WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[4] G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 68, 111 (1984).

[5] Y.D. Galeuchet, P. Roentgen, V. Graft. J. Appl. Phys., 68, (1990).

[6] T. Sasaki, M. Kitamura, I. Mito. J. Cryst. Growth, 132, (1993).

[7] D.G. Coronell, K.F. Jensen. J. Cryst. Growth, 114, 581 (1991).

[8] K. Yamaguchi, M. Ogasawara, K. Okamoto. J. Appl. Phys., 72, 5919 (1992).

[9] Yu.N. Makarov, M.S. Ramm, E.A. Subashieva, A.I. Zhmakin.

J. Cryst. Growth, 145, 271 (1994).

[10] Г. Шлихтинг. Теория пограничного слоя (М., Наука) с. 134.

Редактор В.В. Чалдышев L.B. Proekt, M.A. Kaliteevski, V.B. Kantor, D.A. Piotrovski, M.A. Sinitsyn, B.S. Yavivh Mass transport modeling in a selective area vapor phase epitaxy A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Numerical simulation of diffusion mass transport in a selective area vapor phase epitaxy through the mask has been performed. Influence of growth precursor sticking on the mask surface and their surface diffusion were ivestigated. Results of the calculations have been compared with experimental data given in literature.

fax 7 812 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.