WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[10] A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998).

[11] M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 (1994).

[12] Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992).

Однако при малых значениях a коэффициент ОР для [13] Интерактивная база данных ”Новые полупроводCHHS-процесса убывает быстрее с уменьшением a, чем никовые материалы. Характеристики и свойства” для CHCC-процесса.

/http/www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/.

На рис. 3 представлена температурная зависимость Редактор Л.В. Шаронова суммарного коэффициента ОР при различных ширинах 6 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 466 Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря A numerical calculation of Auger recombination coefficients in InGaAsP/InP quantum well heterostructure N.A. Gun’ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Numerical calculation of Auger recombination coefficients in InGaAsP/InP heterostructures with quantum wells is presented. It is shown that the thresholdless and quasi-threshold mechanisms make the main contribution to Auger coefficient. Both CHCC and CHHS Auger coefficients are shown to have weak temperature dependence in a wide temperature range. Also studied is the dependence of Auger coefficient on quantum well width. It is demonstrated that this dependence is nonmonotonic.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.