WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Сценарий эволюции микроструктуры подразделяется с достаточно хорошей точностью на три стадии.

N tn-1, NR tn-2/3. (17) 1) После включения облучения начинается инкубационная стадия, за время которой происходит медлен- Соответственно из (16) следует, что самосогласованный t ное зарождение ансамбля вакансионных пор, скорость источник ii tn должен иметь n = 5/6 [5]. Таким NR которого резко возрастает с ростом пересыщенности образом, соотношения (17) принимают вид растворов точечных дефектов. При этом происходит зна чительный рост NV (t) и достаточно медленный рост R. N t-1/6, NR t1/6. (18) Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. Эволюция микроструктуры в облучаемых материалах AV F4NR для межузельных дислокационных петель Отсюда следует, что множитель в области (AV F+4NR)своего максимума изменяется со временем очень мед 2R e ln R2(1 - )KT ленно (при изменении интервала времени на порядки R0V eV t2 loop,i, он меняется незначительно). Очевидно также, что время DV cV G нахождения материала в области максимально эффекeV eV тивного источника и вносит главный вклад в распухание где void и loop,i — времена испарения поры и петли материала под облучением.

средних по ансамблю размеров в отсутствие облучения.

Таким образом, в (15) начиная со времени В случае импульсного режима источника K, когда ис AV F4NR AV F 4NR можно положить коэффициент точник работает в течение времени t1, а в течение t (AV F+4NR)не работает, имеем равным его максимальному значению — 1/4. Тогда (14) в этой наиболее важной для распухания области времен 1 примет очень простой вид ii = K t1 - 2ND ( t1 + t2) n 4 T 1 ii t>t = K - 8ND. (19) 1 t1 4 T = K - 2ND t, (21) 4 t1 + t2 T Как видно из (19), при постоянном источнике распухаt =( t1 + t2)n — время за n циклов „вспышек“ исние линейно по времени точника точечных дефектов. Заметим, что „растворный“ 1 член в (21) работает все время.

ii t>t = K - 8ND t. (20) 4 T Из (21) также видно, что для увеличения „растворного“ члена необходимо, чтобы на стадии зарождения пор их было как можно больше при данном K.

5. Циклический режим облучения Заметим, что при получении (21) использованы потоки вакансий на поры в квазистационарном приближении.

Как отмечалось выше, использование квазистацио Это справедливо при выполнении условия t1 R2/DV, нарного приближения возможно при выполнении так где R — средний размер поры, достигнутый за время называемых условий „быстрой подстройки“ концентрапредыдущих циклов, DV — коэффициент диффузии ционных профилей пересыщенных растворов вакансий и вакансий.

межузельных атомов к изменяющимся условиям облучеКроме того, должно выполняться условие малого ния за время цикла. Эти условия имеют следующий вид:

изменения параметров системы за один цикл действия для ансамбля вакансионных пор источника i V void void t1, t2, dR DV R3 R= -, t2.

где dt R R DV DV cV T (3/4)2/3 R2 V (3/4)2/3 Ri void, void ;

4N2/3Di Di 4N2/3DV DV 6. Заключение для дислокаций Отметим, что если облучение приводит к ядерным i V реакциям с появлением атомов газа, то этот фактор disl disl t1, t2, является очень существенным для источника атомов, где на узел где ri 1 i V ln 1 1 rV disl, disl.

Igas > K = K.

Di DV L 4 ln rV Здесь t1 — длительность облучения в одном цикле, t2 — длительность паузы в одном цикле. Это связано с тем, что потоки атомов газа на поры выВторой тип условий, обеспечивающий возможность зывают разделение потоков точечных дефектов. В этом усреднения по циклам в рамках развитого подхода, случае вакансии идут преимущественно в поры с газом, формулируется как требование малости изменения па- а межузельные атомы — в дислокационную подсистему.

раметров ансамблей пор и дислокаций за время tМеханическая нагрузка, действующая на материалы, одного цикла, что в количественном отношении можно также существенно влияет на них, распределяя поры выразить следующим образом:

асимметрично в границах зерен. Важную роль в процесдля пор се распухания материалов играет начальная стадия — RV зарождение пор с газом при облучении. Все эти вопросы eV t2 void, предполагается рассмотреть в дальнейшем.

DV cV 0 KT 6 Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 468 В.В. Слезов, А.В. Субботин, О.А. Осмаев Список литературы [1] V.V. Slesov, P.A. Bereznyok. In: Physics of Radiation Effects in Cristals. Irradiation creep in metals / Ed. N.A. Johnson, A.N. Orlov. (1986). P. 575–621.

[2] В.В. Слезов. ФТТ 31, 8, 20 (1989).

[3] В.В. Слезов. ЖЭТФ 53, 9, 912 (1967).

[4] В.В. Слезов, В.Б. Шикин. ФТТ 6, 1, 7 (1964).

[5] А.В. Субботин. Атом. энергия 43, 2, 100 (1977).

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.