WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 |
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs © В.Г. Талалаев¶, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штейн, А. Голомбек, Г.Э. Цырлин†, В.Н. Петров†, В.М. Устинов-, А.Е. Жуков-, А.Ю. ЕгоровНаучно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, 198904 Санкт-Петербург, Россия Institut fr Physik, Technische Universitt Ilmenau, 98684 Ilmenau, Germany † Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 19 октября 1999 г. Принята к печати 22 октября 1999 г.) Исследованы спектры фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных при сочетании режима субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии, вицинальности подложки и близкого к критическому количества осажденного материала InAs (1.8 монослоев).

Исследованы закономерности возникновения и эволюции структуры спектра фотолюминесценции в зависимости от направления и угла разориентации, а также температуры измерений, плотности мощности и спектрального состава возбуждающего излучения. Экспериментально установлена закономерность коротковолнового смещения и сужения полосы фотолюминесценции при увеличении степени вицинальности. Уменьшение размеров квантовых точек и их дисперсии объяснено в рамках представлений о латеральном ограничении квантовых точек на террасах с учетом эффекта складывания моноатомных ступеней.

Обнаружен принципиально различный характер температурной зависимости спектрального положения и полуширины полос фотолюминесценции для изолированных и ассоциированных квантовых точек. Для всех низкотемпературных составляющих спектра установлен вклад основных экситонных состояний. По поведению температурной зависимости интегральной интенсивности полос определено участие возбужденного экситонного состояния в формировании спектра рекомбнационного излучения квантовых точек. Дана количественная оценка энергетической структуры разных групп квантовых точек InAs на подложках GaAs с разориентацией направления [001] 7.

1. Введение латеральными размерами, что проявляется в сужении полосы ФЛ [2–8].

При некоторых условиях наблюдается более сложная Интерес к полупроводниковым структурам с пониструктура спектра ФЛ КТ: основная полоса, интерженной размерностью связан в значительной мере с претируемая как экситонная рекомбинация электрона и потребностями современной оптоэлектроники в эффектяжелой дырки в основном состоянии КТ, оказывается тивных твердотельных излучателях. Возможность технеоднородно уширенной, а в ряде случаев проявляются и нологически направленной корректировки спектра издополнительные максимумы излучения. Происхождение лучения гетероэпитаксиальных наноструктур наиболее этих максимумов в настоящее время интенсивно дискувыражена для самоорганизованных массивов квантовых тируется [9–14].

точек (КТ).

В данной работе исследуется природа различных соЭффекты самоорганизации при молекулярно-пучковой ставляющих спектра ФЛ двумерных массивов КТ InAs эпитаксии и ее разновидностях в полупроводниковых на вицинальных подложках GaAs. Показано, что струксистемах AIIIBV экспериментально подтверждены ратура спектра ФЛ формируется группами КТ, принадботами последних лет (см. обзор [1]). Установлено лежащих террасам, имеющим дискретную ширину за влияние на спектры фотолюминесценции (ФЛ) латесчет эффекта складывания моноатомных ступеней. Инральных размеров, поверхностной плотности и степени тенсивная высокоэнергетическая составляющая спектра пространственной упорядоченности КТ. В свою очередь ФЛ у образцов с относительно высокой степенью рабольшинство этих факторов регулируется технологичезориентации (5 и 7) интерпретируется рекомбинаскими условиями и кинетикой роста. Так, использование ционным излучением КТ, изолированных от основнорежима субмонослойной миграционно-стимулированной го массива из-за нарушений сплошности смачивающего эпитаксии (СМСЭ) и вицинальных подложек GaAs послоя (СС) на кромках террас. Зависимость структуры зволяет получать массивы КТ InAs с наиболее близкими ФЛ от температуры и спектрального состава возбуждения соответствует предложенной модели. При иссле¶ E-mail: tantal@sbor.ru довании температурной зависимости компонент спек6 468 В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г. Гобш, Р. Гольдхан...

тра ФЛ установлена их экситонная природа и опре- 3. Результаты и обсуждение делено участие возбужденного экситонного состояния в формировании спектра рекомбинационного излуче- Исследование дополнительных максимумов рекомбиния КТ. Дана количественная оценка энергетической национного излучения предполагает, что они сепарированы от основной полосы спектра ФЛ аппаратно структуры разных групп КТ InAs на подложках GaAs c разориентацией 7 относительно [001] (InAs/GaAs (удовлетворяют критерию разрешения) или программно 7 [001]). (известен истинный алгоритм разложения спектра на составляющие). В качестве такого алгоритма обычно используют представление спектра ФЛ КТ гауссианами в 2. Образцы предположении, что контур полосы излучения описывает и экспериментальная техника статистическое распределение КТ по размерам. При этом спектральное положение максимума этой полосы Массивы КТ InAs выращивались методом характеризует средний размер КТ, а ее полуширина — СМСЭ [15]. Использовались полуизолирующие дисперсию размеров КТ.

подложки GaAs (100) без разориентации поверхности В стремлении максимально использовать аппаратный (сингулярные) и разориентированные (вицинальные) на фактор нами были проведены предварительные исслеуглы 3, 5, 7 относительно направлений [001], [010], дования, направленные на получение массивов КТ с [011] и [011].

возможно узкой полосой излучательной рекомбинации.

Исследованные эпитаксиальные структуры состояли К методам и условиям, позволяющим достичь этого, из двумерного массива КТ InAs, ограниченного со относят СМСЭ [2,4], вицинальность подложек [3,8], стороны подложки буферным слоем GaAs толщиной начальные стадии самоорганизации КТ [4,8,16], высоко300 нм, сверхрешеткой Al0.25Ga0.75As/GaAs (5периодов температурный отжиг [17–20].

2нм/2нм ) и слоем GaAs толщиной 6 нм. С другой Известно [21–23], что процесс формирования КТ стороны активный слой КТ заращивался симметрично:

на сингулярных и вицинальных поверхностях при слоем GaAs (6нм) и такой же сверхрешеткой. Нижняя молекулярно-пучковой эпитаксии в системе InAs/GaAs ограничивающая сверхрешетка выращивалась для пода- состоит из двух стадий. На первой стадии происходит вления диффузии носителей в подложку, верхняя — для рост псевдоморфного напряженного слоя InAs. По исключения влияния поверхностной рекомбинации.

достижении им критической величины (1.5–1.7) МС наВ цикле СМСЭ активного слоя КТ InAs заслонки мо- ступает вторая стадия — спонтанный распад псевдолекулярных источников InAs открывались попеременно морфного слоя на систему кристаллических островков следующим образом: после напыления индия толщиной, (КТ) и смачивающий слой InAs толщиной около 1 МС в необходимой для образования 0.5 монослоя (МС) InAs, соответствии с механизмом роста Странски–Крастанова.

поверхность выдерживалась в потоке мышьяка в течение Вплоть до толщин (3–4) МС квазитрехмерные островки времени = 10 c. Cуммарная толщина активного слоя остаются когерентно напряженными, т. е. бездислокациInAs составляла от 1 МС (2 цикла) до 3 МС (6 циклов). онными. Одновременно с этим повышается поверхностУсловия роста во всех технологических экспериментах ная плотность КТ и их средний размер, достигая предельподдерживались постоянными: давление паров мышьяка ного (равновесного) значения. Дальнейшее наращивание на уровне 4 · 10-6 Па, скорость роста InAs 0.1 МС/с, InAs приводит к появлению мезоскопических кластеров, температура роста InAs 470C, соотношение потоков содержащих дислокации.

As/In поддерживалось на уровне 10. Состояние поверх- Формирование КТ при субмонослойном осаждении ности контролировалось in situ по дифракции быстрых InAs на вицинальную поверхность GaAs может идти электронов на отражение (ДБЭО).

по другому сценарию. Структурные особенности вициИсследование спектров ФЛ проводилось с использо- нальной поверхности (ступени и террасы) ограничивают ванием автоматизированного спектрометра ДФС-12. В непрерывность поверхностного потенциала [24]. Кромки качестве приемника излучения использовался охлажда- террас создают систему потенциальных барьеров, заемый фотоумножитель, сигнал с которого подавался трудняющих миграцию адсорбированного вещества по на усилитель и далее на компьютер. ФЛ возбуждалась поверхности СС [25]. При соблюдении определенных гелий-неоновым и аргоновым лазерами. Мощность воз- требований СМСЭ (низкие скорости потоков и соответбуждающего излучения регулировалась калиброванными ствующие температуры роста) это может способствовать светофильтрами. Имелась также возможность варьиро- разрыву субмонослойного покрытия на краях террас и вать спектральный состав возбуждающего излучения с образованию ограниченных этими террасами кластеров помощью галогеновой лампы и светосильного монохро- InAs [7,24]. Нарушения сплошности псевдоморфного матора МДР-12, согласованного с базовой системой ре- слоя становятся весьма вероятными, если края террас гистрации. Низкотемпературные измерения проводились имеют особенности высотой до 2 нм, о которых сообщав специальных криостатах, которые позволяли изменять ется в [21]. В результате формирование КТ при СМСЭ и стабилизировать температуру с точностью ±0.1K в на вицинальной поверхности может быть смещено в интервале T = 5-300 K. область меньшего количества осаждаемого материала. В Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных... обычном режиме молекулярно-пучковой эпитаксии (при отсутствии нарушений сплошности СС) вицинальность поверхности приводит к увеличению критической толщины InAs [26].

Совместное использование нами режима СМСЭ и вицинальных подложек с углом разориентации 5 приводило к формированию массива КТ начиная со слоя InAs толщиной 1.8 МС. Для слоя такой толщины всегда налюдались четкие рефлексы ДБЭО и сформировавшийся спектр ФЛ КТ в области 1.1–1.45 эВ, тогда как для меньших толщин InAs регистрировался только сигнал ФЛ напряженного барьерного слоя GaAs вблизи 1.5 эВ (излучение экситонов и примесного углерода). Увеличение толщины псевдоморфного слоя InAs от 1.8 МС до Рис. 2. Спектр фотолюминесценции КТ InAs/GaAs 5 [011] 3 МС наряду с длинноволновым смещением полосы ФЛ при T = 5 K и его разложение на гауссовы контуры.

КТ приводило к ее уширению, что свидетельствует об Возбуждение излучением He–Ne-лазера, мощность 20 мВт, укрупнении КТ при одновременном разупорядочении их WL — смачивающий слой.

по размерам и форме. Поэтому все исследования тонкой структуры ФЛ КТ InAs проводились нами на массивах КТ, выращенных в режиме СМСЭ на вицинальных подложках GaAs из слоя InAs толщиной 1.8 МС. Сочетание всех этих факторов позволило добиться максимального аппаратного разрешения в спектре ФЛ таких КТ и исследовать его дополнительную тонкую структуру.

3.1. Группы квантовых точек на разориентированных подложках Эксперименты с вицинальными подложками показали, что при равных технологических условиях размеры КТ InAs и дисперсия этих размеров зависят от величины и направления разориентации подложки GaAs. Анализ низкотемпературных спектров ФЛ позволяет говорить о тенденции, общей для всех исследованных направлений Рис. 3. Спектр фотолюминесценции КТ InAs/GaAs 7 [001] и углов разориентации: коротковолновый сдвиг максипри T = 5 K и его разложение на гауссовы контуры. Возбуждемума ФЛ КТ, его сужение и появление дополнительной ние излучением Ar+-лазера, мощность 20 мВт. WL — смачиструктуры в спектре излучения.

вающий слой.

В серии образцов, разориентированных относительно [011], оказалось возможным наблюдать монотонный коротковолновый сдвиг максимума излучения КТ (с 1.на 1.375 эВ) и его сужение (от 95 до 33 мэВ) при изменении степени вицинальности от 0 до 7 (рис. 1).

Другой характерной особенностью спектров ФЛ КТ на подложках с разориентированными направлениями [011] и [011] является наличие широкого бесструктурного крыла на длинноволновом спаде основной полосы (рис. 2).

Несколько иная эволюция низкотемпературного спектра ФЛ отмечалась у образцов с увеличением разориентации подложки относительно [001] и [010]. Спектральные характеристики структуры ФЛ изменялись немонотонно. Полоса ФЛ КТ InAs для вицинального образца, разориентированного на угол 3, соответствовала полосе излучения КТ InAs на сингулярной поверхности GaAs.

Спектры ФЛ образцов с углами разориентации 5 и были идентичными и характеризовались резкой интенРис. 1. Спектры фотолюминесценции КТ InAs, выращенных сивной полосой на энергии 1.37 эВ и слабой структурой на вицинальных подложках GaAs (100) с различными углами разориентации относительно направления [011]. T = 5K. в низкоэнергетической части спектра (рис. 3).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 470 В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г. Гобш, Р. Гольдхан...

Причины обнаруженных закономерностей кроются, террасах, уширенных с кратностью Q = 3 для образца очевидно, в наличии на вицинальных поверхностях сту- с разориентацией 5 (W = 10.5нм) и начиная с Q = пенчатых террас, которые ограничивают размеры КТ. С (W = 9.2нм) для образца с разориентацией 7.

учетом использованных нами технологических режимов В рамках предложенной модели следующая составляпредставляется маловероятным размещение одной КТ ющая QD1 (1.345 эВ) спектра ФЛ (рис. 3) рассматривана нескольких террасах, хотя мы допускаем участие ется нами как излучение КТ, ограниченных террасами с соседних террас в процессе формирования КТ. Тем не кратностью уширения Q, на единицу меньшей, чем для менее, прямое сопоставление размеров основания КТ QD0, т. е. Q = 2 (W = 7нм) для угла разориентации и ширины террас заставляет сделать вывод о том, что A = 5 и Q = 3 (W = 6.9нм) для угла A = 7.

Pages:     || 2 | 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.