WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Согласно общей теории, наиболее интенсивные пе[6] W.R.L. Lambrecht, B. Segall. Phys. Rev. B, 43, 7070 (1991).

реходы должны наблюдаться между теми парами зон, [7] A.R. Lubinsky, D.E. Ellis, G.S. Painter. Phys. Rev. B, 11, которые параллельны в некотором объеме зоны Брил- (1975).

[8] L.A. Hemstreet, C.Y. Fong. Phys. Rev. B, 6, 1464 (1972).

люэна. По этой модели нами были проанализированы [9] K.-Ho Lee, C.H. Park, B.-Ho Cheong, K.J. Chang. Sol. St.

теоретические схемы зон работ [3–10,22]. Для краткости Commun., 92, 869 (1994).

в таблице приведены энергетические расстояния между [10] W.R.L. Lambrecht, C.H. Lee, K. Kim et al. In: Wide Band различными парами зон в окрестности точек, X, K, Gap Electronic Materials (Dodrecht, Kluwer Acad., 1995) L, W, U,,, без указаний нижней и верхней p. 335.

зон. Анализ этих данных свидетельствует о большой [11] W.R.L. Lambrecht, B. Segall, M. Joganathan et al. Phys. Rev.

противоречивости зонных схем, встречающихся в разB, 50, 10 722 (1994).

личных работах, и их существенных несовершенствах.

[12] S. Logothetidis, J. Petalas. J. Appl. Phys., 80, 1768 (1996).

Поэтому предложенная нами в таблице интерпретация [13] В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислитель11 компонент 2(E) для кристалла 3C-SiC является одной физики в теории твердого тела. Электронная ной из первых попыток детального сопоставления теории структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988).

зон с тонкой структурой переходов экспериментально[14] В.В. Соболев, В.Вал. Соболев. ФТТ, 36, 2560 (1994).

расчетного спектра 2(E) в широкой области собствен- [15] B.E. Wheeler. Sol. St. Commun., 4, 173 (1966).

ного поглощения. [16] W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 187, 1041 (1969).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния [17] М.Л. Белле, Н.К. Прокофьева, М.Б. Рейфман. ФТП, 1, (1967).

[18] Д.С. Недзвецкий, Б.В. Новиков, Н.К. Прокофьева, М.Б. Рейфман. ФТП, 2, 1089 (1968).

[19] В.В. Соболев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 6, (1970).

[20] P.T.B. Shaffer. Appl. Optics, 10, 1034 (1971).

[21] A.R. Forouhi, J. Bloomer. Phys. Rev. B, 38, 1865 (1988).

[22] F. Herman, J.P. Van Dyke, R.L. Kortum. Mater. Res. Bull., 4, S167 (1969).

Редактор Л.В. Шаронова Optical spectra and electronic structure of 3C-SiC V.V. Sobolev, A.N. Shestakov Udmurt State University, 426034 Izhevsk, Russia

Abstract

A full complex of fundamental optical functions of a 3C-SiC crystal has been calculated according to reflectivity spectra in the range from 2 to 16 eV. For the first time the integral curve of dielectric function was separated into 11 components. Their parameters such as the maximum and halfwidth energies as well as the oscillator strength were found. The analysis of results obtained was performed through theoretical calculations of the band structure and optical function spectra.

5 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.