WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N/Al0.55Ga0.45N дает величину [15] N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, S.Yu. Karpov, R.A. Taвстроенного электрического поля 9 · 105 В/см, которое lalaev. Appl. Phys. Lett., 74, 1854 (1999).

вызывает сдвиг люминесценции 170 эВ. Это значение [16] H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, Y. Aoyagi.

находится в хорошем согласии с экспериментальной Appl. Phys. Lett., 80, 37 (2002).

величиной сдвига катодолюминесценции.

[17] V. Fiorentini, F. Bernardini. Phys. Rev. B, 60, 8849 (1999).

Редактор Л.В. Шаронова 4. Заключение Enhanced radiative recombination Переход от двумерного к трехмерному режиму в from AlGaN quantum wells grown процессе роста ямных слоев в МКЯ вызывает увеличение интенсивности катодолюминесценции почти на 2 by molecular beam epitaxy порядка. Наблюдается сильная зависимость параметров B.A. Borisov, S.A. Nikishin, V.V. Kuryatkov, катодолюминесценции от температуры роста и потоV.I. Kuchinskii, M. Holtz, H. Temkin ка аммиака. Этот эффект вызван формированием КТ Department of Electrical Engineering, Alx Ga1-xN в матрице твердого раствора с другим x.

Сформированная в данной работе структура активной Texas Tech University, области может быть использована в светодиоде, что Lubbock, TX 79409, USA позволит получить высокую мощность излучения на Ioffe Physicotechnical Institute, длине волны 280 нм. Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Работа выполнена при поддержке грантов NSF (ECS-0323640 и ECS-0304224) и фонда J.F. Maddox.

Abstract

A dependence of the cathodoluminescence intensity of the Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N multi-quantum-wells grown by molecular beam epitaxy on the growth condition is presented. We Список литературы observed two orders of magnitude increase of cathodolumines[1] G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, S. Nikishin, M. Holtz, cence intensity at the energy 4.45 eV when the wells were grown S.N.G. Chu, H. Temkin. Phys. Status Solidi A, 192, 286 under ammonia deficit condition. The tendency to three-dimension (2002). growth mode was seen on the high energy electron diffraction [2] G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, M. Holtz, image. We interpret this effect in terms of AlGaN quantum dots S. Nikishin, H. Temkin. J. Appl. Phys., 93, 1363 (2003). formation.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.