WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

На рис. 1, 2 показано, как эта функция аппроксимирует спектры, а в таблице приведены параметры для одного 5. Заключение голубого СД. Из них следует, что механизмы реком1. Исследованы спектры электролюминесценции свебинации изменяются при изменении тока в широких тодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с интервалах. В некотором интервале J изменение max eff множественными квантовыми ямами вплоть до малых можно описать изменением Fn — при неизменных Eg токов порядка 10-7 А. Сдвиг максимума спектров в и E1 = m · kT. Это свидетельствует в пользу модели интервале 2.57 2.67 эВ для голубых и 2.2 2.4эВ для переходов в хвостах плотности состояний при случайных зеленых СД с увеличением V обусловлен заполнением флуктуациях потенциала.

Однако интервал J, в котором возможно такое опи- хвоста плотности состояний в МКЯ.

2. Модель излучательной рекомбинации в 2D струксание, ограничен. Более подробный анализ параметров для серии СД и их зависимость от случайных и напра- туре с экспоненциальным хвостом плотности состояний хорошо описывает спектры с небольшим числом подговленных (в частности, пьезоэлектрических) полей будут ночных параметров. Изменение параметров свидетельпроведены в будущем. Здесь заметим, что параметр E1 = m · kT заметно увеличивается с J. Это обусло- ствует об изменении механизмов рекомбинации с током.

При больших токах обнаружена ранее не наблюдавшаяся влено нагревом СД при J > 10 мА. Аппроксимация полоса на коротковолновом хвосте спектров. Предполопоказана на рис. 3. Сдвиг спектров в импульсном режиме жено, что она обусловлена выпадением фаз с разным можно описать без изменения E1, а в постоянном — без изменения m, при изменении T (рис. 3, a). Сме- содержанием In в ямах InGaN.

3. Туннельная компонента тока в диодах с МКЯ на щение max при больших J соответствует формуле eff 3-4 порядка меньше, чем в аналогичных диодах с ОКЯ.

Варшни: Eg (T ) = E(0) - T /( + T); параметры:

ВАХ светодиодов имеют участок, который описывается E(0) = 3.07 эВ; = 12.8 · 10-4 эВ/К; = 1190 K двойной инжекцией в i-слои, прилегающие к МКЯ. Это (см. [18]).

подтверждается видом распределения заряженных центров в структурах.

4.2. Новая спектральная полоса 4. Квантовый выход излучения имеет максимум в Коротковолновый спад основной линии изменяется с зависимости от тока при малых J(J 0.5 1 · 10-3 А).

J и из-за влияния другой спектральной полосы. Она Падение e при J > 1 мА можно объяснить перетеканипроявляется четко для спектров зеленых СД и, близко ем электронов через активный слой и вытягиванием их к уровню шумов, для голубых СД (рис. 1, 2). Можно электрическим полем в i-слои структуры.

5 Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 450 В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин Авторы выражают глубокую благодарность д-ру Luminescent and electrical properties of М. Койке (Компании Тойода Госей) за диоды, присланInGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes ные в МГУ. Авторы благодарны С.С. Мамакину за with multiple quantum wells помощь в экспериментах.

V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, А.Э. Юнович и В.Е. Кудряшев благодарны СоросовA.N. Kovalev, F.I. Manyakhin ской Образовательной программе за финансовую подM.V. Lomonosov Moscow State University, держку.

Department of Physics, 119899 Moscow; Russia Список литературы Moscow Institute of Steel and Alloys, 119899 Moscow; Russia [1] K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/11;

Abstract

Luminescence spectra of LEDs with MQWs were http://nsr. mij. mrs. org/1/11.

studied at currents J = 0.15 µA–150 mA. A comparatively high [2] K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, quantum efficiency at low J (maximum at Jm 0.5 1.0mA) S. Nakamura. Refer. Rep. J. of Eur. Ceram. Soc., 17, is caused by a low probability of nonradiative tunnel com(1997).

[3] К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ponent of the current J. Curves J(V ) were measured ФТП, 31, 1055 (1997).

in the range J = 10-12-10-1 A; at J > 10-3 A;

[4] A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyathey can be approximated by a combination of four parts:

chin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. MRS Symp. Proc., 449, V = k + mkT · [ln(J/J0) + (J/J1)0.5] + J · Rs. The part (1997).

V (J/J1)0.5 is the evidence of a double-injection into the [5] В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, i — layers nearby the MQW layer. The presence of such layers А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997).

is confirmed by dynamic capacitance measurements. An overflow [6] A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, K.G. Zolina, of current carriers through the MQW to the adjacent layers cause A.N. Kovalev, F.L. Manyakhin. Proc. 2nd Symposium on IIIa lowering of the quantum efficiency at high currents. The V Nitride Materials and Processes, 97–34 of Electrochem.

model of a joint 2D-density of states with exponential tails in Soc., NJ, 83 (1998).

MQWs fits the spectra. The high energy tail allows an estimation [7] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl.

Phys., 34, pt, 2, L797 (1995). of the temperature of the active layer: T = 360-370 K at [8] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, J = 80-100 mA. A new band was detected at high currents; it T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1332 (1995).

can be caused by nonuniformity of In content in the active MQW [9] F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, layers.E-mail;yunovich@scon175.phys.msu.su A.E. Yunovich. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 2/11;

http://nsr.mij.org/2/11.

[10] Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998).

[11] 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan (1997).

[12] T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komari, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, pt. 2, L382(1997).

[13] A. Hangleiter, S. Heppel, J.S. Im, H. Kollmer, J. Off. EGW-3, 1998, Abstr. 52-I.

[14] H. Sakai, T. Koide, H. Suzauki, M. Yamaguchi, S. Yamasaki, M. Koike, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1429 (1995).

[15] M. Koike, N. Koide, S. Asami, J. Umezaki, S. Nagai, S. Yamasaki, N. Shibata, H. Amano, I. Akasaki. Proc. of SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 3002 (1997).

[16] А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Письма ЖТФ, 22 (23), (1996).

[17] Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998).

[18] A.V. Dmitriev, A.I. Oruzheinikov. MRS Int. J. of Nitride Semic.

Res., 1/46; htt://nsr.mij.mrs.org/1/46.

[19] K. Domen, R. Soejima, A. Kuramata, T. Tanahashi. MRS Int.

J. of Nitride Semic. Res., 3/2; http://nsr.mij.mrs.org/3/2.

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.