WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||
Действительно, мы обнаружили, что энергетиче- ев, проявляющейся вблизи края пластины. На рис. 6, a ское положение линии F практически не меняется во приведены полученные из эксперимента зависимости всем диапазоне изменения ширины туннельного барьера энергии EF для линии F от ширины барьера WBAR (экспериментальная зависимость 1, рис. 6, a). Однако (кривая 1) и рассчитанные энергии переходов e1-hhполученная экспериментально зависимость положения от WBAR (кривая 3). Энергия связи экситонов Eex для КЯ линии E от WBAR (зависимость 2) демонстрирует мо- QWE принята равной 7 мэВ согласно зависимости Eex от нотонный рост кривой в сторону больших энергий при ширины КЯ, приведенной в работе [14].

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 462 Ю.В. Хабаров, В.В. Капаев, В.А. Петров Мы исследовали также зависимости интенсивностей ности линии E при увеличении WBAR. Это в свою очередь линий F и E от ширины туннельного барьера WBAR показывает, что барьер, разделяющий КЯ, влияет не (здесь и далее под интенсивностью понимается оценка только на перераспределение носителей в ТСКЯ, но и снижает эффективность рекомбинации носителей в интегральной светимости составляющей спектра). Мы наблюдали близкий к экспоненциальному спад инте- такой структуре.

Мы полагаем, что наблюдаемая картина может быть гральной светимости линии F с увеличением WBAR объяснена существованием в структуре внутреннего и одновременное увеличение интегральной светимости электрического поля как фактора, вносящего существенлинии E (зависимости 2 и 1 соответственно, на рис. 6, b).

ную асимметрию в систему. Присутствие такого поля Прежде всего следует отметить относительно низкую порядка 5 · 103 В/см позволяет объяснить обсуждаемую интенсивность линии E и отсутствие других спектральвыше зависимость энергии линии E от WBAR. Это поле ных особенностей, которые можно было бы отнести к в существенной степени определяет также заполнение „прямым“ переходам e2-hh2, несмотря на их теореквантовых ям дрейфовыми потоками релаксировавших тически высокую вероятность во всем рассмотренном фотовозбужденных носителей — электронами из верхдиапазоне WBAR (кривая 5, рис. 6, b). Рассчитанная и него барьерного слоя GaAs, граничащего с узкой КЯ, и близкая к единице вероятность переходов e1-hh1 не дырками из нижнего слоя GaAs, граничащего с широкой зависит от ширины туннельного барьера для достаточно КЯ. По-видимому, в рассматриваемой структуре роль больших WBAR (кривая 4, рис. 6, b), в то время как этих потоков в процессе заполнения ТСКЯ носителяэкспериментальная зависимость интенсивности линии F ми является определяющей. Очевидно, что туннельный от WBAR демонстрирует экспоненциальный спад (зависибарьер, способствуя разделению электронов и дырок, мость 1, рис. 6, b). Напротив, интенсивность линии E захватываемых в разные КЯ, препятствует их рекомвозрастает с увеличением WBAR, тогда как расчетная бинации тем сильнее, чем больше его ширина. Таким вероятность перехода e2-hh1 при WBAR > 3нм экспообразом, относительно высокая неравновесная конценненциально падает (кривая 6, рис. 5, b). В целом картину трация дырок в QWF создает условия для интенсивной ФЛ в исследованных нами туннельно-связанных КЯ не „прямой“ рекомбинации захваченных в эту КЯ элекудается объяснить, ограничиваясь только рассчитанными тронов, а также увеличивает интенсивность „непрямых“ зависимостями квадратов интегралов перекрытия волнопереходов электронов из QWE. В этом случае увеливых функций от WBAR. Мы полагаем, что наблюдаемое чение интенсивности линии E, сопутствующее уменьповедение интенсивности излучательной рекомбинации шению интенсивности линии F, может быть связано в исследуемой нами структуре определяется главным с уменьшением туннельного оттока электронов из КЯ образом несимметричной заселенностью энергетических QWE, т. е. с увеличением стационарной неравновесной подзон фотовозбужденными носителями, неравномерконцентрации электронов в этой КЯ по мере снижения ное (но стационарное) пространственное распределетуннельной прозрачности барьера, что в конечном счете ние которых изменяется вместе с изменением ширины приводит к увеличению темпа излучательной рекомбитуннельного барьера. В частности, отсутствие в спекнации из КЯ QWE. При дальнейшем увеличении WBAR интрах ФЛ интенсивной составляющей, относящейся к тенсивность линии E проявляет тенденцию к снижению „прямым“ переходам e2-hh2 в узкой КЯ QWE, можно (кривая 2, рис. 6, b), как и следует ожидать для процесса связать, по-видимому, с малой концентрацией дырок в рекомбинации носителей, разделенных потенциальным этой КЯ, в то время как высокая интенсивность линии F барьером.

свидетельствует о наличии достаточной концентрации Быстрое, нескомпенсированное ростом интенсивности дырок в широкой КЯ QWF. К такого рода особенностям линии E, затухание линии F при увеличении WBAR, свизаселенности носителями рассматриваемых ТСКЯ модетельствует об изменении рекомбинационных свойств жет привести несимметричность процессов их захвата.

всей системы ТСКЯ. По-видимому, наблюдаемый хаТак, сильное влияние увеличения ширины барьера WBAR рактер изменения интенсивности связан не только с на уменьшение интенсивности линии F может свидетуннельной составляющей потока электронов в КЯ QWF тельствовать о важной роли в заполнении носителями из КЯ QWE, но и с изменением динамики захвата элекширокой КЯ QWF неравновесных фотовозбужденных тронов из зоны проводимости GaAs в КЯ QWF. Действиэлектронов, как туннелирующих в эту КЯ из узкой тельно, в присутствии электрического поля увеличение КЯ QWF, так и попадающих в нее из области над WBAR приводит к увеличению разности потенциалов туннельным барьером (надбарьерных электронов).

между КЯ, т. е. к увеличению скорости надбарьерных Аналогично преимущественным заполнением КЯ электронов. Это в свою очередь может повлиять на QWF дырками из нижнего барьерного слоя GaAs и уменьшение вероятности захвата электронов в КЯ QWF.

малой прозрачностью для них барьера, разделяющего При этом уменьшается поток электронов, попадающих КЯ, определяется их более высокая концентрация в в КЯ QWF без накопления их в КЯ QWE, а следоваэтой КЯ.

тельно, и без увеличения напряженности электрического Особенностью наблюдаемой картины ФЛ является до- поля в барьере, что согласуется с зависимостью энергии вольно быстрое уменьшение суммарной интенсивности наблюдаемых оптических переходов из QWE от WBAR, линий E и F вместе с одновременным уменьшением демонстрирующей постоянный наклон для WBAR > 5нм интенсивности линии F и некоторым ростом интенсив- (кривая 5, рис. 6, a).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием... Как и в рассмотренном выше случае изолированных в структурах с планарно-неоднородными слоями. Этот КЯ, зависимость относительной интенсивности линии F метод позволил исследовать на одном образце зави(отношения интенсивности линии E к интенсивности симости интенсивностей линий фотолюминесценции и линии F) от ширины барьера WBAR демонстрирует их энергетических положений от ширины туннельного малый разброс экспериментальных точек, что позволяет барьера для системы туннельно-связанных квантовых более отчетливо выявить особенности на этой завиям GaAs–InGaAs–GaAs и от ширины КЯ для системы симости в области малых значений ширины барьера изолированных КЯ AlGaAs–GaAs–AlGaAs.

(зависимость 3, рис. 6, b). Так, при уменьшении WBAR Прецизионное, в масштабе единиц монослоев, изменее 5 нм наблюдаемое снижение относительной инменение ширины узкой КЯ в системе двух изолиротенсивности ФЛ резко замедляется и происходит ее лованных КЯ AlGaAs–GaAs–AlGaAs продемонстрировало кальное увеличение. В этом же интервале значений WBAR чувствительность полученных зависимостей к рельефу наблюдается уменьшение энергии максимума линии E гетерограниц КЯ. Это в свою очередь позволило опреде(зависимость 2, рис. 6, a) и отклонение ее значений лить локальные значения средней ширины КЯ с учетом от расчетной кривой 4 (рис. 6, a), полученной для рельефа гетерограниц и продемонстрировать важную безэкситонных переходов.

роль движения носителей в плоскости КЯ для процесса Мы полагаем, что рассматриваемые особенности моизлучательной рекомбинации в КЯ. Был обнаружен гут быть связаны с постепенным изменением характера осциллирующий характер зависимости относительной „непрямых“ оптических переходов из КЯ QWE в КЯ интенсивности ФЛ двух КЯ от ширины КЯ, связанный QWF, с безэкситонного в области больших WBAR на с периодическим изменением эффективности захвата в экситонный в рассматриваемой области. В этом случае КЯ фотовозбужденных носителей.

при уменьшении WBAR вклад экситонной составляющей Соответствие экспериментальных и полученных в становится более существенным. Одновременно можно работе расчетных зависимостей для энергий оптичеожидать увеличения энергии связи „непрямых“ экситоских переходов структуры из двух туннельно-связанных нов, а также изменения кинетики процесса рекомбинаКЯ GaAs–InGaAs–GaAs–InGaAs–GaAs позволило иденции, что может проявиться в изменении интенсивнотифицировать наблюдаемые „прямые“ и „непрямые“ сти ФЛ.

в координатном пространстве оптические переходы и С малой шириной туннельного барьера связаны таксвязать параметры ФЛ этой структуры с внутренним же особенности кривой, демонстрирующей изменение постоянным поперечным электрическим полем.

энергии „прямых“ переходов из КЯ QWF. Зависимость на рис. 6, a показывает, что при малых значениях WBAR На основе анализа картины изменения интенсивности линий ФЛ сделан вывод о влиянии электрического на энергетическое положение спектрального максимума поля на процесс заполнения КЯ фотовозбужденными излучения, связанного с первой электронной подзоной, носителями. Наличие поля приводит к несимметричной слабо влияет близость узкой КЯ QWE. Расчет, однако, неравновесной заселенности квантовых подзон системы предсказывает снижение энергии „прямых“ переходов e1-hh1 при уменьшении WBAR. Отсутствие такой тен- вследствие существенной роли дрейфа носителей в проденции на экспериментальной кривой 1 указывает на цессе заполнения ими КЯ. В рамках этих представлений то, что наблюдаемое излучение линии F не опреде- удается качественно описать картину наблюдаемой ФЛ ляется непосредственно переходом e1-hh1. Экситон- ТСКЯ во всем диапазоне изменения ширины туннельная природа этой линии предполагает для достаточно ного барьера, включая особенности наблюдаемых завибольшой ширины барьера рекомбинацию экситонов с симостей в области малых значений ширины барьера, участием носителей, локализованных в широкой КЯ.

характер которых позволяет связать их природу с реВлияние узкой КЯ QWE проявляется в увеличении комбинацией экситонных состояний в ТСКЯ.

эффективной ширины широкой ямы, из-за туннельного Механизм заполнения КЯ дрейфовыми потоками репросачивания электронов уровня e1 в узкую КЯ. Оно лаксировавших фотовозбужденными носителей хорошо изменяет условия существования экситонного состояния соответствуют экспериментальной картине ФЛ для обеи может проявиться в снижении энергии связи экситона их рассмотренных систем КЯ.

или стать причиной его разрушения. Возможно, вклад Авторы благодарят А.В. Гука за помощь в подготовке соответствующих оптических переходов при компенсиобразца. Один из авторов (В.А. Петров) благодарит Росрующем изменении энергии связи экситонов приводит сийский Фонд Фундаментальных Исследований, грант к тому, что энергия максимума спектральной линии № 01-02-17450, за частичную поддержку работы.

результирующего излучения практически не изменяет своего положения.

Список литературы 4. Заключение [1] Ю.В. Хабаров. Патент РФ № 2168238 (2001).

Спектрально-корреляционный метод исследования на[2] Ю.В. Хабаров. ФТП, 37, 339 (2003).

ноструктур применен для изучения фотолюминесценции [3] M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., 70, Rтуннельно-связанных и изолированных квантовых ям (1991).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 464 Ю.В. Хабаров, В.В. Капаев, В.А. Петров [4] G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner, P. Voison. Advances in Electronics and Electron Physics, ed. by Peter W.

Hawkes (Boston–San Siego–N.Y.–Berkeley–London–Sydney– Tokyo–Toronto, Academic Press, 1988). v. 72.

[5] И.А. Авруцкий, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич. ФТП, 25, (1991).

[6] I.V. Bradley, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R.P. Webb. J. Appl.

Phys., 73, 1686 (1993).

[7] G.Ji.D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987).

[8] M. Wojtowiez, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit.

J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997).

[9] T.G. Anderson, Z.G. Chen, V.D. Kulakovskii, A. Uddin, J.T. Valin. Phys. Rev. B, 37, 4032 (1988).

[10] L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1984).

[11] P.O. Vaccaro, M. Takahashi, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl.

Phys., 76, 8037 (1994).

[12] А.С. Игнатьев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, 28, 125 (1994).

[13] Er-Huan Ping, V. Dalal. J. Appl. Phys., 74, 5349 (1993).

[14] M.J.L.S. Haines, N. Abmed, S.J.A. Adams, K. Mitchell, I.R. Agool, C.R. Pidgeon, B.C. Cavenett, E.P. O’Reilly, A. Ghiti, M.T. Emeny. Phys. Rev. B, 43, 11 944 (1991).

Редактор Л.В. Беляков Investigation of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers.

Photoluminescence of tunnel-coupled quantum wells Yu.V. Khabarov, V.V. Kapaev, V.A. Petrov+ Institute of UHF Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, 117105 Moscow, Russia Lebedev Physics Institute, Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow, Russia + Institute of Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, 101999 Moscow, Russia

Abstract

Suggested earlier spectrum-correlative method of nanostructures investigation is applied for study of photoluminescence of tunnel-coupled and insulated quantum wells in structures with laterally-nonuniform layers. This method has allowed to obtain within one wafer dependencies of the photoluminescence lines intensity and the energy on tunnel barrier width for the system of tunnel-coupled quantum wells GaAs–InGaAs–GaAs and these on the quantum well width for insulated quantum wells AlGaAs–GaAs–AlGaAs. Good agreement of experimental data with theoretical calculations was achieved supposing the presence of the constant transverse electrical field in tunnelcoupled quantum wells structure affecting processes of carrier capture into quantum wells. For insulated quantum wells, the dependence of photoluminescence parameters on quantum wells width demonstrates sensitivity to the interface relief and that to processes of carrier capture into quantum wells.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.