, так же как и анизотропия оптических свойств, в На высоких частотах анизотропия электропроводности, ансамблях анизотропных кремниевых нанокристаллов так же как и анизотропия оптических свойств в ансамбможет быть описана на основе модели эффективной лях анизотропных кремниевых нанокристаллов, может среды [14], когда влияние потенциальных барьеров на быть описана на основе модели эффективной среды. Знаэлектрический транспорт не существенно. В случае низ- чительная анизотропия электропроводности на частотах ких частот основное влияние на перенос носителей за- порядка 10 МГц делает исследуемый вид ПК перспективряда, по-видимому, оказывают потенциальные барьеры. ным с точки зрения применения в быстродействующих Поэтому анизотропия электропроводности может быть электронных устройствах.

объяснена различной высотой потенциальных барьеров Работа поддержана грантами Министерства образова в кристаллографических направлениях [110] и [001].

ния и науки РФ и выполнялась на оборудовании ЦКП Из данных рис. 5 видно, что значительная анизотропия физического факультета МГУ.

электропроводности сохраняется на частотах вплоть до 10 МГц и при повышенных температурах. Это свидетельтсвует о том, что основной причиной анизотропии Список литературы электрического транспорта является анизотропия кремниевых нанокристаллов, составляющих исследуемые об[1] A. Uhlir. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956).

разцы ПК.

[2] O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000).

[3] D. Kovalev, G. Polisski, J. Diener, H. Heckler, N. Knzner, V.Yu. Timoshenko, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 78, 916 (2001).

4. Заключение [4] V.Yu. Timoshenko, L.A. Osminkina, A.I. Efimova, L.A. Golovan, P.K. Kashkarov, D. Kovalev, N. Knzner, E. Gross, Таким образом, в работе исследованы частотные заJ. Diener, F. Koch. Phys. Rev. B, 67, 113 405 (2003).

висимости проводимости и емкости анизотропных на- [5] L.A. Golovan, V.Yu. Timoshenko, A.B. Fedotov, L.P. Kuznetsova, D.A. Sidorov-Biryukov, P.K. Kashkarov, A.M. Zheltikov, ноструктурированных кремниевых слоев. Полученные D. Kovalev, N. Knzner, E. Gross, J. Diener, G. Polisski, результаты указывают на существенное влияние потенF. Kosh. Appl. Phys. B, 73, 31 (2001).

циальных барьеров между нанокристаллами на электри[6] N. Knzner, E. Gross, J. Diener, D. Kovalev, V.Yu. Timoческий транспорт. Во всем исследованном интервале shenko, D. Wallacher. J. Appl. Phys., 94, 4913 (2003).

частот и температур электропроводность вдоль оси [110] [7] P.K. Kashkarov, L.A. Golovan, A.B. Fedotov, A.I. Efimova, (где кремниевые нанокристаллы имеют наибольшие разL.P. Kuznetsova, V.Yu. Timoshenko, D.A. Sidorov-Biryukov, меры) значительно выше, чем вдоль оси [001] (где кремA.M. Zheltikov, J. Haus. J. Opt. Soc. Amer., B19, 2273 (2002).

ниевые нанокристаллы имеют наименьшие размеры).

[8] П.А. Форш, Л.А. Осминкина, В.Ю. Тимошенко, П.К. КашНа низких частотах переменного сигнала анизотропия каров. ФТП, 38, 626 (2003).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния [9] P. Forsh, D. Zhigunov, L. Osminkina, V. Timoshenko, P. Kashkarov. Phys. Status Solidi (c), 2, 3404 (2005).

[10] N. Kunzner, D. Kovalev, J. Diener, E. Gross, V.Yu. Timoshenko, G. Polisski, F. Koch, M. Fujii. Optics Lett., 26, (2001).

[11] J. Frenkel. Phys. Rev., 54, 647 (1938).

[12] M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995).

[13] E. Lampin, C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. B, 58, 12 044 (1998).

[14] D. Stroud. Phys. Rev. B, 12, 3368 (1975).

Редактор Т.А. Полянская AC conductivity of the anisotropically nanostructured silicon F.A. Forsh, M.N. Martyshov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov Moscow State M.V. Lomonosov University, Physics Departament, 119992 Moscow, Russia

Abstract

Frequency-dependent electrical conductivity and capasity of porous silicon formed by electrochemical etching of heavily boron-doped (110)-oriented monocrystalline silicon wafers have been investigated. In the whole investigated range of frequency (5Hz–13 MHz) and temperature (170–370 K) the conductivity along the direction of a larger size of silicon nanocrystals is considerably higher than that along the direction of a smaller one. It has been shown that the main cause of the electrical transport anisotropy is the shape anisotropy of silicon nanocrystals characteristic to samples investigated.

7 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.