WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

в спектре 1, но в спектре 2 он расщепляется на 2 пика, Показано, что оптимальным с точки зрения оптистановится двумодовым, что свидетельствует о том, что ческих свойств и морфологии поверхности структуры в данном случае слой InGaAs нельзя представить как однородный, хотя отличие в ростовых процессах каса- является прерывание процесса роста и повышение температуры подложки на стадии роста буферного слоя лось лишь стадии после формирования КТ и покровного GaAs, после того как тонкий слой GaAs выращен при слоя InGaAs. Двумодовый пик характерен для всех температуре роста квантовых точек.

процессов с тонкой низкотемпературной прослойкой Выращенные в оптимальных усовиях структуры деGaAs, поэтому можно предположить, что в таком виде монстрируют интенсивную фотолюминесценцию в инпроявляется вторичный слой InGaAs, образованный в результате растворения крупных островков. Подтвер- тервале 1.3-1.4 мкм при комнатной температуре. Пик ждением этой интерпретации служат данные для струк- фотолюминесценции имеет ширину 30-40 мэВ и слабую зависимость от температуры. Типичным является менее тур с уменьшением времени роста КТ до значений, когда чем 10-кратное затухание интегральной интенсивности точки только начинают образовываться. Пик становится пика при подъеме температуры от азотной до комнатной.

одномодовым, несмотря на то что остальные условия роста сохранены. При малом количестве высаженного Работа была поддержана Samsung Advanced Institute материала крупные островки не образуются и дополниof Technology, а также грантами РФФИ № 04-02-17180 и тельный вторичный слой InGaAs не может возникнуть.

№ 04-02-17046.

Вторичный слой InGaAs наблюдался ранее в работе [17] с помощью просвечивающей электронной микроскопии для КТ InGaAs, закрытых тонким слоем InGaAs (1.6 нм) Список литературы и слоем низкотемпературного GaAs (4нм).

[1] Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Низкотемпературная часть барьерного слоя GaAs Ж.И. Алфёров, Д Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998).

должна быть тонкой по двум причинам. Это упомянутый [2] Nano-Optoelectronics. Concepts, Physics and Devices, ed. by выше эффект сильного влияния температуры роста на M. Grundman (Springer Verlag, Berlin, 2002) p. 442.

оптическое качество структуры и положительный эф[3] Semiconductor Quantum Dots. Physics, Spectroscopy and фект растворения крупных островков, когда они не до Applications, ed. by Y. Masumoto, T. Takagahara (Springer.

верха закрыты слоем GaAs. Слой способствует быстрой Berlin, 2002) p. 486.

планаризации ростового фронта и приводит к пони[4] А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, женной плотности дефектов в многослойных структуВ.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Б.В. Ворах с КТ. ловик, Д.А. Бедарев, Ю.М. Шерняков, Е.Ю. Кондратьева, Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек... Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. Optimization of temperature conditions ФТП, 33, 1020 (1999).

for metal-organic vapor-phase epitaxy [5] Б.А. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоof InAs(N) quantum dots on GaAs(001) ров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Макwith intensive photoluminescence симов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, at 1.3 µm П. Вернер. ФТП, 33, 990 (1999).

V.I. Shashkin, V.M. Danil’tsev, M.N. Drozdov, [6] F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, Yu.N. Drozdov, D.M. Gaponova, O.I. Khrykin, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64, A.V. Murel, N.V. Vostokov, Taek Kim, Yong-Jo Park 085 305 (2001).

[7] T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, O. Wada. Appl. Phys. Lett., 83, Institute for Physics of Microstructures, 4152 (2003).

Russian Academy of Sciences, [8] O. Schumann, L. Geelhaar, H. Riechert, H. Cerva, 603950 Nizhny Novgorod, Russia G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 96, 2832 (2004).

Photonics Laboratory, [9] T. Hakkarainen, J. Toivonen, H. Koskenvaara, M. Sopanen, Samsung Advanced Institute of Technology, H. Lipsanen. J. Phys.: Condens. Matter., 16, S3009 (2004).

[10] H.Y. Liu, R. Sellers, M. Gutirrez, K.M. Groom, W.M. Soong, Gyeonggi-do 449-712, Korea M. Hopkinson, J.P.R. David, R. Beanland, T.J. Badcock, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick. J. Appl. Phys., 96, 1988 (2004).

Abstract

We report on the self-organized growth of [11] G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. MeInAs(N)/GaAs QDs by the low pressure MOVPE with dimethylreuta, J.M. Moison, J.M. Gerard, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., hydrazine as nitrogen precursor. It is now well-established fact 79, 2157 (2001).

that the growth temperature for InGaAs quantum dot formation [12] H. Saito, T. Makimoto, N. Kobayashi. J. Cryst. Growth, 195, has to be limited so that to prevent the undesirable In–Ga 416 (1998).

interdiffusion and In atoms re-evaporation processes. On the other [13] X.W. Lin, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl.

hand, thick GaAs barrier layer in MOVPE growth method has Phys. Lett., 65, 1677 (1994).

to be grown at a higher temperature, due to strong effect of [14] F. Patella, F. Arciprete, E. Placidi, S. Nufris, M. Fanfoni, A. Sgarlata, D. Schiumarini, A. Balzarotti. Appl. Phys. Lett., growth temperature on its optical quality. The temperature rise by 81, 2270 (2002).

100 degrees takes about 2 minutes the for growth interruption. The [15] Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Муgrowth interruption for the temperature ramping may be chosen рель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Поверхность. РСНИ, at different stages: (i) before InGaAs cap-layer; (ii) in the InGaAs вып. 7, 17 (2000).

cap-layer; (iii) between the InGaAs cap-layer and the GaAs barrier [16] R. Sellin, F. Heinrichsdorff, Ch. Ribbat, M. Grundmann, layer; and (iv) in the GaAs barrier layer. The last variant (iv) U.W. Pohl, D. Bimberg. J. Cryst. Growth, 221, 581 (2000).

was founded as the most appropriate for InAs(N) QD structure [17] G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Meformation with intensive photoluminescence at 1.3 µm wavelength.

reuta, J.M. Gerard, I. Sagnes. J. Cryst. Growth, 235, 89 (2002).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.